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正文內(nèi)容

電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)范例-文庫(kù)吧在線(xiàn)文庫(kù)

  

【正文】 達(dá)到—定電壓值時(shí),自動(dòng)開(kāi)通保護(hù)電路,使過(guò)壓通過(guò)保護(hù)電路形成通路,消耗過(guò)壓儲(chǔ)存的電磁能量,從而使過(guò)壓的能量不會(huì)加到主開(kāi)關(guān)器件上,保護(hù)了電力電子器件。過(guò)電流保護(hù)電路如圖213所示,其中交流側(cè)接快速熔斷器能對(duì)晶閘管元件短路及直流側(cè)短路起保護(hù)作用。另外,等效串聯(lián)電阻上的壓降會(huì)產(chǎn)生輸出紋波電壓,要減小這些紋波電壓只能靠減少等效串聯(lián)電阻的值和動(dòng)態(tài)電流的值。即 (V) 負(fù)載不變?yōu)?00,頻率1KHz,占空比從5%到45%以等百分比遞增時(shí),輸出電壓,與輸入電壓和電路參數(shù)之間的關(guān)系。所以在設(shè)計(jì)時(shí)要綜合考慮多方面的因素來(lái)選取合適的電感電容值!元器件列表器件名稱(chēng)規(guī)格型號(hào)數(shù)量(單位)變壓器300KV/A1個(gè)整流二極管IN40046個(gè)大電感700mH2個(gè)MOSFET200V/1A1個(gè)電阻500Ω,各1個(gè)電阻10KΩ,10Ω各2個(gè)芯片TL4941塊二極管IN41483個(gè)電容,100μF各2個(gè)設(shè)計(jì)心得此次課程設(shè)計(jì),從理論到實(shí)踐,在短短一星期的時(shí)間里,我遇到了很多問(wèn)題,也學(xué)到了很多東西。北京:電子工業(yè)出版社的大小。近似為零,負(fù)載電流指數(shù)曲線(xiàn)下降。177。當(dāng)VCC低于標(biāo)稱(chēng)值時(shí)欠電壓鎖定禁止輸出和改變軟起動(dòng)電容器。分立的振蕩器同步腳.SG3525內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作特性(1)基準(zhǔn)電壓調(diào)整器,50mA,有短路電流保護(hù)的電壓調(diào)整器。(3)誤差放大器誤差放大器是差動(dòng)輸入的放大器。該電容由內(nèi)部Vref的50μA恒流源充電。(8)輸出級(jí)由兩個(gè)中功率NPN管構(gòu)成,每管有抗飽和電路和過(guò)流保護(hù)電路,每組可輸出100mA。 SG3525構(gòu)成的控制電路圖四 驅(qū)動(dòng)電路模塊 驅(qū)動(dòng)芯片EXB841的控制原理  圖1為EXB841的驅(qū)動(dòng)原理。 EXB841驅(qū)動(dòng)電路圖參考文獻(xiàn)1.《電力電子技術(shù)》第4版 機(jī)械工業(yè)出版社 王兆安 黃俊 主編;2.《電力電子技術(shù)題例與電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)》機(jī)械工業(yè)出版社 1998 石玉 栗書(shū)賢 ;3.《電力電子技術(shù)》 高等數(shù)學(xué)出版社 2000 浣喜明 姚為正;4.《電力電子技術(shù)應(yīng)用》第三版 機(jī)械工業(yè)出版社 2000 莫正康;5.《電力電子電路精選》機(jī)械工業(yè)出版社1996 鄭瓊林 耿學(xué)文;6.《畢業(yè)設(shè)計(jì)指導(dǎo)》機(jī)械工業(yè)出版社 1995 劉祖潤(rùn) 胡俊達(dá);7.《電力電子技術(shù)及電力拖動(dòng)自動(dòng)控制系統(tǒng)》 校內(nèi) 1999 劉星平;致謝 做過(guò)很多次各科的課程設(shè)計(jì)了,但是這次的課程設(shè)計(jì)給我的印象最深。設(shè)計(jì)雖然是辛苦的,但是獲得的比我付出的更多。同時(shí)讓我培養(yǎng)了一種透過(guò)部分聯(lián)系全篇的思路,鍛煉了我辦事的能力,做事效率提高了很多。