浙大材料科學基礎課件part(存儲版)
【正文】 und.(S在面心格點上和Zn在面心格點上)和以[ZnS4]四面體表示的結構圖Error! Reference source not found.）和纖鋅礦（六方ZnS，兩套簡六方錯位(0 0 5/8)， Error! Reference source not [ZnS4]四面體表示的結構圖Error! Reference source not found.），有極性共價鍵，是共價晶體的兩種典型結構方石英結構：共價晶體SiO2的一種變體，立方ZnS結構，如Error! Reference source not , 動畫2鱗石英結構：共價晶體SiO2的一種變體，六方ZnS結構，如Error! Reference source not found.三、離子晶體（一）離子堆積與泡林規(guī)則 離子鍵合特性：不具方向性，離子晶體結構：負離子規(guī)則地在空間密堆積；正離子有規(guī)律地分布在空隙中堆積條件：負離子之間不重疊，但又與中心的正離子相接觸。即同一晶體中,不同組成的構造亞單元數(shù)趨于最少（二）典型離子晶體結構分析離子晶體表示：根據(jù)正、負離子的不同及根據(jù)正離子所含種類的多少，可以有AmXn、ABmXn等。Error! Reference source not 據(jù)第一規(guī)則，預計正離子配位數(shù)8。其它硅酸鹽礦物也都是在氧化硅的基礎上發(fā)展起來的，簡單說，硅酸鹽礦物是氧化硅中的Si被其它元素取代后的變體，具有不同的晶型結構。 取代必須與現(xiàn)有配位數(shù)結構相容Ca2+174。如Error! Reference source not ，五元環(huán)還沒發(fā)現(xiàn)。層狀硅酸鹽分類：具水鎂石（Mg(OH)2）調節(jié)層稱三八面體硅酸鹽，∵全部八面體位被Mg填；具水鋁礦（Al(OH)3）調節(jié)層稱二八面體硅酸鹽，∵2/3八面體位被Al填。含有層間陽離子：層內過剩取代（層內四面體位用Al3+離子取代1/4Si4+離子，K+或Na+填入層間以平衡電荷，每單位Si4O10單元有一過剩陰離子。這個四面體原始層通常與調節(jié)層水鎂石（Mg(OH)2）和水鋁礦（Al(OH)3）鍵合。SiO4——礦物：鋁硅酸鹽(iii) 四價陽離子（Zr4+，Th4+…）通式：R4+SiO4—礦物：鋯英石礦，其結構如Error! Reference source not (iv) 復合離子通式：R2+3R3+2(SiO4)3——礦物：柘榴石通式：R3+2(OH,F)2SiO4 [Al2(F2)SiO4或Al2(F,OH)2SiO4]—礦物：黃玉礦考慮上述情況判據(jù)式為：焦硅酸鹽：每兩個SiO4四面體只存在一個橋氧，結構特征：SiO7為島單元的硅酸鹽。結構通式： Rx+ySizOn典型例子：硅鈹石（Be2SiO4）和鋯英石（ZrSiO4）結構（相關于化學式的）判據(jù)：（或 ）焦硅酸鹽結構：每個四面體與鄰近一個四面體相連，每個四面體給出3價電荷，判據(jù)式：單鏈硅酸鹽結構：每個四面體與鄰近兩個四面體相連，每個四面體給出2價電荷，判據(jù)式：典型例子：頑輝火石(MgSiO3)和正鐵硅酸鹽（FeSiO3）雙鏈硅酸鹽結構：層狀硅酸鹽結構：骨架狀硅酸鹽結構：影響實際硅酸鹽晶體結構的其它因素：調節(jié)陽離子的電荷及配位數(shù)，O2離子與陽離子的鍵合形式，以及陽離子或陰離子的同晶（類晶）取代。硅酸鹽結構是多種多樣的，如氧化硅具有多型性，典型的就是方石英（Error! Reference source not found.）和鱗石英（Error! Reference source not found.）。據(jù)第一規(guī)則，B處在四面體或八面體間隙中；據(jù)第三規(guī)則，Ti離子的氧八面體共角堆積，其中Ti離子的八面體配位（即氧八面體），如Error! Reference source not ；據(jù)第四規(guī)則，A必需僅被X全部包圍（因為有二種陽離子）；由于Ba2+()和O2()尺寸非常接近，A和X一起形成密堆（AX和AX2即使?jié)M足A僅被X全部包圍也不可能排成最緊密堆積）。第四規(guī)則：高電價和低配位數(shù)的正離子,有盡可能遠離的趨向；其配位
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