局部腐蝕二ppt課件(完整版)
【正文】 機理引發(fā)絲狀腐蝕依靠腐蝕介質(zhì)的滲透：（ 1）活性端金屬離子 促進水的驅(qū)入 （ 2）非活性端氧擴散，形成 氧濃差電池（ 3）頭部 小陽極 /軀干與尾部 大陰極（ 4） Cl的內(nèi)遷與氯化物水解， 閉塞電池效應(yīng) 。 貧化理論 （ 1）奧氏體不銹鋼為例：出廠經(jīng)過 1050～ 1150℃ 加熱及淬火處理，獲得含碳量高（如 Cr18Ni9Ti中碳的固溶度約為 %）的過飽和固溶體（固溶處理）。L1 Cr+6溶液中的晶間腐蝕的影響 特殊的晶間腐蝕 —— 鋁合金的剝離腐蝕 軋制或鍛壓形成的鋁型材有 織構(gòu)現(xiàn)象。（ 3）采用合理的熱處理工藝，如對于加入穩(wěn)定化元素 Ti、 Nb的奧氏體不銹鋼，應(yīng)在 850～ 900℃ 下進行穩(wěn)定化處理，避免快速析出 (CrFe)23C6的 600～750℃ 的敏化溫度。（ 4）恰當(dāng)?shù)乜刂凭Я６?，使晶粒合理地細化? 晶間腐蝕的影響因素 （ 1）冶金因素的影響： 不銹鋼隨碳含量的增加而增大； Cr、 Mo含量增大，可降低碳的活度；加入與 C親和力強的 Ti、 Nb，能夠優(yōu)先于 Cr而與 C結(jié)合成碳化物 TiC、 NbC降低敏感性。（在 500～ 700℃ 下， Cr18Ni9Ti中碳的固溶度僅為 %） 晶間腐蝕的機理 貧化理論 不銹鋼敏化態(tài)晶界析出示意圖 晶界碳化物附近碳和鉻濃度分布示意圖 碳在奧氏體中擴散速度遠大于鉻的擴散速度。 縫隙腐蝕與點蝕的比較相同點：發(fā)展階段的機理基本一致 ——
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