參加學(xué)術(shù)講座和學(xué)術(shù)報(bào)告(存儲(chǔ)版)
【正文】 2秒，而在分布式文件系統(tǒng)中各種因素的影響下用時(shí)超過(guò)10秒，就會(huì)嚴(yán)重影響用戶(hù)的使用體驗(yàn)。作為替代，多種新興器件作為下一代NVM器件得到了業(yè)界廣泛的關(guān)注，這其中包括鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FeRAM）、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）、相變隨機(jī)存儲(chǔ)器（PRAM）等。非線(xiàn)性元件一般選擇二極管或者其他有確定非線(xiàn)性度的元件。而簡(jiǎn)單的制備過(guò)程和器件結(jié)構(gòu)也是RRAM被認(rèn)為具有良好的應(yīng)用前景的原因之一?？傮w來(lái)說(shuō)， 這種采用超分辨方法的相變光盤(pán)能提高光盤(pán)的存儲(chǔ)密度，但對(duì)更高要求的存儲(chǔ)密度，即對(duì)小于100nm的記錄點(diǎn)這種方法顯然無(wú)法實(shí)現(xiàn)探測(cè)， 這要用近場(chǎng)超分辨技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。超分辨近場(chǎng)存儲(chǔ)可以探測(cè) 60nm的記錄點(diǎn)，因此可以實(shí)現(xiàn)光盤(pán)的超高密度存儲(chǔ)。超分辨是無(wú)需用減小波長(zhǎng)或增大數(shù)值孔徑的方法減小記錄點(diǎn)尺寸而增加存儲(chǔ)密度的一種方法。金屬電極材料的選擇可以是傳統(tǒng)的金屬單質(zhì)，如Au、Pt、Cu、Al等，而介質(zhì)層材料主要包括二元過(guò)渡金屬氧化物、鈣鈦礦型化合物等，這在后文將會(huì)更加詳細(xì)地討論。無(wú)源矩陣單元相對(duì)而言設(shè)計(jì)比較簡(jiǎn)單，字線(xiàn)與位線(xiàn)在矩陣的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)通過(guò)一個(gè)阻變?cè)约耙粋€(gè)非線(xiàn)性元件相連。硅基flash存儲(chǔ)器作為傳統(tǒng)的NVM器件，已被廣泛投入到可移動(dòng)存儲(chǔ)器的應(yīng)用當(dāng)中。包括響應(yīng)用戶(hù)讀取數(shù)據(jù)文件的請(qǐng)求、定位數(shù)據(jù)文件所在的節(jié)點(diǎn)、讀取實(shí)際硬盤(pán)中數(shù)據(jù)文件的時(shí)間、不同節(jié)點(diǎn)間的數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間以及一部分處理器的處理時(shí)間等。這三種服務(wù)模型各自都存在自身的優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)，沒(méi)有一種服務(wù)模型能夠完全適應(yīng)所有的應(yīng)用負(fù)載，在實(shí)際的應(yīng)用中，它們都各自在合適的領(lǐng)域發(fā)揮自身的優(yōu)點(diǎn)。豐富的數(shù)據(jù)接口可以為應(yīng)用在存儲(chǔ)的接口和協(xié)議方面提供更多的選擇。它可以運(yùn)行在特定的硬件上，在Hypervisor內(nèi)部，或者與虛機(jī)并行，形成真正的超融合架構(gòu)。對(duì)于通用服務(wù)器而言，實(shí)現(xiàn)更高的性能、密度、集成度和能效以及模塊化與組件化則是其重要技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)?；赟DN構(gòu)建云數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)，可實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)與網(wǎng)絡(luò)的解耦，基于對(duì)網(wǎng)絡(luò)的高層抽象，應(yīng)用可通過(guò)編程直接定義網(wǎng)絡(luò)行為；通過(guò)集中的控制平面，實(shí)現(xiàn)對(duì)虛擬接入網(wǎng)絡(luò)層的統(tǒng)一控制，并與計(jì)算、存儲(chǔ)緊密協(xié)同，滿(mǎn)足計(jì)算、存儲(chǔ)資源的移動(dòng)性要求；SDN的開(kāi)放編程特性支持基于網(wǎng)絡(luò)現(xiàn)狀和應(yīng)用需求靈活調(diào)整網(wǎng)絡(luò)流量路徑，成為新型算法、設(shè)備及架構(gòu)創(chuàng)新的孵化器。而實(shí)現(xiàn)物理機(jī)、虛擬機(jī)、應(yīng)用容器統(tǒng)一管理與能力提供的技術(shù)與產(chǎn)品尚處于探索階段。匯集和匯總計(jì)算、存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、安全性等可用性服務(wù)，并交付軟件，通過(guò)智能化的策略驅(qū)動(dòng)的軟件進(jìn)行管理。這種DNA存儲(chǔ)技術(shù)一口氣將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理論極限密度推高了幾個(gè)數(shù)量級(jí)，據(jù)計(jì)算1克重量的單鏈DNA能夠存儲(chǔ)455EB的數(shù)據(jù)(注：1PB=1024TB，1EB=1024PB)，這意味著當(dāng)下全球互聯(lián)網(wǎng)的通信線(xiàn)路中流動(dòng)的數(shù)據(jù)可以全部存儲(chǔ)在1克DNA里面。這也就是說(shuō)，搭建同樣容量的存儲(chǔ)器，MLC結(jié)構(gòu)只需要SLC結(jié)構(gòu)二分之一的晶體管數(shù)量，成本降低到原來(lái)的三分之一，而TLC結(jié)構(gòu)只需要三分之一的晶體管數(shù)量，成本更減少到原來(lái)的五分之一。近年來(lái)，隨著固態(tài)硬盤(pán)的登場(chǎng)，存儲(chǔ)器的傳輸速度、訪(fǎng)問(wèn)延遲均得到大幅改善，但由于閃存顆粒的先天技術(shù)特性所致，其主流產(chǎn)品的P/E(編程/擦除)壽命僅有數(shù)千次左右。研究生（學(xué)術(shù)講座）報(bào)告題 目：參加學(xué)術(shù)講座和學(xué)術(shù)報(bào)告記錄學(xué) 號(hào) M201472687 姓 名 劉鑫偉 專(zhuān) 業(yè) 計(jì)算機(jī)技術(shù) 指 導(dǎo) 教 師 萬(wàn)繼光 院（系、所） 武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室 華中科技大學(xué)研究生院制注意事項(xiàng)一、本表適用于攻讀碩士學(xué)位研究生實(shí)踐課程、選題報(bào)告、學(xué)術(shù)報(bào)告等。在很
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