新一代層疊封裝(pop)的發(fā)展趨勢-全文預覽
【正文】 估。原因是不同大小的芯片翹曲方向有可能不同。m以下）。不同尺寸的芯片封裝后翹曲相差非常大，甚至翹曲的方向都會改變，例如圖8中在回流溫度260C時的翹曲，當芯片為5mm時翹曲方向是凸形正90 181。這些翹曲數值是通過莫爾條紋投影儀（shadow moir233。整個封裝大小尺寸為12mm。表 1 中所列為試驗設計參數。原來標準的基板核熱膨脹系數一般在15~17ppm左右，然后出現了CTE在9~12ppm之間的低CTE基板核，現在CTE在5~7ppm間的超低基板核也已相當普及，最新一代的已接近2~4ppm。這樣整個封裝的高度可以進一步降低，但翹曲相對也會增加一些。穿塑孔技術具有一些顯著優(yōu)點。在封裝技術上，相繼出現了裸芯倒裝的底層封裝（PSfcCSP）和穿塑孔技術（TMV, ThroughMoldVia），見圖5。至于芯片本身。在間距縮小，焊球直徑減小的情況下，這一高度要求難以達到，必須開發(fā)新的技術。不遠的將來。這使得封裝材料也應隨之而改變，優(yōu)化。2 層疊封裝（PoP）的發(fā)展趨勢新一代層疊封裝的發(fā)展趨勢可以概括為：（1） IC集成度進一步提高，芯片尺寸不斷加大，芯片尺寸與封裝尺寸比例不斷提高，使得封裝翹曲也隨之增加。超薄化的趨勢使得翹曲問題更加突出，成為一個阻礙未來PoP薄化發(fā)展的瓶頸。當整個封裝經歷溫度變化時，例如從封裝過程時的高溫降到室溫，由于各種材料的熱膨脹系數不同，伸縮不一致，從而導致封裝產生翹曲，圖2 簡易地說明了這一原理。隨著集成度及電性能要求的進一步提高，以及超薄化的需求，PoP封裝技術也不斷發(fā)展創(chuàng)新，開始進入新的一代。同傳統(tǒng)的三維芯片疊加技術相比，PoP結構尺寸雖稍大，但系統(tǒng)公司可以擁有更多元件供應商，并且由于PoP底層和上層的元件都已經過封裝測試，良率有保障，因此PoP的系統(tǒng)集成既有供應鏈上的靈活性，也有成本控制的優(yōu)勢。層疊封裝（PoP, PackageonPackage, 見圖 1）就是針對移動設備的IC封裝而發(fā)展起來的可用于系統(tǒng)集成的非常受歡迎的三維疊加技術之一。 裸芯片穿塑孔。傳統(tǒng)的通用封裝方案已不再適用，需要根據芯片設計及應用，對封裝設計，材料等因素加以優(yōu)化，才能滿足翹曲控制要求。林偉(安靠封裝測試, 美國）摘要: 便攜式移動設備是當今半導體集成電路行業(yè)的主要發(fā)展動力。安靠中國公眾賬號將為大家定期提供業(yè)內新聞與概況，重要新聞與知識，勵志短文，及大家和員工可能需要的其他信息。超薄封裝的翹曲大小及方向與芯片尺寸，基板和塑封層厚度，以及材料特性密切相關。穿塑孔。集成電路封裝技術也隨之出現了新的趨勢，以應對移動設備產品的特殊要求，如增加功能靈活性，提高電性能，薄化體積，降低成本和快速面世，等。層疊封裝的底層封裝一般是基帶元件，或應用處理器等，而上層封裝可以是存儲器等。如，基帶芯片和應用處理器芯片可以集成在PoP的底層封裝里，等等。封裝中使用了各種不同的材料，如芯片，基板，塑封等，這些材料具有不同的熱膨脹系數（CTE，Coeff
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1