led芯片制作流程ppt課件(存儲版)
【正文】 ：寬度為 16cm,粘性隨溫度的升 . 高增加 。 雙 氣流 MOCVD生長 GaN裝置 MOCVD MOCVD 英國 Thomas Swan公司制造，具有世界先進水平的商用金屬有機源汽相外延 (MOCVD)材料生長系統(tǒng)，可用于制備以 GaN為代表的第三代半導體材料 ? 第一代 Ge、 Si半導體材料 ? 第二代 GaAs、 InP化合物半導體材料 ? 第三代 SiC、金剛石、 GaN等半導體材料 外延片 綠光外延片 為什么有個缺口呢？ 管芯制作 蒸収 光刻 劃片裂片 分揀 外延片 磊晶 清洗 生長 ITO 光刻ITO ICP刻蝕 光刻電極 蒸鍍電極 剝離 合金 減薄 切割 測試 目檢 分揀 黃光區(qū) 光刻 ITO ICP刻蝕 光刻電極 蒸鍍電極 剝離、合金 光刻膠 ITO PGaN 金電極 襯底 緩沖層 NGaN MQW 外延片 ITO 光刻 ITO 甩 膠 前 烘 曝 光 顯 影 堅 膜 腐 蝕 ITO氧化銦錫是 Indium Tin Oxides的縮寫。 優(yōu)點 晶格匹配，容易生長出較好的材料 不足 吸收光子 藍寶石 Al2O3襯底 優(yōu)點
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