【正文】 復(fù)合電流 IB39。 兩種類型的三極管發(fā)射結(jié) (Je) 集電結(jié) (Jc) 基極 ， 用 B或 b表示（ Base） 發(fā)射極 ， 用 E或 e 表示（ Emitter）；集電極 ， 用 C或 c 表示（ Collector）。D應(yīng)在反壓狀態(tài)工作 發(fā)光二極管是 將電能轉(zhuǎn)換成光能的特殊半導(dǎo)體器件，它 只有在加正向電壓時才發(fā)光 。限流電阻的取值＜ R＜v例 11 在例 10中， 輸入電壓 Ui為 12—14V ，其余參數(shù)完全相同，計算限流電阻 R的取值范圍。對于一只具體的穩(wěn)壓二極管，可以通過其 PZM的值，求出 Izmax的值。v (3) 最小穩(wěn)定工作電流 Izmin ：保證穩(wěn)壓管擊穿所對應(yīng)的電流，若 IZ＜ Izmin 則不能穩(wěn)壓。正向部分與普通二極管相同穩(wěn)壓管穩(wěn)壓時必須工作在反向電擊穿狀態(tài)。正的那個二極管導(dǎo)通后用理想的導(dǎo)線代替，這時整個電路就轉(zhuǎn)化成了只有一個二極管的電路，按照例 3的方法繼續(xù)判斷，從而得出最后的結(jié)論。1V時，問相應(yīng)的硅二極管電壓（即輸出電壓）的變化如何？解 （ 1） 求靜態(tài)工作點，畫出直流通路，二極管采用直流模型 （ 2）畫交流通路，二極管采用交流模型（這時的信號是小信號）△ 討論1. V＝ 2V、 5V、 10V時二極管中的直流電流各為多少？2. 若輸入電壓的有效值為 5mV，則上述各種情況下二極管中的交流電流各為多少？ V 較小時應(yīng)實測伏安特性，用圖解法求 ID?？紤]到輸入電壓不高，且有 VREF=3V， 因此作用于二極管兩端的電壓不高，所以要選用折線模型才能滿足題目的精度要求將原始電路中的二極管用它的 直流折線 模型代替，得到右側(cè)的電路然后： 判斷 理想二極管 的狀態(tài)（導(dǎo)通或截止）。 方法：將理想二極管斷開，求陽極和陰極的電位差，若 0,則理想二極管正向?qū)?；?0，則理想二極管反向截止在本題目中理想二極管正向?qū)ǎ美硐氲膶?dǎo)線代替二極管（硅二極管典型值）2）二極管使用直流恒壓降模型首先： 將原始電路中的二極管用它的 直流恒壓降 模型代替，得到右側(cè)的電路然后： 判斷 理想二極管 的狀態(tài)（導(dǎo)通或截止）。 方法：將理想二極管斷開，求陽極和陰極的電位差，若 0,則理想二極管正向?qū)?；?0，則理想二極管反向截止；在本題目中理想二極管正向?qū)?，用理想的?dǎo)線代替二極管因為只有直流電壓源作用，所以使用直流模型。 rd =26mv/ ID(mA)二極管的模型（等效電路）v（一）直流模型? （ 1） 直流理想模型? （ 2） 直流恒壓降模型? （ 3）直流折線模型? （ 4） 直流指數(shù)模型v（二）交流小信號模型v （ 1）直流理想模型v （ 2）直流恒壓降模型 v （ 3）直流折線模型v （ 4）直流指數(shù)模型模型越來越準(zhǔn)確，但是計算越來越復(fù)雜直流模型用在直流電源作用的電路中（一）直流模型（ 1）直流理想模型v正偏時導(dǎo)通，管壓降為 0V，電流決定于外電路。三、二極管的等效電路v（一）二極管的直流電阻 rD二極管兩端的直流電壓 UD與直流電流 ID之比就是二極管的直流電阻 rD。v (二 ) 反向擊穿電壓 UBR ? 二極管反向電流急劇增加時對應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓UBR。非線性電阻Q點處的直流電阻 rD是連接 Q點與坐標(biāo)原點的直線的斜率的倒數(shù)。v反向擊穿電壓 UBR 。點接觸型：結(jié)面積小，結(jié)電容小故結(jié)允許的電流小最高工作頻率高面接觸型：結(jié)面積大，結(jié)電容大故結(jié)允許的電流大最高工作頻率低平面型：結(jié)面積可小、可大小的工作頻率高大的結(jié)允許的電流大規(guī)定二極管的端電壓 uD的參考方向和二極管的電流 iD的參考方向 二、二極管的伏安特性及電流方程參考方向的選取共有四種可能，本教材中選擇其中的一種。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。v擴散電流的真實方向： P指向 Nv電流的參考方向的定義v電流的真實方向的定義v少子在內(nèi)電場的作用下產(chǎn)生的運動稱為漂移運動。