【摘要】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機(jī)理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號(hào)疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號(hào)電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號(hào)。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號(hào)有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【摘要】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可作為二極管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號(hào)為本節(jié)的重點(diǎn)本節(jié)的重點(diǎn)1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【摘要】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當(dāng)VGS=VT時(shí)ID=0。但實(shí)際上當(dāng)VGSVT時(shí),MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時(shí)的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-28 23:00
【摘要】微電子器件可靠性習(xí)題第一、二章數(shù)學(xué)基礎(chǔ)1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時(shí)間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個(gè)區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56
【摘要】庫侖堵塞與單電子器件當(dāng)體系尺度進(jìn)到納米級(jí)(金屬粒子為幾個(gè)納米,半導(dǎo)體粒子為幾十納米),體系電荷“量子化”,即充電放電過程是不連續(xù)的,前一個(gè)電子對(duì)后一個(gè)電子的庫侖排斥能EC(庫侖堵塞能)極大,導(dǎo)致一個(gè)一個(gè)單電子的傳輸,電子不能集體傳輸,這種單電子輸運(yùn)行為稱為庫侖堵塞效應(yīng)。庫侖排斥能EC???充一個(gè)電子作功:對(duì)于孤立導(dǎo)體
2025-01-01 05:14
【摘要】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一門新科學(xué)微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
【摘要】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當(dāng)作是由一個(gè)電阻產(chǎn)生的,稱這個(gè)電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當(dāng)可觀,對(duì)晶體管的特性會(huì)產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
【摘要】第三章雙極型晶體管的直流特性內(nèi)容雙極晶體管基礎(chǔ)均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎(chǔ)由兩個(gè)相距很近的pn結(jié)組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-04-29 01:25
【摘要】幾種重要的微電子器件幾種重要的微電子器件主要內(nèi)容?薄膜晶體管TFT?光電器件?電荷耦合器件薄膜晶體管?薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)通常是指利用半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場效應(yīng)晶體管?非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)?多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)?碳化硅薄膜晶體管
2025-01-01 04:14
【摘要】【可行性研究報(bào)告】更多資料請進(jìn)緒論(編制說明)本可行性研究報(bào)告根據(jù)《投資項(xiàng)目可行性研究指南》的公共建筑大綱進(jìn)行編制,根據(jù)擬建項(xiàng)目的特征對(duì)大綱要求的以下內(nèi)容進(jìn)行了刪減:1、由于醫(yī)院的組織機(jī)構(gòu)和人力資源配備對(duì)醫(yī)院的建設(shè)方案有影響,故將大綱中第八章的《組織機(jī)構(gòu)與人力資源》章節(jié)調(diào)整到第四章建設(shè)方案之前。2、擬建項(xiàng)目屬于非營利性公立醫(yī)院,故對(duì)大綱中的第十一章《財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)
2025-06-06 18:57
【摘要】XXXXXXX農(nóng)業(yè)有限公司花鳥魚蟲等觀賞物綜合服務(wù)市場建設(shè)可行性研究報(bào)告主管單位:XXXXXX扶貧經(jīng)濟(jì)試驗(yàn)區(qū)管委會(huì)項(xiàng)目單位:XXXXXXX農(nóng)業(yè)有限公司項(xiàng)目法人:練祖和建設(shè)地點(diǎn):XXXXXX扶貧經(jīng)濟(jì)試驗(yàn)
2024-12-15 06:34
【摘要】電氣工程學(xué)院ElectricalEngineeringInstituteofNEDU第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用2023/3/1
2025-01-01 01:32
【摘要】*****縣*****花卉苗木市場建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告*精品可研報(bào)告目錄第一章總論............................................................
2025-09-05 12:35
【摘要】課程設(shè)計(jì)課程名稱微電子器件工藝課程設(shè)計(jì)題目名稱PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院____專業(yè)班級(jí)08微電子學(xué)1班學(xué)號(hào)3108008033學(xué)生姓名____張又文___指導(dǎo)教師魏愛香
2025-07-27 17:47