【正文】 n%M z84! z89Am v^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3adNuKNamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。M uWF。qY pEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3tnGK8!z89Am YWv*3tnGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。MuWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YW Rr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%M z84!z89Am v^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2z Vkum amp。M uWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%M z849Gx^Gjqv^$U*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gjqv^$U*3tnGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm 6X4NGpP$v STamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*adNuKNamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M adNuKNamp。M uWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%M z849Gx^Gjqv^$U*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$U*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$U*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp?？傊Ｍ夷馨堰@份設(shè)計永遠(yuǎn)保留，這也是我大學(xué)或許一生最后一次作業(yè)了，我會用心做好。 17 17 第 4 章 結(jié)論 如上所述，非易失存儲器在保持?jǐn)?shù)據(jù)方面的卓越表現(xiàn)，必將會帶來整個存儲器世界的革新。由于這個驗證的重要性， DRC 稱為版圖驗證的必做項目。 任何與柵連接的大片的導(dǎo)電材料，包括多晶硅本身，都可能產(chǎn)生天線效應(yīng)。 線寬規(guī)則 最小寬度指封閉幾何圖形的內(nèi)邊之間的距離如圖 31 所示 掩膜上定義的幾何圖形的寬度（和長度）必須大于一個最小值，該值由光刻和工藝水平?jīng)Q定，例如，若矩形多晶硅的寬度太窄，那么由于制造的偏差的影響，可能會導(dǎo)致多晶硅斷開或者出現(xiàn)局部大電阻，但是必須注意，無法控制每一層的厚度。 設(shè)計規(guī)則通常有以下兩類： ? 準(zhǔn)則： 把大多數(shù)尺寸（覆蓋，出頭等等）約定為 ? 的倍數(shù) ? 與工藝線所具有的工藝分辨率有關(guān)，線寬偏離理想特征尺寸的上限以及掩膜版之間的最大套準(zhǔn)偏差，一般等于柵長度的一半。集成電路是電子電路，但他又不同于一般意義上的電子電路，它把成千上萬的電子元件包括晶體管、電阻、電容身甚至電感集成在微小的芯片上，正是這種奇妙的設(shè)計和制造方式使它為人類的進(jìn)步創(chuàng)造了空前絕后的奇跡，而使這種奇跡變?yōu)楝F(xiàn)實的 集成電路版圖設(shè)計。在最后金屬蒸濺工序中，省略相應(yīng) nMOS 晶體管 漏極、源極或是柵電極的連接就存儲“ 1”。考慮如圖 21 所示的 8 位 8 位存儲陣列的情況。浮柵上的電子團即使在掉電的情況下，仍然會存留在浮柵上，所以信息能夠長期保存（通常來說，這個時間可達(dá) 10 年）。該公司采用獨特材料，室溫下在兩個穩(wěn)定狀態(tài)之間使穿隧磁阻變化超過 70%。在 MRAM發(fā)展初期所使用的磁阻元件是被稱為巨磁阻 (GMR)的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)由上下兩層磁性材料，中間夾著一層非磁性材料的金屬層所組成。隨著不斷地極化反轉(zhuǎn)，此類 FeRAM 會發(fā)生疲勞失效等可靠性問題。為了克服這個問題，人們設(shè)計出多種非易失且可編程的（除掩模型 ROM 外）存儲器。而 DRAM（ Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此 SRAM 具有較高的性能，但是 SRAM 也有它的缺點，即它的集成度 3 3 較低，相同容量的 DRAM 內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是 SRAM 卻需要很大的體積，且 功耗較大。 圖 11 所示為 動態(tài) RAM 的工作原理 。 DRAM 主要用于主存（內(nèi)存的主體部分）， SRAM 主要用于高速緩存存儲器。 Nonvolatile。 關(guān)鍵詞 ： 存儲器；非易失 性 ； NOR；版圖設(shè)計； DRC II II Abstract The flash based on the concept of the floating gate has bee the most general nonvolatile memory because of its small unit size and good working performance. This paper mainly introduced the design of nonvolatile memory based on NOR gate. The working principles and application prospects of the nonvolatile memory based on NOR gate have been detailed analyzed. The schematic and layout of the 64bit circuit has been designed, which pass through the DRC and LVS, thus verifies the correct designing. This paper also introduces some relevant knowledge about layout design. Keywords: Memory。 RAM 包括 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和 SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當(dāng)關(guān)機或斷電時，其中的信息都會隨之丟失。（關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù) ） 。 靜態(tài)隨機存取存儲器（ SRAM） SRAM 不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。但 MOS 存儲結(jié)構(gòu)（如 DRAM 和 SRAM）存在很明顯的缺點，就是掉電后所存儲的數(shù)據(jù)會丟失。這種破壞性的讀出后需重新寫入數(shù)據(jù)，所以 FeRAM 在信息讀取過程中伴隨著大量的擦除 /重寫的操作。理論上來說，鐵磁體是永久不會失效的，因此它的寫入次數(shù)也是無限的。不過， NVE 公司于 2021 年 11 月宣 布，其工程師研制成功迄今為止最高的自旋穿隧結(jié)磁阻 (SDT)。這樣大量電子從源極流向漏極，形成相當(dāng)大的電流，產(chǎn)生大量熱電子，并從襯底的二氧化硅層俘獲電子，由于電子的密度大，有的電子就到達(dá)了襯底與浮柵之間的二氧化硅層，這時由于選擇柵加有高電壓，在電場作用下，這些電子又通過二氧化硅層到達(dá)浮柵，并在 6 6 浮柵上形成電子團。接下來，我們將分析 MOS 陣列的實現(xiàn)方法。 圖 21 基于 NOR 的 ROM 陣列示例 8 8 表 21 基于 NOR 的 64 位 ROM 陣列真值表 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 在實際的 ROM 版圖中，陣列在初始制造時，每個行與列的交點都有一個nMOS 管。 集成電路的出現(xiàn)于飛速發(fā)展徹底改變了人類文明和人們?nèi)粘Ｉ畹拿婺俊? 影響設(shè)計規(guī)則的因素有制造成本、成品率、最小特征尺寸、制造設(shè)備和工藝的成熟度以及集成電路的市場需求等。 下面將主要介紹以微 米為單位的設(shè)計規(guī)則，主要包括：線寬規(guī)則、間距規(guī)則、交疊規(guī)則、延伸規(guī)則、包圍規(guī)則、最小面積規(guī)則等。 天線效應(yīng) 假設(shè)一個小尺寸 MOS 管的柵極與具有很大面積的第一層金屬連線接在一起，如圖 35(a)所示，在 刻蝕第一層金屬時，這片金屬像一根“天線”，收集離子，是其電位升高，因此，在制造工藝中，這個 MOS 管的柵電壓可增大到使柵氧化層擊穿，并且這種擊穿不能恢復(fù)。不同的集成電路工藝都具有與之相對應(yīng)的設(shè)計規(guī)則，因此設(shè)計規(guī)則檢查與集成電路的工藝有關(guān)。 基于 NOR的非易失版圖實現(xiàn) 8 位 8位非易失存儲器電路圖 根據(jù)之前規(guī)則畫出電路圖如圖 36 所示： 14 14 圖 36 8 位 8 位非易失存儲器電路圖 8 位 8位非易失存儲 器版圖 根據(jù)規(guī)定規(guī)則，采用 CMOS 工藝做出存儲器版圖如圖 37 所示： 15 15 圖 37 8 位 8 位非易失存儲器版圖 DRC 檢測 版圖 DRC 結(jié)果如圖 38 所示： 16 1