【正文】 電池效率從1013%%。我國太陽能電池的產(chǎn)量最近幾年持續(xù)保持高速增長，短短幾年，從事光伏產(chǎn)業(yè)的企業(yè)已發(fā)展致500多家。年產(chǎn)20噸8英寸單晶硅（％）及120萬片單晶硅切片，產(chǎn)品主要用于單晶硅太陽電池的制造，是單晶硅太陽電池的主要原料。本項目運輸總量大，公司依靠外協(xié)來滿足項目運輸量的要求。為確保本項目建成投產(chǎn)后本項目四周廠界處噪聲達標，進一步做好環(huán)境保護工作，采取以下防治措施：①注意設備選型及安裝。⑥在南北側(cè)廠界設置2m高的非鏤空圍墻，廠界內(nèi)側(cè)設置寬約5m的綠化隔離帶，種植喬木為主，輔以灌木等。處理規(guī)模為150m3/d，處理工藝為：根據(jù)當?shù)匚鬯芫W(wǎng)規(guī)劃及環(huán)保部門的要求，本項目廢水經(jīng)廠區(qū)內(nèi)預處理達到GB89781996中的三級排放標準后，匯同周邊的****有限公司的廢水、*****有限公司的廢水以及鎮(zhèn)上的廢水一起鋪設管網(wǎng)，接入到東片污水處理工程鎮(zhèn)1泵站處（距離本項目約7200m），納入東片污水處理廠，經(jīng)處理達標后排入杭州灣。硅粉主要包括研磨、切割廢水沉淀過濾得到的硅粉及切片機的冷卻液過濾裝置得到的硅粉，產(chǎn)生量約為24t/a，經(jīng)集中收集后均由原料供應廠家回收利用；打磨噴砂粉塵主要來源于打磨噴砂過程中除塵系統(tǒng)收集的粉塵，產(chǎn)生量為80t/a，主要為一些金屬雜質(zhì)和少量硅粉，可與污泥一并送至當?shù)卮u瓦廠進行綜合利用。屬危險廢物，經(jīng)廠區(qū)內(nèi)集中收集后均由原料供應廠家回收利用。本項目生活垃圾產(chǎn)生量為40t/a，經(jīng)廠區(qū)內(nèi)加蓋垃圾桶收集后由鎮(zhèn)環(huán)衛(wèi)部門統(tǒng)一清運并作衛(wèi)生填埋處理?？梢赃_到《大氣污染物綜合排放標準》（GB162971996）表2中的二級標準。(4)硅料腐蝕產(chǎn)生的堿霧。本項目打磨粉塵約有90%左右經(jīng)通風柜抽風裝置收集至布袋除塵裝置（除塵效率可達99%）除塵后排放（排氣筒高度約1m，即除塵后就地排放），由于排氣筒高度較低，為無組織排放。⑥NH3。 (3)《用電安全導則》(GB/T1386982 ) 。 建設項目生產(chǎn)過程中職業(yè)危害分析(1)工藝過程有少量有害性氣體：酸、堿性氣體、腐蝕性氣體；有害液體：酸、堿液體等有害液體。(5)對生產(chǎn)中可能產(chǎn)生的污染均采取了治理措施，確保生產(chǎn)環(huán)境清潔。 消防 設計依據(jù) (1)《建筑設計防火規(guī)范》(GBJ1687)1997版； (2)《建筑滅火器配置設計規(guī)范》(GBJ1401990)；(3)《建筑物防雷設計規(guī)范》(GB500571994)。國務院1986年1月12日發(fā)布的《節(jié)約能源管理暫行條例》中規(guī)定，“新建改擴建工程項目，必須采用合理的使用能源的先進工藝和設備，其能源消耗不應高于國內(nèi)先進指標，工程項目的可行性研究和初步設計必須有合理能源的專題論證”。(6)加強檢測手段，減少產(chǎn)品不合格率，避免由于產(chǎn)品缺陷返修造成能源浪費。(2)合理設計硅片清洗的程序，實行清洗水套用的清洗操作工藝規(guī)程，嚴格執(zhí)行。企業(yè)將對人員進行有計劃的教育培訓，使其掌握操作使用技能，以提高人員素質(zhì)。工程建設階段包括施工圖設計、土建設計、設備安裝及調(diào)試。 資金籌措及使用計劃 項目總投資及資金籌措本項目總投資為35萬元(含鋪底流動資金5萬元)，固定資產(chǎn)投資由企業(yè)自籌10萬元，銀行貸款10萬元。 固定資產(chǎn)投資 本項目固定資產(chǎn)20萬元，設備及安裝工程為15萬元，其他費用為5萬元。(3)工程驗收階段, 時間為2個月。技術(shù)管理人員按一班制工作。(1)鑒于部分清洗用水為2535℃的溫水，改進單晶爐冷卻水管路，設計冷卻回水回收用于硅片加工過程中的清洗。(4)提高設備負荷率，本設計考慮平均負荷率達87%左右。加強職工安全防火宣傳教育培訓工作，并實行持證上崗。 (10)發(fā)放勞動防護用品。(3)在裝置中，根據(jù)各崗位接觸到有毒有害物料的特性，配備必要的安全勞動保護用品，如橡膠手套、膠靴、防護衣、眼鏡、防毒面具、洗眼器等。 (2)在經(jīng)濟合理的條件下，盡量采用不產(chǎn)生或少產(chǎn)生危害安全與衛(wèi)生的新工藝、新技術(shù)、新設備、新材料，減輕工人勞動強度，改善工人勞動條件。、消防工程投資概算環(huán)保工程投資概算210萬元見表71表71 環(huán)保工程投資序號項目內(nèi)容單位數(shù)量單價金額(萬元)1廢水處理套235702酸霧處理設施 套320603堿霧處理設施套120204固廢收集處理140405綠化、降噪處理2020合計210 工業(yè)職業(yè)安全衛(wèi)生 設計采用的勞動安全標準 (1)《機械防護安全距離》(GB626590 ) 。⑤乙醇廢氣。產(chǎn)生于硅料前道打磨、噴砂過程中。本項目硅料堿腐蝕后道浸泡產(chǎn)生的氫氟酸霧。腐蝕車間和實驗室各配有1套酸霧處理裝置分別對上述兩處產(chǎn)生的酸霧進行分別處理，處理裝置采用二級塔串聯(lián)的還原性堿液進行吸收處理，即用NaOH中和酸性氣體，通過噴淋塔中液體逆相流進行中和并溶解于其中達到凈化的目的。