【正文】 復合電流 IB39。 兩種類型的三極管發(fā)射結 (Je) 集電結 (Jc) 基極 ， 用 B或 b表示（ Base） 發(fā)射極 ， 用 E或 e 表示（ Emitter）；集電極 ， 用 C或 c 表示（ Collector）。D應在反壓狀態(tài)工作 發(fā)光二極管是 將電能轉換成光能的特殊半導體器件，它 只有在加正向電壓時才發(fā)光 。限流電阻的取值＜ R＜v例 11 在例 10中， 輸入電壓 Ui為 12—14V ，其余參數(shù)完全相同，計算限流電阻 R的取值范圍。對于一只具體的穩(wěn)壓二極管，可以通過其 PZM的值，求出 Izmax的值。v (3) 最小穩(wěn)定工作電流 Izmin ：保證穩(wěn)壓管擊穿所對應的電流，若 IZ＜ Izmin 則不能穩(wěn)壓。正向部分與普通二極管相同穩(wěn)壓管穩(wěn)壓時必須工作在反向電擊穿狀態(tài)。正的那個二極管導通后用理想的導線代替，這時整個電路就轉化成了只有一個二極管的電路，按照例 3的方法繼續(xù)判斷，從而得出最后的結論。1V時，問相應的硅二極管電壓（即輸出電壓）的變化如何？解 （ 1） 求靜態(tài)工作點，畫出直流通路，二極管采用直流模型 （ 2）畫交流通路，二極管采用交流模型（這時的信號是小信號）△ 討論1. V＝ 2V、 5V、 10V時二極管中的直流電流各為多少？2. 若輸入電壓的有效值為 5mV，則上述各種情況下二極管中的交流電流各為多少？ V 較小時應實測伏安特性，用圖解法求 ID?？紤]到輸入電壓不高，且有 VREF=3V， 因此作用于二極管兩端的電壓不高，所以要選用折線模型才能滿足題目的精度要求將原始電路中的二極管用它的 直流折線 模型代替，得到右側的電路然后： 判斷 理想二極管 的狀態(tài)（導通或截止）。 方法：將理想二極管斷開，求陽極和陰極的電位差，若 0,則理想二極管正向導通；若 0，則理想二極管反向截止在本題目中理想二極管正向導通，用理想的導線代替二極管（硅二極管典型值）2）二極管使用直流恒壓降模型首先： 將原始電路中的二極管用它的 直流恒壓降 模型代替，得到右側的電路然后： 判斷 理想二極管 的狀態(tài)（導通或截止）。 方法：將理想二極管斷開，求陽極和陰極的電位差，若 0,則理想二極管正向導通；若 0，則理想二極管反向截止；在本題目中理想二極管正向導通，用理想的導線代替二極管因為只有直流電壓源作用，所以使用直流模型。 rd =26mv/ ID(mA)二極管的模型（等效電路）v（一）直流模型? （ 1） 直流理想模型? （ 2） 直流恒壓降模型? （ 3）直流折線模型? （ 4） 直流指數(shù)模型v（二）交流小信號模型v （ 1）直流理想模型v （ 2）直流恒壓降模型 v （ 3）直流折線模型v （ 4）直流指數(shù)模型模型越來越準確，但是計算越來越復雜直流模型用在直流電源作用的電路中（一）直流模型（ 1）直流理想模型v正偏時導通，管壓降為 0V，電流決定于外電路。三、二極管的等效電路v（一）二極管的直流電阻 rD二極管兩端的直流電壓 UD與直流電流 ID之比就是二極管的直流電阻 rD。v (二 ) 反向擊穿電壓 UBR ? 二極管反向電流急劇增加時對應的反向電壓值稱為反向擊穿電壓UBR。非線性電阻Q點處的直流電阻 rD是連接 Q點與坐標原點的直線的斜率的倒數(shù)。v反向擊穿電壓 UBR 。點接觸型：結面積小，結電容小故結允許的電流小最高工作頻率高面接觸型：結面積大，結電容大故結允許的電流大最高工作頻率低平面型：結面積可小、可大小的工作頻率高大的結允許的電流大規(guī)定二極管的端電壓 uD的參考方向和二極管的電流 iD的參考方向 二、二極管的伏安特性及電流方程參考方向的選取共有四種可能，本教材中選擇其中的一種。