嘉應(yīng)學(xué)院電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料(存儲版)
【正文】 α為 (C)度時(shí)，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形，處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。D、120度。 D、180176。只要給門極加上觸發(fā)電壓，晶閘管就導(dǎo)通。 （√）1普通單向晶閘管不能進(jìn)行交流調(diào)壓。 （）整流1應(yīng)急電源中將直流電變?yōu)榻涣麟姽粽彰?，其電路中發(fā)生的“逆變”稱有源逆變。） 單相半波可控整流電路224。 （ ）晶閘管承受陽極和陰極最大電壓線電壓，最大反向電壓為變壓器二次線電壓峰值√2 X √3 U23三相全控橋整流電路中，輸出電壓的脈動(dòng)頻率為150Hz。 （ ）2直流斬波電路只能實(shí)現(xiàn)降低輸出直流電壓的作用 （ ）實(shí)現(xiàn)提高直流有效輸出電壓無源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能回送給電網(wǎng)。） 當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí)，僅在門極有觸發(fā)電流情況下晶閘管才導(dǎo)通。主要對換相重疊角估計(jì)不足，使換相時(shí)間小于晶閘管關(guān)斷時(shí)間。（（1絕緣柵雙極型晶體管具有電力場效應(yīng)晶體管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)。 （√）晶閘管并聯(lián)使用須采取“均壓措施”。 （）陽極A，陰極K和門極G只要讓加在晶閘管兩端的電壓減小為零，晶閘管就會關(guān)斷。 B、120176。B、60度。 C ＜90176。A 一個(gè)， B 兩個(gè)， C 三個(gè)， D 四個(gè)。3壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要是用來（C）。時(shí)，整流電路的輸出是(B) C . 當(dāng)a≤60o時(shí)輸出波形為正；當(dāng)60oa90o時(shí)，由于L自感作用，瞬時(shí)出現(xiàn)負(fù)值，但正面積大于負(fù)面級；當(dāng)a=90o時(shí)，正負(fù)面積相等，輸出電壓為0。（B）關(guān)斷狀態(tài) （D）單相逆變20．當(dāng)晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不論門極加何種極性觸發(fā)電壓，管子都將工作在(B)。（D） U217．功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為(B)。（D）增大正弦調(diào)制波幅度14．可在第一和第四象限工作的變流電路是(A)。（A）增大三角波幅度（B）α以及負(fù)載電流Id（C）α和U2～90176。 （A）U2（A）導(dǎo)通狀態(tài) ，并說明其局限性?！ ?、中間直流電路和逆變電路構(gòu)成，目前中小容量的逆變器基本采用PWM控制。第6章填空題： ；直流斬波電路得到的PWM波是等幅的，SPWM波得到的是不等幅的?！ ?，從大的方面，換流可以分為兩類，即外部換流和自換流，進(jìn)一步劃分，前者又包括電網(wǎng)換流和負(fù)載換流兩種換流方式，后者包括器件換流和強(qiáng)迫換流兩種換流方式。當(dāng)電路工作于穩(wěn)態(tài)時(shí)，一個(gè)周期T中電感L上積蓄的能量和釋放的能量相等，即 EI1ton=（u0E）I1toff化簡得 u0=(ton+toff)/toff*E=T/toff*E式中T/toff≥1，輸出電壓高于電源電壓，故稱該電路為升壓斬波電路?！ ??！ 。軌?qū)崿F(xiàn)有源逆變的有單相全控、三相橋式全控整流電路等（可控整流電路均可），其工作在有源逆變狀態(tài)的條件是要有直流電動(dòng)勢，其極性需與晶閘管的導(dǎo)通方向一致，其值應(yīng)大于變流器直流側(cè)的平均電壓和要求晶閘管的控制角ap /2,使ud為負(fù)值。變化時(shí)，整流輸出的電壓ud的諧波幅值隨 a 的增大而增大，當(dāng) a 從90176?！ ?，在單相半波可控整流帶阻感負(fù)載并聯(lián)續(xù)流二極管的電路中，晶閘管控制角α的最大移相范圍是180o，其承受的最大正反向電壓均為√2U2，續(xù)流二極管承受的最大反向電壓為√2U2（設(shè)U2為相電壓有效值）?！?？如題圖133所示，GTR帶電感性負(fù)載時(shí)，如果不接二極管VD會產(chǎn)生什么問題？有了二極管VD是否還要加緩沖電路呢？GTR工作時(shí)不僅不能超過最大電壓Ucem，集電極最大電流Icm和最大耗散功率Pcm，也不能超過二次擊穿臨界線。，以便與功率晶體管的開關(guān)時(shí)間相配合。，電力電子器件功率損耗主要為_通態(tài)損耗_，而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為_開關(guān)損耗。（IL=2~4IH），UDRM_小于_Ubo。，可將電力電子器件分為電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng) 兩類。：電力二極管（Power Diode）、晶閘管（SCR）、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）、電力晶體管（GTR）、電力場效應(yīng)管（電力MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）中，屬于不可控器件的是_電力二極管_，屬于半控型器件的是_晶閘管_，屬于全控型器件的是GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）、電力MOSFET（電力場效應(yīng)管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）；屬于單極型電力電子器件的有電力MOSFET（電力場效應(yīng)管），屬于雙極型器件的有晶閘管（SCR）、GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）、電力二極管，屬于復(fù)合型電力電子器件得有IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）；在可控的器件中，容量最大的是GTO（門極可關(guān)斷晶閘管），工作頻率最高的是IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），屬于電壓驅(qū)動(dòng)的是電力MOSFET（電力場效應(yīng)管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），屬于電流驅(qū)動(dòng)的是晶閘管（SCR）、GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）、電力二極管。有了二極管VD還要加緩沖電路，以抑制電力電子器件過電壓降低du/dt?。?1所示?！ ?，單相橋式全控整流電路的波形與單相全波可控整流電路的波形基本相同，只是后者適用于低輸出電壓的場合?！ ?，設(shè)交流側(cè)電抗為零，直流電感L為足夠大。簡答題：、三相橋式全控整流電路中，當(dāng)負(fù)載分別為電阻負(fù)載或電感負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍分別是
教學(xué)教案相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1