納米材料制備方法ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 二 液相法 ?溶液 液相 固相 ( 簡(jiǎn)稱 SLS) 生長(zhǎng)機(jī)制美國(guó)華盛頓大學(xué) Buhro 小組在低溫下通過(guò) SLS 機(jī)制獲得了高結(jié)晶度的半導(dǎo)體納米線 , 如 InP、 InAs、 GaAs 納米線 。因此 , 人們可以通過(guò)引入合適的包敷劑 ( capping reagent) 來(lái)改變晶體晶面的界面自由能 , 從而改變各晶面的生長(zhǎng)速度 , 達(dá)到控制晶體生長(zhǎng)形態(tài)的目的 。 氫氧化鎳納米材料的制備. f l v 三 模板法 ?另一種代表性的準(zhǔn)一維納米材料合成方法是模板法限域合成 , 它是利用各種具有一維形貌的模板來(lái)引導(dǎo)一維納米結(jié)構(gòu)的形成 , 如具有許多一維納米孔道的材料以及碳納米管等。 圖 6 ?? 用于制備碳化物納米棒的反應(yīng)路線示意圖。也就是說(shuō) , 未來(lái)準(zhǔn)一維納米材料的研究首先應(yīng)該確立一個(gè)思路 , 其過(guò)程應(yīng)該是 : 以制造實(shí)用器件為目標(biāo) , 從而確立材料應(yīng)有的結(jié)構(gòu)與性能 , 在此基礎(chǔ)上進(jìn)行納米系統(tǒng)設(shè)計(jì) , 然后再進(jìn)行材料設(shè)計(jì) , 最終確定制備方案。由“無(wú)序生長(zhǎng)” 向“ 有序生長(zhǎng)” 發(fā)展 , 進(jìn)一步利用和發(fā)展模板技術(shù)進(jìn)行各種有序結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng) , 利用自組織生長(zhǎng)制備各種理想的花樣結(jié)構(gòu)等。將會(huì)由“隨機(jī)生長(zhǎng)”向“可控生長(zhǎng)” 發(fā)展 , 這是一個(gè)非常重要的研究方向 , 因?yàn)橹挥袑?shí)現(xiàn)可控生長(zhǎng) , 才能獲得所需的結(jié)構(gòu)和性能 , 才能有的放矢地進(jìn)行應(yīng)用。準(zhǔn)一維納米材料研究的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)如何 ? 是非常值得關(guān)注也是十分重要的話題。這對(duì)于研究納米線、納米管等材料及其微陣列體系的物性以及發(fā)展功能性納米器件而言是一個(gè)非常重要的手段。 電極用amp。一般來(lái)說(shuō) , 此方法中常用低熔點(diǎn)金屬 ( 如 In、 Sn 或 Bi等 ) 作為助溶劑 ( flux droplet) , 相當(dāng)于VLS 機(jī)制中的催化劑（圖 5）。中科院固體物理研究所的彭新生等利用 VS機(jī)制制備了大量氧化物一維納米結(jié)構(gòu)。 VS 機(jī)制 ?研究表明 , 許多一維材料不使用催化劑也可生長(zhǎng)出來(lái) , 即直接通過(guò)氣 固 ( VS) 機(jī)制生長(zhǎng)出一維材料。 ? 此外 , 一系列一維納米異質(zhì)結(jié)、超晶格納米線都是利用 VLS 機(jī)制生長(zhǎng)出來(lái)的。圖 1所示為哈佛大學(xué)的 Lieber 研究小組提出的以金屬納米團(tuán)簇 ( 以 Au 為例) 為催化劑 , 以 VLS 機(jī)制生長(zhǎng)半導(dǎo)體納米線 ( 以 Si 納米線為例 ) 的方案示意圖 。 引言 ?一維納米結(jié)構(gòu)是指在三維空間內(nèi)有兩維尺寸處于納米量級(jí)的納米結(jié)構(gòu)。按照生長(zhǎng)機(jī)制的特點(diǎn) , 我們粗略地將一維納米材料的制備分
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