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【正文】 :寬度為 16cm,粘性隨溫度的升 . 高增加 。 雙 氣流 MOCVD生長(zhǎng) GaN裝置 MOCVD MOCVD 英國(guó) Thomas Swan公司制造,具有世界先進(jìn)水平的商用金屬有機(jī)源汽相外延 (MOCVD)材料生長(zhǎng)系統(tǒng),可用于制備以 GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料 ? 第一代 Ge、 Si半導(dǎo)體材料 ? 第二代 GaAs、 InP化合物半導(dǎo)體材料 ? 第三代 SiC、金剛石、 GaN等半導(dǎo)體材料 外延片 綠光外延片 為什么有個(gè)缺口呢? 管芯制作 蒸収 光刻 劃片裂片 分揀 外延片 磊晶 清洗 生長(zhǎng) ITO 光刻ITO ICP刻蝕 光刻電極 蒸鍍電極 剝離 合金 減薄 切割 測(cè)試 目檢 分揀 黃光區(qū) 光刻 ITO ICP刻蝕 光刻電極 蒸鍍電極 剝離、合金 光刻膠 ITO PGaN 金電極 襯底 緩沖層 NGaN MQW 外延片 ITO 光刻 ITO 甩 膠 前 烘 曝 光 顯 影 堅(jiān) 膜 腐 蝕 ITO氧化銦錫是 Indium Tin Oxides的縮寫(xiě)。 優(yōu)點(diǎn) 晶格匹配,容易生長(zhǎng)出較好的材料 不足 吸收光子 藍(lán)寶石 Al2O3襯底 優(yōu)點(diǎn)
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