漂移電流 的真實方向是從N區(qū)指向 P 區(qū)的 。三、 PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦訮區(qū) N區(qū) P區(qū) N區(qū)P區(qū) N區(qū)P區(qū)P區(qū) N區(qū)P區(qū) N區(qū)擴散運動 =漂移運動時達到 動態(tài)平衡1. 交界面出現(xiàn)自由電子、空穴的濃度差別P區(qū)N區(qū)空穴多自由電子少空穴少自由電子多P區(qū)空穴（多子）向 N區(qū)擴散N區(qū)自由電子（多子）向 P區(qū)擴散同時進行，留下不能移動的雜質(zhì)離子，形成內(nèi)電場3. 內(nèi)電場的出現(xiàn)使少數(shù)載流子向?qū)Ψ狡芅區(qū)空穴（少子）向 P區(qū)漂移P區(qū)自由電子（少子）向 N區(qū)漂移 同時進行4. 剛開始 ,擴散運動大于漂移運動 , 最后 ,擴散運動等于漂移運動 ,達到動態(tài)平衡擴散運動多子從濃度大向濃度小的區(qū)域擴散 ,稱擴散運動擴散運動產(chǎn)生擴散電流。摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強，實現(xiàn)導(dǎo)電性可控。 熱力學(xué)溫度 0K時不導(dǎo)電。共價鍵 一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，熱運動加劇，掙脫共價鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。什么是半導(dǎo)體？什么是本征半導(dǎo)體？ 導(dǎo)體 －－鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素，其最外層電子在外電場作用下很容易產(chǎn)生定向移動，形成電流。無雜質(zhì) 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)本征半導(dǎo)體是 純凈 的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)由于熱運動，具有足夠能量的價電子掙脫共價鍵的束縛而成為 自由電子自由電子的產(chǎn)生使共價鍵中留有一個空位置，稱為 空穴 自由電子與空穴相碰同時消失，稱為復(fù)合。 溫度升高，熱運動加劇，載流子濃度增大，導(dǎo)電性增強。二、雜質(zhì)半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體磷（ P） 雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。自由電子和空穴 復(fù)合 出現(xiàn)內(nèi)電場 。漂移運動產(chǎn)生漂移電流。形成的電流稱為擴散電流。PN結(jié)加反向電壓截止： 耗盡層變寬，阻止擴散運動，有利于漂移運動，形成漂移電流。結(jié)電容： 結(jié)電容不是常量！若 PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向?qū)щ娦裕? 半導(dǎo)體二極管一、二極管的結(jié)構(gòu)二、二極管的伏安特性及電流方程三、二極管的等效電路四、二極管的主要參數(shù)五、穩(wěn)壓二極管 一、二極管的結(jié)構(gòu)將 PN結(jié)封裝，引出兩個電極，就構(gòu)成了二極管。 v硅二極管正向?qū)妷杭s為 ，鍺二極管正向?qū)妷杭s為 。二極管的電阻v（一）二極管的直流電阻 rD二極管兩端的直流電壓 UD與直流電流 ID之比就是二極管的直流電阻 rD。 rd =26mv/ ID(mA)五、二極管的主要參數(shù)v (一 ) 最大整流電流 IF ? 二極管長期連續(xù)工作時，允許通過的最大正向平均電流。硅二極管的反向電流一般在納安 (nA)級；鍺二極管在微安 (?A)級。 非線性電阻非線性電阻的直流電阻和交流電阻不同線性電阻的直流電阻和交流電阻相同 交流電阻 rd的大小也是隨工作點 Q的變化而變化的，工作點的電流越大， rd就越小。（硅二極管）（鍺二極管將 ）（ 4） 直流指數(shù)模型（二）交流小信號模型 （ 小 信號模型）注意：二極管的 交流模型用在交流小信號電源作用的電路中小 ：能夠把曲線看成直線，而誤差能夠忍受應(yīng)用舉例v一、用