新一代層疊封裝(pop)的發(fā)展趨勢(存儲版)
【正文】 方向都會改變，例如圖8中在回流溫度260C時的翹曲，當(dāng)芯片為5mm時翹曲方向是凸形正90 181。原因是不同大小的芯片翹曲方向有可能不同。圖 10 顯示了使用4層板和2層板的封裝在翹曲上的差別。圖11顯示了一例基板設(shè)計(jì)時公差控制的影響。圖 11. 基板各層公差控制對封裝翹曲的影響基于類似的原因，我們發(fā)現(xiàn)，基板變薄后，不同基板廠商生產(chǎn)流程控制差異所造成的成品基板差異也變得更加明顯，必須加以更嚴(yán)格的控制。圖 13 顯示的是來自不同供應(yīng)商的裸基板在封裝之前其自身的翹曲比較。m降至80181。m （凸形）變?yōu)楦邷?60C下的負(fù)40 181。為此新的PoP技術(shù)例如穿塑孔TMV等因應(yīng)而生，新一代超低CTE基板和超高CTE塑封材料等也開發(fā)迅猛，以降低因超薄化引起的封裝翹曲。（4） 芯片超薄化后也會使裸芯片本身出現(xiàn)顯著的翹曲問題。圖 14. 裸芯片的翹曲7 總結(jié)本文論述了新一代疊層封裝（PoP）的發(fā)展趨勢。圖中數(shù)據(jù)表明50 181。圖 13. 裸基板封裝前本身的翹曲比較封裝薄化之后，基板對設(shè)計(jì)公差及供應(yīng)商生產(chǎn)流程的差異都變得更加敏感。而即使是同一供應(yīng)商A，不同的生產(chǎn)流程控制也會造成翹曲差異。m，達(dá)到了客戶指標(biāo)要求。傳統(tǒng)基板使用很厚的核，核在整個基板的機(jī)械性能上起主導(dǎo)作用，所以設(shè)計(jì)公差的影響并不明顯。5 基板薄化對翹曲的影響在基板設(shè)計(jì)時，可選擇采用不同的層數(shù)和厚度。另一方面，也不是說芯片越小翹曲就會越小，如設(shè)計(jì)或材料選擇搭配不當(dāng)，小芯片封裝會比大芯片封裝的翹曲更大。根據(jù)業(yè)界慣例，正值翹曲表示翹曲為凸形，而負(fù)值翹曲表示翹曲為凹形，如圖中所示。m。圖6顯示了基板核（Core）以及塑封（EMC）的熱膨脹系數(shù)（CTE）的發(fā)展趨勢。穿塑孔技術(shù)彌補(bǔ)了這一缺點(diǎn)。圖4顯示了基板（substrate）和塑封（EMC）厚度的薄化趨勢。這些都使得封裝難以采用傳統(tǒng)的統(tǒng)一的材料系統(tǒng)，而必須定制優(yōu)化。在這篇文章中，我們將介紹翹曲控制方面的發(fā)展趨勢。圖 1. 傳統(tǒng)PoP （Package on Package）封裝技術(shù)的進(jìn)一步超薄化使得封裝翹曲成為一大問題。通常，系統(tǒng)公司分別購買底層封裝元件和上層封裝元件，并在系統(tǒng)板組裝過程中將它們焊接在一起。關(guān)鍵詞: 層疊封裝。新一代層疊封裝（PoP）的發(fā)展趨勢 20150206 安靠上海 安靠上海 微信號 amkorsh 功能介紹 安靠科技是全球第二大半導(dǎo)體封裝測試供應(yīng)商，安靠中國即安靠封裝測試（上海）有限公司位于外高橋自貿(mào)區(qū)，是中國領(lǐng)先的半導(dǎo)體封測企業(yè)之一。另外，基板變薄后，來自不同供應(yīng)商的基板可能出現(xiàn)不同的封裝翹曲反應(yīng)，需要加強(qiáng)對基板設(shè)計(jì)公差及供應(yīng)鏈的管控。PoP由上下兩層封裝疊加而成，底層封裝與上層封裝之間以及底層封裝與母板（Motherboard）之間通過焊球陣列實(shí)現(xiàn)互連。本文將介紹分析這一領(lǐng)域的最新發(fā)展趨勢。因此，各種新的技術(shù)和材料不斷出現(xiàn)，用以降低封裝的翹曲。另一方面，有時客戶為了提高IC制造良率和產(chǎn)出
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