【正文】 C虛線IB=41uA溫度 T ? 輸入特性曲線族間距減小特別注意：當(dāng)溫度升高時，三極管的特性曲線要上升，而對于基本共射放大電路來說， IB不但不減小，反而上升，使 Q點進一步升高。C溫度 T ? 輸入特性曲線右移這條直線只決定于 VCC和 Rb ，與溫度無關(guān)對于基本共射電路來說，當(dāng)溫度升高時， VBE下降， IB升高 ,比如說 IB=41uA2. 溫度變化對 ICBO的影響溫度 T ? ? 輸出特性曲線上移溫度 T ? 輸入特性曲線下移ICEO=（ 1+ 223。=50例題 3 Rb=200k ,RC=2K,VCC=12V， 223。 三極管的三個電極所在的支路中的電流決定于外電路，滿足電路方程。 為什么 uCE較小時 iC隨 uCE變化很大？為什么進入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)NPN共射輸出特性曲線 的特點描述v 截止區(qū) : 的區(qū)域 :三個電極上的電流為 0,發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏 ,相當(dāng)于開關(guān)打開 ,在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件的一個狀態(tài)。原因： uCE≥1V時集電結(jié)反偏，集電結(jié)吸引自由電子的能力增強，從發(fā)射區(qū)注入的自由電子更多地流向集電區(qū)，對應(yīng)于相同的 uBE （即發(fā)射區(qū)發(fā)射的自由電子數(shù)一定） ，流向基極的電流減小，曲線右移v （ 3） uCE1V與 uCE=1V的曲線非常接近，可以近似認(rèn)為重合v （ 4）有一段死區(qū)v （ 5）非線性特性v （ 6）溫度上升，曲線左移v （ 7）陡峭上升部分可以近似認(rèn)為是直線，即 iB與 uBE成正比，線性區(qū)v （ 8）放大狀態(tài)時， NPN的 uBE =, PNP的 uBE =為什么 UCE增大曲線右移？ 對于小功率晶體管， UCE大于 1V的一條輸入特性曲線可以取代 UCE大于 1V的所有輸入特性曲線。 電流分配關(guān)系根據(jù)傳輸過程可知 IC= InC+ ICBO IB= IB39。BJT的應(yīng)用 :(1)在模擬電路中作為放大元件(2)在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件 一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號小功率管 中功率管 大功率管為什么有孔？ 半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)有兩種類型 :NPN型和 PNP型。解：答案中詳細(xì)的步驟v對 RL應(yīng)用歐姆定律，端電壓與電流的參考方向為關(guān)聯(lián)的，所以 最大 穩(wěn) 定工作 電 流對結(jié) 點 A應(yīng) 用 KCL定律，有 限流 電 阻 R的最小 值限流 電 阻 R的最大 值。v (2) 動態(tài)電阻 rZ ： rZ =?U Z /?I Z ， rZ 愈小，反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡。? 3）一個為正，另一個為負(fù)：正的那個二極管一定導(dǎo)通，負(fù)的那個狀態(tài)不定，需要做進一步的判斷。R=1K， VREF=3V求（ 1）當(dāng)=0V、 4V、 6V時，求輸出電壓值（ 2）當(dāng) 時輸出電壓的波形 解： （ 1）當(dāng) =0V、 4V、 6V時，求輸出電壓值首先：考慮選用何種二極管的模型？因為只有直流電壓源作用，所以使用直流模型。