納米材料制備方法ppt課件(存儲版)
【正文】 二 液相法 ?溶液 液相 固相 ( 簡稱 SLS) 生長機制美國華盛頓大學 Buhro 小組在低溫下通過 SLS 機制獲得了高結晶度的半導體納米線 , 如 InP、 InAs、 GaAs 納米線 。因此 , 人們可以通過引入合適的包敷劑 ( capping reagent) 來改變晶體晶面的界面自由能 , 從而改變各晶面的生長速度 , 達到控制晶體生長形態(tài)的目的 。 氫氧化鎳納米材料的制備. f l v 三 模板法 ?另一種代表性的準一維納米材料合成方法是模板法限域合成 , 它是利用各種具有一維形貌的模板來引導一維納米結構的形成 , 如具有許多一維納米孔道的材料以及碳納米管等。 圖 6 ?? 用于制備碳化物納米棒的反應路線示意圖。也就是說 , 未來準一維納米材料的研究首先應該確立一個思路 , 其過程應該是 : 以制造實用器件為目標 , 從而確立材料應有的結構與性能 , 在此基礎上進行納米系統(tǒng)設計 , 然后再進行材料設計 , 最終確定制備方案。由“無序生長” 向“ 有序生長” 發(fā)展 , 進一步利用和發(fā)展模板技術進行各種有序結構的可控生長 , 利用自組織生長制備各種理想的花樣結構等。將會由“隨機生長”向“可控生長” 發(fā)展 , 這是一個非常重要的研究方向 , 因為只有實現(xiàn)可控生長 , 才能獲得所需的結構和性能 , 才能有的放矢地進行應用。準一維納米材料研究的未來發(fā)展趨勢如何 ? 是非常值得關注也是十分重要的話題。這對于研究納米線、納米管等材料及其微陣列體系的物性以及發(fā)展功能性納米器件而言是一個非常重要的手段。 電極用amp。一般來說 , 此方法中常用低熔點金屬 ( 如 In、 Sn 或 Bi等 ) 作為助溶劑 ( flux droplet) , 相當于VLS 機制中的催化劑（圖 5）。中科院固體物理研究所的彭新生等利用 VS機制制備了大量氧化物一維納米結構。 VS 機制 ?研究表明 , 許多一維材料不使用催化劑也可生長出來 , 即直接通過氣 固 ( VS) 機制生長出一維材料。 ? 此外 , 一系列一維納米異質結、超晶格納米線都是利用 VLS 機制生長出來的。圖 1所示為哈佛大學的 Lieber 研究小組提出的以金屬納米團簇 ( 以 Au 為例) 為催化劑 , 以 VLS 機制生長半導體納米線 ( 以 Si 納米線為例 ) 的方案示意圖 。 引言 ?一維納米結構是指在三維空間內有兩維尺寸處于納米量級的納米結構。按照生長機制的特點 , 我們粗略地將一維納米材料的制備分
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