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單結(jié)晶體管的識(shí)別與檢測(cè)(存儲(chǔ)版)

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【正文】 (b)符號(hào) (c)結(jié)構(gòu)等效電路圖721 單結(jié)晶體管IEVEBTEBREEEEB1B2mAV截止區(qū) 負(fù)阻區(qū) 飽和區(qū)VP PVIEIVVVa IP單結(jié)晶體管的伏安特性是指它的發(fā)射極電壓VE 與流入發(fā)射極電流IE之間的關(guān)系。綜上所述，峰點(diǎn)電壓VP是單結(jié)晶體管由截止轉(zhuǎn)向?qū)ǖ呐R界點(diǎn)。用萬(wàn)用電表R10Ω檔分別測(cè)量EBEB2間正、反向電阻，記入表7－21表72－1REB1(Ω)REB2(Ω)RB1E(KΩ)RB2E(KΩ)結(jié) 論任務(wù)二單結(jié)晶體管振蕩電路制作與調(diào)試RR2SBTC+ER1B2B1vG充電放電ovGωtωtVPoVEt1 t2VV利用單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性和RC電路的充放電特性，可組成單結(jié)晶體管振蕩電路，其基本電路如圖724所示。分別用示波器觀察電容C兩端電壓vc及電路輸出電壓vo。電路如圖725所示圖725單結(jié)晶體管振蕩電路儀器儀表雙蹤示波器一臺(tái) MF47萬(wàn)用表 1只制作調(diào)試步驟（1）將元器件按要求整形，插

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2025-04-17 02:38

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2025-05-08 00:18

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2025-06-24 21:38

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