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電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)范例(存儲版)

2024-08-29 00:34上一頁面

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【正文】 0時(shí)經(jīng)過大量的仿真實(shí)驗(yàn)選取的一組理想的電容電感值,及其此時(shí)的輸出波形。在做設(shè)計(jì)的過程中我學(xué)到了很多東西,也知道了自己的哪些不足之處,知道自己對以前所學(xué)過的知識理解得不夠深刻,掌握得不夠牢固,以后仍需努力。北京:電子工業(yè)出版社 電路設(shè)計(jì)總框圖 降壓斬波主電路的原理圖 電路總框圖二 直流降壓斬波電路主電路模塊2.1 主電路模塊原理直流降壓斬波主電路可使用一個(gè)全控器件IGBT控制導(dǎo)通。當(dāng)電力工作于穩(wěn)態(tài)時(shí)負(fù)載電流在一個(gè)周期的初值和終值相等,負(fù)載電壓的平均值為 Ton為IGBT處于通態(tài)的時(shí)間;Toff為處于斷態(tài)的時(shí)間;T為開關(guān)周期;α為導(dǎo)通占空比。一個(gè)到振蕩器的同步輸入可以使多個(gè)單元成為從電路或一個(gè)單元和外部系統(tǒng)時(shí)鐘同步。(2)振蕩器3525A的振蕩器,除CT、RT端外,增加了放電同步端3。3524的誤差放大器、電流控制器和關(guān)閉控制三個(gè)信號共用一個(gè)反相輸入端,3525A改為增加一個(gè)反相輸入端,誤差放大器與關(guān)閉電路各自送至比較器的反相端。鎖存器由關(guān)閉電路置位,由振蕩器輸出時(shí)間脈沖復(fù)位。為了能適應(yīng)驅(qū)動(dòng)快速的場效應(yīng)功率管的需要,末級采用推拉式電路,使關(guān)斷速度更快。過流保護(hù)動(dòng)作過程是根據(jù)IGBT的CE極間電壓Uce的大小判定是否過流而進(jìn)行保護(hù)的,Uce由二極管Vd7檢測。課程設(shè)計(jì)并沒有想象中的那么順利,其間我們也遇到了很多的困難,但是在大家的討論和老師的幫助下我們還是完成了,這讓我意識到只要我們努力了,就沒有攻不過的難關(guān),而且,對于電力電子技術(shù)的思考,讓我的邏輯思維能力大大提高,思維更加敏捷。在此也感謝老師對我們的指導(dǎo)。它不僅要運(yùn)用電力電子的知識還要我們熟練的掌握Protel的運(yùn)用,這就是理論與實(shí)際的結(jié)合。其主要有三個(gè)工作過程:正常開通過程、正常關(guān)斷過程和過流保護(hù)動(dòng)作過程。組間是相互隔離的。點(diǎn)空比由小到大(50%)變化。它的增益標(biāo)稱值為80dB,其大小由反饋或輸出負(fù)載決定,輸出負(fù)載可以是純電阻,也可以是電阻性元件和電容的元件組合。它供電給所有內(nèi)部電路,同時(shí)又可作為外部基準(zhǔn)參考電壓。輸出級是推挽式的可以提供超過200mA的源和漏電流。1%,誤差放大器有一個(gè)輸入共模電壓范圍。為了使負(fù)載電流連續(xù)且脈動(dòng)小,故串聯(lián)L值較大的電感??刂齐娐纺K,可用SG3525來控制IGBT的開通與關(guān)斷。[1]王兆安,(第四版). 機(jī)械工業(yè)出版社,2000[2]康華光,(第四版). 高等教育出版社,1998[3]李國勇,謝克明,(第二版).[北京]:電子工業(yè)出版社,2008[4]施曉紅,.[北京]:北京大學(xué)出版社,1999[5] DXP電路設(shè)計(jì)快速入門.[北京]:中國鐵道出版社,200[6 ]何希才、毛德柱編著.它不僅鞏固了我以前所學(xué)的理論知識,更使我們知道了由理論結(jié)合實(shí)踐的基本方法,鍛煉了自己解決實(shí)際問題的能力。%圖311 圖312 ,基本上符合理論計(jì)算: %圖221 圖322 ,基本上符合理論計(jì)算: %圖332 ,基本上符合理論計(jì)算: %圖341 圖342 ,基本上符合理論計(jì)算%圖351 圖352 ,基本上符合理論計(jì)算在占空比為50%時(shí),輸出電壓可以看到負(fù)載兩端的電壓與輸入電壓基本上成2倍的關(guān)系。類似的電容C選擇,經(jīng)常由紋波電流的大小決定。器件直接串接快速熔斷器才對元件的保護(hù)作用最好,因?yàn)樗鼈兞鬟^同—個(gè)電流.因而被廣泛使用。為了達(dá)到保護(hù)效果,可以使用阻容保護(hù)電路來實(shí)現(xiàn)。電力MOSFET的工作原理是:在截止?fàn)顟B(tài),漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零。當(dāng)13腳控制信號為低電平時(shí),芯片工作于單端狀態(tài),功率輸出管Q1和Q2 均由或非門的前一級與門控制,為得到更高的驅(qū)動(dòng)電流輸出,可將Q1 和Q2 并聯(lián)使用。該式也是最優(yōu)參數(shù)選擇的依據(jù)。因?yàn)殡娙軨的值很大,基本保持輸出電壓U0為恒值。直流斬波電路由電源、變壓器、整流電路、濾波電路、主電路、控制和驅(qū)動(dòng)電路及保護(hù)電路組成。MOSFET的通斷用PWM控制,用PWM方式來控制MOSFET的通斷需要使用脈寬調(diào)制器TL494來產(chǎn)生PWM控制信號。線性電源(Linear power supply)是先將交流電經(jīng)過變壓器降低電壓幅值,再經(jīng)過整流電路整流后,得到脈沖直流電,后經(jīng)濾波得到帶有微小波紋電壓的直流電壓。一,線性直流電源。由于這些電路中都需要直流電源,所以這部分由以前所學(xué)模擬電路知識可以由整流器解決。因此,一個(gè)完整的降壓斬波電路也應(yīng)包括主電路,控制電路,驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路這些環(huán)節(jié)。當(dāng)可控開關(guān)S處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),電源E向電感L充電,充電電流基本恒定為I1,同時(shí)電容C上的電壓向負(fù)載R供電。另外,當(dāng)=時(shí),=0,可求得持續(xù)的時(shí)間,即 當(dāng)時(shí),電路為電流斷續(xù)工作狀態(tài),是電流斷續(xù)的條件,即 根據(jù)上式可對電路的工作狀態(tài)做出判斷。功率輸出管Q1 和Q2 受控于或非門,當(dāng)13腳控制信號為高電平時(shí),調(diào)制脈沖交替輸出至兩個(gè)輸出晶體管Q1 和Q2 ,輸出頻率等于脈沖振蕩器的一半。電力MOSFET的種類按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道,圖16所示為N溝道結(jié)構(gòu)。總電路設(shè)計(jì)圖圖(211)(1)過電壓保護(hù)過壓保護(hù)要根據(jù)電路中過壓產(chǎn)生的不同部位,加入不同的保護(hù)電路,當(dāng)
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