其中廢包裝桶、包裝袋產(chǎn)生量約20t/a，集中收集后均由原料供應商回收利用；操作工破損工作服、手套、集中收集后匯同生活垃圾一道由鎮(zhèn)環(huán)衛(wèi)部門清運并作衛(wèi)生填埋處理。(1)廢酸。其中廢硅料產(chǎn)生量約為120t/a，經(jīng)廠區(qū)內(nèi)集中收集后部分由腐蝕工藝重新進行加工回用于生產(chǎn)過程中，其余部分由原料供應廠家回收利用；，經(jīng)集中收集后均由原料供應廠家回收利用。其中一套主要用于處理產(chǎn)生的切方、切片設備冷卻水及硅片后道清洗廢水，硅片研磨、清洗廢水，反沖洗酸堿廢水。④根據(jù)高噪聲設備的分布，在設備上方安裝吸聲吊頂。(4)《污水綜合排放標準》(GB89781996 )。本項目在新建廠房中已考慮倉庫。表33 2001～2006年國內(nèi)太陽能用單晶硅生產(chǎn)狀況。此外,針對目前光伏產(chǎn)業(yè)的亂象以及產(chǎn)能過剩，國家將鼓勵通過企業(yè)兼并重組的廣式，扶優(yōu)扶強；同時對光伏企業(yè)的發(fā)電標準財政補貼會提高，對光伏發(fā)電企業(yè)給予稅收優(yōu)惠政策，以及金融方面在融資等方面給予支持。2006年光伏組件生產(chǎn)達到1282MW。主要技術(shù)參數(shù):熔料量： 60kg （18 熱系統(tǒng)）n晶體直徑： 6 nTDR—70A 圓筒副室（TDR—70B 開門副室）n1．加熱功率 120kWn2．最高加熱溫度 1600℃n11．冷爐極限真空度 1Pan12．主爐室尺寸 Ф7001000n14．翻版閥通徑 Ф200mmTDR80A（B）型單晶爐主要內(nèi)容：TDR—80A型單晶爐是軟軸提拉型人工晶體生長設備，是在惰性氣體環(huán)境中以石墨電阻加熱器將硅半導體材料熔化，用直拉法生長無位錯硅單晶的設備，它可生產(chǎn)太陽能電池用的6″硅單晶和大規(guī)模集成電路所需要的高質(zhì)量硅單晶。它可以生長大規(guī)模集成電路所需要的高質(zhì)量單晶。TDLFZ35型區(qū)熔單晶爐TDLFZ35型區(qū)熔單晶爐，是在高純氮氣環(huán)境中，用單匝高頻感圈加熱，對多晶體棒進行區(qū)域熔煉，達到提供并用FZ法拉制高純無位錯大直徑(3″～4″)單晶硅的設備。雜質(zhì)的種類依電阻的Ｎ或Ｐ型）放入石英坩堝內(nèi)溶化而成的料。 　　拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。 　　切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。 　?。ǎ叮┪膊可L：在長完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開，那么熱應力將使得晶棒出現(xiàn)位錯與滑移線。雜質(zhì)種類有硼，磷，銻，砷。硅材料資源豐富，又是無毒的單質(zhì)半導體材料，較易制作大直徑無位錯低微缺陷單晶。Soitec公司（世界最大的SOI生產(chǎn)商）的2000年～2010年SOI市場預測以及2005年各尺寸SOI硅片比重預測了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景。而在1996年時，這一比重還僅僅是零。全世界單晶硅的產(chǎn)能為1萬噸/年，年消耗量約為6000噸～7000噸。《泰州市新能源產(chǎn)業(yè)振興規(guī)劃綱要（2009—2012年）》，在泰州建設30兆瓦屋頂電站、2兆瓦建筑一體化電站，中盛光電集團成為被重點扶持的企業(yè)之一。單晶硅主要用于制作半導體元件，其用途主要是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等。超純的單晶硅是本征半導體。與此同時，鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，世界上許多國家正掀起開發(fā)利用太陽能的熱潮并成為各國制定可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的重要內(nèi)容。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用最多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。由于太陽能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢，近三十年來，太陽能利用技術(shù)在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場開拓方面都獲得了長足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。硅是地球上儲藏最豐富的材料之一，從19世紀科學家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。晶態(tài)硅又分為單晶硅和多晶硅，它們均具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導電，但導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有半導體性質(zhì)。這項產(chǎn)品使中國能夠開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵制造技術(shù)與單晶爐生產(chǎn)設備，填補了國內(nèi)空白，初步改變了在晶體生長設備領(lǐng)域研發(fā)制造受