由于電流很小，故可近似認為其截止。v擴散電流的真實方向： P指向 Nv電流的參考方向的定義v電流的真實方向的定義v少子在內電場的作用下產生的運動稱為漂移運動。漂移電流 的真實方向是從N區(qū)指向 P 區(qū)的 。三、 PN結的形成及其單向導電性P區(qū) N區(qū) P區(qū) N區(qū)P區(qū) N區(qū)P區(qū)P區(qū) N區(qū)P區(qū) N區(qū)擴散運動 =漂移運動時達到 動態(tài)平衡1. 交界面出現(xiàn)自由電子、空穴的濃度差別P區(qū)N區(qū)空穴多自由電子少空穴少自由電子多P區(qū)空穴（多子）向 N區(qū)擴散N區(qū)自由電子（多子）向 P區(qū)擴散同時進行，留下不能移動的雜質離子，形成內電場3. 內電場的出現(xiàn)使少數(shù)載流子向對方漂移N區(qū)空穴（少子）向 P區(qū)漂移P區(qū)自由電子（少子）向 N區(qū)漂移 同時進行4. 剛開始 ,擴散運動大于漂移運動 , 最后 ,擴散運動等于漂移運動 ,達到動態(tài)平衡擴散運動多子從濃度大向濃度小的區(qū)域擴散 ,稱擴散運動擴散運動產生擴散電流。摻入雜質越多，多子濃度越高，導電性越強，實現(xiàn)導電性可控。 熱力學溫度 0K時不導電。共價鍵 一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，熱運動加劇，掙脫共價鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。什么是半導體？什么是本征半導體？ 導體 －－鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素，其最外層電子在外電場作用下很容易產生定向移動，形成電流。無雜質 穩(wěn)定的結構本征半導體是 純凈 的晶體結構的半導體。本征半導體的結構由于熱運動，具有足夠能量的價電子掙脫共價鍵的束縛而成為 自由電子自由電子的產生使共價鍵中留有一個空位置，稱為 空穴 自由電子與空穴相碰同時消失，稱為復合。 溫度升高，熱運動加劇，載流子濃度增大，導電性增強。二、雜質半導體 N型半導體磷（ P） 雜質半導體主要靠多數(shù)載流子導電。自由電子和空穴 復合 出現(xiàn)內電場 。漂移運動產生漂移電流。形成的電流稱為擴散電流。PN結加反向電壓截止： 耗盡層變寬，阻止擴散運動，有利于漂移運動，形成漂移電流。結電容： 結電容不是常量！若 PN結外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向導電性！ 半導體二極管一、二極管的結構二、二極管的伏安特性及電流方程三、二極管的等效電路四、二極管的主要參數(shù)五、穩(wěn)壓二極管 一、二極管的結構將 PN結封裝，引出兩個電極，就構成了二極管。 v硅二極管正向導通電壓約為 ，鍺二極管正向導通電壓約為 。二極管的電阻v（一）二極管的直流電阻 rD二極管兩端的直流電壓 UD與直流電流 ID之比就是二極管的直流電阻 rD。 rd =26mv/ ID(mA)五、二極管的主要參數(shù)v (一 ) 最大整流電流 IF ? 二極管長期連續(xù)工作時，允許通過的最大正向平均電流。硅二極管的反向電流一般在納安 (nA)級；鍺二極管在微安 (?A)級。 非線性電阻非線性電阻的直流電阻和交流電阻不同線性電阻的直流電阻和交流電阻相同 交流電阻 rd的大小也是隨工作點 Q的變化而變化的，工作點的電流越大， rd就越小。（硅二極管）（鍺二極管將 ）（ 4） 直流指數(shù)模型（二）交流小信號模型 （ 小 信號模型）注意：二極管的 交流模型用在交流小信號電源作用的電路中小 ：能夠把曲線看成直線，而誤差能夠忍受應用舉例v一、用