場(chǎng)效應(yīng)管識(shí)別與檢測(cè)(文件)
【正文】 電流 ID ? 是漏極能夠輸出的最大電流，相當(dāng)于普通三極管的ICM ， 其值與溫度有關(guān)，通常手冊(cè)上標(biāo)注的是溫度為 25℃ 時(shí)的值。 ③ 飽和漏極電流 IDSS 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管 , 當(dāng) VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流 22 ④ 輸入電阻 RGS 場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值 ， 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí) RGS約大于 107Ω，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管 , RGS約是 109～ 1015Ω。給柵、源極之間充電，此時(shí)萬(wàn)用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。 18 3. 場(chǎng)效應(yīng)管引腳的識(shí)別 ? 場(chǎng)效應(yīng)管也有三個(gè)引腳，分別是柵極 (又稱控制極 )、源極、漏極 3個(gè)端子。 ? 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的不同之處在于它們的導(dǎo)電方式不同。 一、場(chǎng)效應(yīng)管的種類 5 一、場(chǎng)效應(yīng)管的種類 ? 按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分 N溝道和 P溝道兩種。 6 N溝道 P溝道 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 （耗盡型） FET 場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 結(jié)型 MOSFET 絕緣柵型 (IGFET) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類 7 N 基底 ： N型半導(dǎo)體 P P 兩邊是 P區(qū) G(柵極 ) S源極 D漏極 一、結(jié)構(gòu)
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