當(dāng)IGBT開(kāi)通時(shí),若發(fā)生負(fù)載短路等發(fā)生大電流的故障,Uce會(huì)上升很多,使得Vd7截止,EXB841的6腳“懸空”,B點(diǎn)和C點(diǎn)電位開(kāi)始由約6V上升,當(dāng)上升至13V時(shí),Vz1被擊穿,V3導(dǎo)通,C4通過(guò)R7和V3放電,E點(diǎn)的電壓逐漸下降,V6導(dǎo)通,從而使IGBT的GE間電壓Uce下降,實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷,完成EXB841對(duì)IGBT的保護(hù)。11端(或14端)的拉電流和灌電流,達(dá)100mA。這樣,當(dāng)關(guān)閉電路動(dòng)作,即使過(guò)流信號(hào)立即消失,鎖存器也可維持一個(gè)周期的關(guān)閉控制,直到下一周期時(shí)鐘信號(hào)使倘存器復(fù)位為止。這樣避免了彼此相互影響。RT阻值決定了內(nèi)部恒流值對(duì)CT充電,CT的放電則由7端之間外接的電阻值RD決定。在CT和放電腳之間用單個(gè)電阻器連接即可對(duì)死區(qū)時(shí)間進(jìn)行大范圍的編程。通過(guò)調(diào)節(jié)占空比α使輸出到負(fù)載的電壓平均值U。用控制電路和驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制IGBT的開(kāi)斷,當(dāng)t=0時(shí),驅(qū)動(dòng)IGBT導(dǎo)通,電源E向負(fù)載供電,負(fù)載電壓u。[致 謝由于本人的經(jīng)驗(yàn)不足,在此次課程設(shè)計(jì)過(guò)程中出現(xiàn)了很多問(wèn)題,是在同學(xué)的幫助下完成的,在此,感謝老師和各位幫助我的同學(xué)。通過(guò)這次課程設(shè)計(jì),看到了自己的不足之處,同時(shí)也鍛煉了自己將理論知識(shí)運(yùn)用到實(shí)際中的能力,加強(qiáng)了自己的實(shí)際運(yùn)用能力,也學(xué)會(huì)了怎么樣去分析問(wèn)題和解決問(wèn)題。經(jīng)大量仿真結(jié)果比較分析可得,當(dāng)L =10e3H、C=10e3F是波形的快速性和直流穩(wěn)定性比較理想。從改善動(dòng)態(tài)特性看,可考慮小電感量、大電容值。TL494停止工作,即可起到過(guò)壓保護(hù)作用。圖212 RC阻容過(guò)電壓保護(hù)電路圖(2)過(guò)電流保護(hù) 當(dāng)電力電子電路運(yùn)行不正?;蛘甙l(fā)生故障時(shí),可能會(huì)發(fā)生過(guò)電流。圖(29) 內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖 圖(210)電氣圖形符號(hào)MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間在10~100ns之間,工作頻率可達(dá)100kHz以上,是電力電子器件中最高的??刂菩盘?hào)由集成電路外部輸入,一路送至死區(qū)時(shí)間比較器,一路送往誤差放大器的輸入端。其中2腳是誤差放大器I的同相和反相輸入端;3腳是相位校正和增益控制;4腳為死區(qū)時(shí)間比較器,具有120mV的輸入補(bǔ)償電壓,它限制了最小輸出死區(qū)時(shí)間約等于鋸齒波周期的4%,當(dāng)輸出端接地,最大輸出占空比為96%,而輸出端接參考電平時(shí),占空比為48%。其主要特性如下:。電感的選擇根據(jù)電感最大貯能值0. 5 L I I 確定電感峰值電流Imax = Io + 2 VoToff / L(Toff 為關(guān)斷時(shí)間),匝數(shù)N應(yīng)進(jìn)行取整,當(dāng)匝數(shù)少電流大時(shí),應(yīng)盡量避免取半匝的情況。與交流電壓的有效值的關(guān)系為:;在整流電路中,每只二極管所承受的最大反向電壓為:;流過(guò)每只二極管的平均電流為: 整流電路設(shè)計(jì)如下:圖(23)假設(shè)L和C值很大。
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