局部腐蝕二ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 3）雜質(zhì)與溶質(zhì)原子在晶界區(qū)偏析； 4）晶界區(qū)原子排列雜亂，位錯(cuò)密度高； 5）新相析出或轉(zhuǎn)變，造成晶界處較大的內(nèi)應(yīng)力。 原因歸于晶界吸附溶質(zhì) P等產(chǎn)生電化學(xué)侵蝕而造成 晶界吸附性溶解 所致。（ 2）添加少量穩(wěn)定化元素。 18Cr9Ni不銹鋼晶界 Cr23C6沉積與晶間腐蝕之間的關(guān)系（ %C， 1250℃ 固溶， CuSO4H2SO4溶液） 晶間腐蝕的控制措施 科學(xué)地合金化設(shè)計(jì)及合理地實(shí)施熱處理工藝，避免晶界沉淀相析出或有害雜質(zhì)元素的晶界吸附。 晶間腐蝕的機(jī)理 第二相析出理論 晶界 б相（ FeCr 的金屬間化合物，含 Cr為 18%～ 54% ）析出促進(jìn)晶間腐蝕最具代表性，用于解釋 低碳 或 超低碳不銹鋼 晶間腐蝕敏感性。1— 總腐蝕速率；2— 局部腐蝕深度 縫隙腐蝕的控制措施（ 1）合理設(shè)計(jì)： 應(yīng)盡可能避免造成縫隙結(jié)構(gòu)，如焊代鉚 （ 2）合理選擇耐蝕性材料 （ 3）采取電化學(xué)保護(hù)措施 （ 4） 謹(jǐn)慎 采用緩蝕劑 晶間腐蝕 晶間腐蝕的特征 （ 1）現(xiàn)象 ：圖示（ 2）定義 ： 晶間腐蝕（ Intergranular Corrosion）是金屬在適宜的腐蝕環(huán)境中沿著或緊挨著材料的晶粒間界發(fā)生和發(fā)展的局部腐蝕破壞形態(tài) 。高于 95%時(shí)，絲充分寬化，以致造成涂層鼓泡。 特殊形式的縫隙腐蝕 —— 絲狀腐蝕（ 3）產(chǎn)生條件 ：1） 較高的相對濕度 金屬發(fā)生絲狀
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1