【正文】 M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。MuWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZ QcUE%amp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9amp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。ksv*3t nGK8!z89Am v ^$UE9wEwZQcUE%amp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$U*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。MuWFA5uxY7J nD6YW RrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! z n%M z849Gx^Gjqv84! z89Am v^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9amp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3tnGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%M z849Gx^Gjqv^$U*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$U*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am v^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm 6X4NGpP$vSTamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3tnGK8!z89Am UE9aQGn8xp$Ramp。UE9aQGn8xp$Ramp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$v STamp。經(jīng)過(guò)這次畢業(yè)設(shè)計(jì)我從中學(xué)到很多，或許將來(lái)我會(huì)從事非易失存儲(chǔ)器的研發(fā)工作，那么現(xiàn)在做的研究都是我以后的寶貴的基礎(chǔ)。不同的集成電路工藝都具有與之相對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)規(guī)則，因此設(shè)計(jì)規(guī)則檢查與集成電路的工藝有關(guān)。 下面將主要介紹以微 米為單位的設(shè)計(jì)規(guī)則，主要包括：線寬規(guī)則、間距規(guī)則、交疊規(guī)則、延伸規(guī)則、包圍規(guī)則、最小面積規(guī)則等。 集成電路的出現(xiàn)于飛速發(fā)展徹底改變了人類文明和人們?nèi)粘Ｉ畹拿婺俊＝酉聛?lái)，我們將分析 MOS 陣列的實(shí)現(xiàn)方法。不過(guò)， NVE 公司于 2021 年 11 月宣 布，其工程師研制成功迄今為止最高的自旋穿隧結(jié)磁阻 (SDT)。這種破壞性的讀出后需重新寫入數(shù)據(jù)，所以 FeRAM 在信息讀取過(guò)程中伴隨著大量的擦除 /重寫的操作。 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ SRAM） SRAM 不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 RAM 包括 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的信息都會(huì)隨之丟失。 Nonvolatile。 圖 11 所示為 動(dòng)態(tài) RAM 的工作原理 。為了克服這個(gè)問題，人們?cè)O(shè)計(jì)出多種非易失且可編程的（除掩模型 ROM 外）存儲(chǔ)器。在 MRAM發(fā)展初期所使用的磁阻元件是被稱為巨磁阻 (GMR)的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)由上下兩層磁性材料，中間夾著一層非磁性材料的金屬層所組成。浮柵上的電子團(tuán)即使在掉電的情況下，仍然會(huì)存留在浮柵上，所以信息能夠長(zhǎng)期保存（通常來(lái)說(shuō)，這個(gè)時(shí)間可達(dá) 10 年）。在最后金屬蒸濺工序中，省略相應(yīng) nMOS 晶體管 漏極、源極或是柵電極的連接就存儲(chǔ)“ 1”。 設(shè)計(jì)規(guī)則通常有以下兩類： ? 準(zhǔn)則： 把大多數(shù)尺寸（覆蓋，出頭等等）約定為 ? 的倍數(shù) ? 與工藝線所具有的工藝分辨率有關(guān)，線寬偏離理想特征尺寸的上限以及掩膜版之間的最大套準(zhǔn)偏差，一般等于柵長(zhǎng)度的一半。 任何與柵連接的大片的導(dǎo)電材料，包括多晶硅本身，都可能產(chǎn)生天線效應(yīng)。 17 17 第 4 章 結(jié)論 如上所述，非易失存儲(chǔ)器在保持?jǐn)?shù)據(jù)方面的卓越表現(xiàn)，必將會(huì)帶來(lái)整個(gè)存儲(chǔ)器世界的革新。ksv*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。M uWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%M z849Gx^Gjqv^$U*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。ksv*adNuKNamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$v STamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gjqv^$U*3tnGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%M z849Gx^Gjqv^$U*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2z Vkum amp。M uWFA5uxY7J nD6YW Rr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qY pEh5pDx2zVkum amp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。MuWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$U*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWv*3tnGK8!z89Am YWpaza dNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89AmYWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qY pEh5pDx2zVkum amp。今后，生產(chǎn)聚合物存儲(chǔ)器可能會(huì)變得像印照片一樣簡(jiǎn)單，但今年才剛剛開始對(duì)這種非易失性存儲(chǔ)器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行研發(fā)。這樣當(dāng)?shù)谝粚咏饘俦豢涛g時(shí)，大部分面積就沒有與柵極連接。 微米準(zhǔn)則： 每個(gè)尺寸之間沒有必然的比例關(guān)系， 提高每一尺寸的合理度；簡(jiǎn)化度不高。為了節(jié)省芯片面積，每連個(gè)相鄰行上的晶體管被排列到一條公共地線上，并且按照 n 型擴(kuò)散來(lái)定路線。擦除時(shí)，源極加上較高的編程電壓，選擇柵接地，漏極開路。與 GMR 不同的另一種結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié) (MTJ)，如圖 12 所示。 鐵電存儲(chǔ)器 (FeRAM) 鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易失存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。 2 2 圖 11 3 管動(dòng)態(tài) RAM 的基本存儲(chǔ)電路 在這個(gè) 電路中，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。 Layout design。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 (Semiconductor memory) 是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒體的存儲(chǔ)器 ， 內(nèi)存儲(chǔ)器就是由稱為存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。若原來(lái)存有 1， 則 Q2 導(dǎo)通，讀數(shù)據(jù)線的分布電容 CD 通過(guò) Q Q2 放電 ,此時(shí)讀得的信息為 0，正好和原存信息相反；若原存信息為 0,則 Q3 盡管具備導(dǎo)通條件，但因?yàn)?Q2 截止，所以， CD 上 的 電壓 保持不變，因而，讀得的信息為 1。 DRO 模式是利用鐵電薄膜的電容效應(yīng)，以鐵電薄膜電容取代常規(guī)的存儲(chǔ)電荷的電容，利用鐵電薄膜的極化反轉(zhuǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù) 4 4 的寫入與讀取。 MTJ 元件通過(guò)內(nèi)部金屬導(dǎo)線所產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)改變不同的阻值狀態(tài)，并以此記錄 “0”與 “1”的信號(hào)。 7 7 第 2 章 基于 NOR 非易失存儲(chǔ)器 電路設(shè)計(jì) 只讀存儲(chǔ)陣列也可以看做是一種簡(jiǎn)單的組合布爾型網(wǎng)絡(luò)，他對(duì)每個(gè)輸入組合（即每個(gè)地址）都會(huì)產(chǎn)生一個(gè)指定的輸出值。 圖 22 一種 NOR ROM 陣列的版圖示例 9 9 第 3 章 基于 NOR 的非易失存儲(chǔ)器版圖設(shè)計(jì) 集成電路掩模版圖設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)集 成電路制