【正文】 換成光能的特殊半導體器件，它 只有在加正向電壓時才發(fā)光 。三極管具有電流放大作用時在三極管內部載流子的傳輸過程 （以 NPN管為例介紹）（ 1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入自由電子 （對 NPN管子為自由電子，對PNP管子為空穴）發(fā)射結正偏發(fā)射區(qū)多子向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電子電流 InE基區(qū)多子向發(fā)射區(qū)擴散 ,小，可忽略漂移運動很弱，可忽略發(fā)射極電流 IE= InE （ 2）自由電子在基區(qū)擴散與復合 （對 NPN管子為自由電子，對 PNP管子為空穴）在基區(qū)內自由電子繼續(xù)向集電結方向擴散? 一部分與基區(qū)空穴復合，形成基極復合電流 IB39。特性曲線的分類輸入特性曲線輸出特性曲線共射接法特性曲線共基接法特性曲線共集接法特性曲線NPN管特性曲線PNP管特性曲線我們只研究 NPN共射 特性曲線（輸入、輸出）規(guī)定電壓和電流的參考方向如圖所示：注意電壓變量、電流變量的寫法：小寫的字母，大寫的下標 iB=f(uBE)? uCE=constiC=f(uCE)? iB=const iB=f(uBE)? uCE=const(2) 當 uCE≥1V時， uCB= uCE uBE0，集電結已進入反偏狀態(tài)，開始收集電子，基區(qū)復合減少，同樣的 uBE下 iB減小，特性曲線右移。放大區(qū)： iC平行于 uCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。v 飽和區(qū)： NPN的 uBE =, PNP的 uBE =，沒有223。 或者 223。 ICEO也稱為集電極發(fā)射極間穿透電流。C虛線25176。主要參數(shù)? 直流參數(shù) ： 、 、 ICBO、 ICEOce間擊穿電壓最大集電極電流最大集電極耗散功率， PCM＝ iCuCE安全工作區(qū)? 交流參數(shù)： β、 α、 fT（使 β＝ 1的信號頻率）? 極限參數(shù) ： ICM、 PCM、 U（ BR） CEO謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。C，實線3. 溫度變化對 ? 的影響溫度每升高 1 176。=50比較 iB和 IBS的大?。?iB IBS ，所以三極管處于放大狀態(tài) 如何改變三極管的狀態(tài)v只要改變 iB和 IBS的比較關系即可v 保持 IBS不變，通過改變 Rb可改變 iB v或 保持 iB 不變，通過改變 RC可改變 IBS六、 BJT的主要參數(shù)BJT的主要參數(shù)(1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)1. 電流放大系數(shù) (2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) ?uCE=const(3) 共基極直流電流放大系數(shù) (4)共基極交流電流放大系數(shù) ? uCB=const 2. 極間反向電流(1) 集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開 路時，集電結的反向飽和電流。IB） ,求此時三極管的集電極臨界飽和電流 ICS ，進而求出基極臨界飽和電流 IBS 。集電極電流主要決定于基極電流。iC=f(uCE)? iB=const NPN共射 輸出特性曲線截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域，相當 iB=0的曲線的下方。（ 2） 外部條件： 發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置。兩個 PN結 ,每個有正偏和反偏兩種狀態(tài) ,組合起來 ,共有 4種狀態(tài) :發(fā)射結正偏 ,集電結反偏 :放大區(qū)， 在模擬放大電路中使用發(fā)射結正偏 ,集電結正偏 :飽和區(qū)發(fā)射結反偏 ,集電結反偏 :截止區(qū)發(fā)射結反偏 ,集電結正偏 : 倒置狀態(tài) ,基本上沒有什么用處在數(shù)字電路中使用二、放大狀態(tài)下 BJT的電流分配與控制關系要使三極管具有電流放大作用所必須提供的條件：外部條件：外加直流電壓源保證 發(fā)射結正偏，集電結反偏。解：＜ R＜光電二極管是有光照射時會產生電流的二極管。穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)v（ 5）額定功耗 PZM： PZM等于穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓 UZ與最大穩(wěn)定工作電流 Izmax的乘積。擴散路程中電荷的積累與釋放空間電荷區(qū)寬窄的變化有電荷的積累與釋放五、穩(wěn)壓二極管1. 伏安特性進入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流不至于損壞的最大電流 由一個 PN結組成，反向擊穿后在一定的電流范圍內端電壓基本不變，為穩(wěn)定電壓。例 3 電路如圖所示，已知 R=10k， VREF=10V，求當輸入電壓 ui為正弦波時電阻兩端電壓的波形，二極管兩端電壓的波形。 方法：將理想二極管斷開，求陽極和陰極的電位差，若 0,則理想二極管正向導通；若 0，則理想二極管反向截止在本題目中理想二極管正向導通，用理想的導線代替二極管（硅二極管典型值）設3) 二極管使用直流折線模型首先： 將原始電路中的二極管用它的 直流折線 模型代替，得到右側的電路然后： 判斷 理想二極管 的狀態(tài)（導通或截止）。二極管（非線性）的電阻的定義v（二）二極管的交流電阻（動態(tài)電阻） rd在工作點 Q附近，二極管兩端電壓的變化量和與之對應的電流變化量之比就是二極管的交流電阻 rd。 非線性電阻非線性電阻的直流電阻和交流電阻不同線性電阻的直流電阻和交流電阻相同 交流電阻 rd的大小也是隨工作點 Q的變化而變化的，工作點的電流越大， rd就越小。因為雙向導電（ a）硅二極管 2CP10的伏安特性曲線 （ b）鍺二極管 2AP15的伏安特性曲線二極管的伏安特性及電流方程 二極管的電流與其端電壓的關系稱為伏安特性v死區(qū)電壓 Uth ? 硅二極管的死區(qū)電壓一般為 ，鍺二極管的死區(qū)電壓一般為 。v漂移電流的真實方向： N指向 PP區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；P區(qū)的電位低于 N區(qū)的電位，稱為加反向電壓，簡稱反偏；PN結正偏、反偏的定義PN結加正向電壓導通： 耗盡層變窄，擴散運動加劇，由于外電源的作用，形成擴散電流， PN結處于導通狀態(tài)。漂移運動少子在電場的作用下向對方漂移 ,稱漂移運動。半導體導電的兩個方面v自由電子的運動v束縛電子的運動與金屬導電相比，金屬導電只有自由電子的運動，因為金屬沒有共價鍵，而半導體有共價鍵 ,所以有兩個方面半導體中的載流子v自由電子v空穴本征半導體中的自由電子和空穴成對出現(xiàn)本征半導體的特性：（ 1）熱敏特性（ 2）光敏特性（ 3）攙雜特性三種方式都可使本征半導體中的載流子數(shù)目增加，導電能力增強，但是并不是當做導體來使用，因為與導體相比，導電能力還差得遠。 半導體 －－硅（ Si）、鍺（ Ge），均為四價元素，它們原子的最外層電子受原子核的束縛力介于導體與絕緣體之間。 絕緣體 －－惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強，只有在外電場強到一定程度時才可能導電。本征半導體中的兩種載流子運載電荷的粒子稱為載流子。擴散電流 的真實方向是從 P區(qū)指向 N區(qū)的 。形成的電流稱為漂移電流。線性電阻參考方向的選取只有兩種可能：關聯(lián)、非關聯(lián)。v（二）二極管的