襯底制備ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 ③ 作為硅片裝架的接觸位置 ， 可減少硅片損耗； （次定位面，次標(biāo)志面） 識(shí)別晶向和導(dǎo)電類型 晶面標(biāo)識(shí) 晶面標(biāo)識(shí) 晶片加工 ? 切片、磨片、拋光 1. 切片 ? 將已整形 、 定向的單晶用切割的方法加工成符合一定要求的單晶薄片 。 2） 不需攪拌； 3） 表面無損傷 。 晶片加工 ② 化學(xué)拋光（化學(xué)腐蝕） 典型配方： HF:HNO3:CH3COOH=1:3:2(體積比 ) 3Si+4HNO3+18HF=3H3SiF6+4NO↑+8H2O 注意腐蝕溫度： t=3050℃ ,表面平滑； t25℃ , 表面不平滑。 ? 晶體定向的方法 （ 參考李乃平 ） ① 腐蝕：要定向的晶面經(jīng)研磨 、 腐蝕 ， 晶面上出現(xiàn)許多由低指數(shù)小平面圍成 、 與晶面具有一定對(duì)應(yīng)關(guān)系的小腐蝕坑； ②光照：利用這些小腐蝕坑的宏觀對(duì)稱性，正入射平行光反映出不同的圖像，從而確定晶面 。cm） ； ⑤成本高。 第一章 襯底制備 起始材料 石英巖 （ 高純度硅砂 SiO2） ① SiO2+SiC+C→Si(s)+SiO(g)+CO(g), 冶金級(jí)硅： 98%； ② Si(s)+3HCl(g) →SiHCl3(g)+H2， 三氯硅烷室溫下呈液態(tài) （ 沸點(diǎn)為 32℃ ） ， 利用分 餾法去除雜質(zhì)； ③ SiHCl3(g)+ H2→Si(s)+ 3HCl(g)， 電子級(jí)硅 （片狀多晶硅）。 ? 切片基本決定了晶片的晶向 、 平行度 、 彎曲度 ，切片損耗占 1/3。 ? 缺點(diǎn)：平整度差
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