局部腐蝕二ppt課件(留存版)
【正文】 度；（ 2）選擇恰當(dāng)?shù)臒崽幚砉に?，避免晶界形成連續(xù)網(wǎng)狀的沉積相；（ 3）添加能夠阻止晶界析出沉積相的元素或改變沉積相性質(zhì)的元素；（ 4）細(xì)化晶粒，使沉積相分散化。晶界缺陷多，擴(kuò)散快。 特殊形式的縫隙腐蝕 —— 絲狀腐蝕（ 3）產(chǎn)生條件 ：1） 較高的相對(duì)濕度 金屬發(fā)生絲狀腐蝕的相對(duì)濕度范圍為 60%～ 95%，相對(duì)濕度在 80%～ 85%時(shí)通常最易引發(fā)絲狀 腐蝕。1— 總腐蝕速率；2— 局部腐蝕深度 縫隙腐蝕的控制措施（ 1）合理設(shè)計(jì)： 應(yīng)盡可能避免造成縫隙結(jié)構(gòu)，如焊代鉚 （ 2）合理選擇耐蝕性材料 （ 3）采取電化學(xué)保護(hù)措施 （ 4） 謹(jǐn)慎 采用緩蝕劑 晶間腐蝕 晶間腐蝕的特征 （ 1）現(xiàn)象 ：圖示（ 2）定義 ： 晶間腐蝕（ Intergranular Corrosion）是金屬在適宜的腐蝕環(huán)境中沿著或緊挨著材料的晶粒間界發(fā)生和發(fā)展的局部腐蝕破壞形態(tài) 。 18Cr9Ni不銹鋼晶界 Cr23C6沉積與晶間腐蝕之間的關(guān)系（ %C， 1250℃ 固溶， CuSO4H2SO4溶液） 晶間腐蝕的控制措施 科學(xué)地合金化設(shè)計(jì)及合理地實(shí)施熱處理工藝，避免晶界沉淀相析出或有害雜質(zhì)元素的晶界吸附。（ 2）添加少量穩(wěn)定化元素。 1）晶界析出第二相，造成晶界某一合金成分的貧乏化； 2）晶界析出易于腐蝕的陽極相； 3）雜質(zhì)與溶質(zhì)原子在晶界區(qū)偏析； 4）晶界區(qū)
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1