（硅二極管）（鍺二極管將 ）（ 4） 直流指數(shù)模型（二）交流小信號模型 （ 小 信號模型）注意：二極管的 交流模型用在交流小信號電源作用的電路中小 ：能夠把曲線看成直線，而誤差能夠忍受應(yīng)用舉例v一、用二極管直流模型來分析電路v二、用二極管交流模型來分析電路二極管在某個電路中可以這樣來使用：當(dāng)作非線性電阻來使用，即所有時間內(nèi)全部在正向?qū)▍^(qū)當(dāng)作開關(guān)來使用，即某段時間內(nèi)導(dǎo)通，某段時間內(nèi)截止當(dāng)作開關(guān)來使用，即在所有時間內(nèi)均導(dǎo)通 當(dāng)作開關(guān)來使用，即在所有時間內(nèi)均截止 當(dāng)作小電壓穩(wěn)壓器件來使用，即所有時間內(nèi)全部在正向?qū)▍^(qū)當(dāng)作大電壓穩(wěn)壓器件來使用，即所有時間內(nèi)全部在反向擊穿區(qū)（一）用二極管直流模型來分析電路v例 1 求電路的 ID和 UD ，已知 R=10K在兩種情況下計算 : （ 1） UDD =10V（ 2） UDD =1V 解 :1) 二極管使用直流理想模型（ 1） UDD=10V 時首先： 將原始電路中的二極管用它的理想模型代替，得到右側(cè)的電路然后： 判斷 理想二極管 的狀態(tài)（導(dǎo)通或截止）。硅二極管的反向電流一般在納安 (nA)級；鍺二極管在微安 (?A)級。二極管的電阻v（一）二極管的直流電阻 rD二極管兩端的直流電壓 UD與直流電流 ID之比就是二極管的直流電阻 rD。結(jié)電容： 結(jié)電容不是常量！若 PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向?qū)щ娦裕? 半導(dǎo)體二極管一、二極管的結(jié)構(gòu)二、二極管的伏安特性及電流方程三、二極管的等效電路四、二極管的主要參數(shù)五、穩(wěn)壓二極管 一、二極管的結(jié)構(gòu)將 PN結(jié)封裝，引出兩個電極，就構(gòu)成了二極管。形成的電流稱為擴散電流。自由電子和空穴 復(fù)合 出現(xiàn)內(nèi)電場 。 溫度升高，熱運動加劇，載流子濃度增大，導(dǎo)電性增強。無雜質(zhì) 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)本征半導(dǎo)體是 純凈 的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。共價鍵 一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，熱運動加劇，掙脫共價鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強，實現(xiàn)導(dǎo)電性可控。漂移電流 的真實方向是從N區(qū)指向 P 區(qū)的 。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。v反向擊穿電壓 UBR 。v (二 ) 反向擊穿電壓 UBR ? 二極管反向電流急劇增加時對應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓UBR。 rd =26mv/ ID(mA)二極管的模型（等效電路）v（一）直流模型? （ 1） 直流理想模型? （ 2） 直流恒壓降模型? （ 3）直流折線模型? （ 4） 直流指數(shù)模型v（二）交流小信號模型v （ 1）直流理想模型v （ 2）直流恒壓降模型 v （ 3）直流折線模型v （ 4）直流指數(shù)模型模型越來越準(zhǔn)確，但是計算越來越復(fù)雜直流模型用在直流電源作用的電路中（一）直流模型（ 1）直流理想模型v正偏時導(dǎo)通，管壓降為 0V，電流決定于外電路。 方法：將理想二極管斷開，求陽極和陰極的電位差，若 0,則理想二極管正向?qū)ǎ蝗?0，則理想二極管反向截止在本題目中理想二極管正向?qū)?，用理想的?dǎo)線代替二極管（硅二極管典型值）2）二極管使用直流恒壓降模型首先： 將原始電路中的二極管用它的 直流恒壓降 模型代替，得到右側(cè)的電路然后： 判斷 理想二極管 的狀態(tài)（導(dǎo)通或截止）。1V時，問相應(yīng)的硅二極管電壓（即輸出電壓）的變化如何？解 （ 1） 求靜態(tài)工作點，畫出直流通路，二極管采用直流模型 （ 2）畫交流通路，二極管采用交流模型（這時的信號是小信號）△ 討論1. V＝ 2V、 5V、 10V時二極管中的直流電流各為多少？2. 若輸入電壓的有效值為 5mV，則上述各種情況下二極管中的交流電流各為多少？ V 較小時應(yīng)實測伏安特性，用圖解法求 ID。正向部分與普通二極管相同穩(wěn)壓管穩(wěn)壓時必須工作在反向電擊穿狀態(tài)。對于一只具體的穩(wěn)壓二極管，可以通過其 PZM的值，求出 Izmax的值。D應(yīng)在反壓狀態(tài)工作 發(fā)光二極管是 將電能轉(zhuǎn)