【正文】 v^$UE9wEwZQcUE%amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkumamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5ux^Gj qv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JvnD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%MzXNQExJB8VK% W7m$ZA5JdkVWce9APz^FvJzwYWCcyAh*bnxBvaFQH8YHV$amp。 技術(shù)開(kāi)發(fā)狀況 “水平砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化” 2021 年被原國(guó)家計(jì)委批復(fù)為國(guó)家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項(xiàng)目，并于 2021 年通過(guò)中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)組織的科技成果鑒 4 定，鑒定結(jié)果為 ：該項(xiàng)目的技術(shù)、產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。 主要技術(shù)與性能指標(biāo) 如下： N型（摻 Si） n(cm3)：（ 2～ 40） 1017；μ n(cm2/)：≥ 1400；晶片直徑（ mm）： 177。為緩解這種局面，本公司 在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上， 組織研發(fā)人員進(jìn)行了該產(chǎn)品研究開(kāi)發(fā)工作， 目前該產(chǎn)品技術(shù)已基本成熟，關(guān)鍵問(wèn)題已經(jīng)解決， 產(chǎn)品 于 2021 年 9 月通過(guò)了中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)組織的科技成果鑒 定，鑒定結(jié)果為：該項(xiàng)目技術(shù)、產(chǎn)品質(zhì)量均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，同類商品國(guó)際市場(chǎng)占有率接近 10%。 公司 在 水平 GaAs 生產(chǎn)技術(shù)方面處于國(guó)際先進(jìn)水平，公司是國(guó)內(nèi)唯一的批量生產(chǎn)水平 GaAs 晶片、 GaP 晶片的企業(yè) 。公司在日常生產(chǎn)和管理中，注重提升員工的質(zhì)量意識(shí)，在員工頭腦中筑起了質(zhì)量保證的長(zhǎng)城。采用優(yōu)質(zhì) SiC 管支撐石英反應(yīng)管使石英反應(yīng)管長(zhǎng)期處于高溫（ ~1300℃）下時(shí)膨脹度不至影響單晶生長(zhǎng)（反應(yīng)管外徑擴(kuò)大不超過(guò) 10 ㎜）。本項(xiàng)目所設(shè)計(jì)的水平 單晶爐是一種多段式兩溫區(qū)爐，只有熱場(chǎng)配置合理即溫度梯度合適才有可能生長(zhǎng)出合格單晶，公司技術(shù)人員經(jīng)過(guò)反復(fù)實(shí)驗(yàn)、比較、不斷優(yōu)化， 8 設(shè)計(jì)出了合理熱場(chǎng)，優(yōu)化了溫度分布，為提高單晶生長(zhǎng)成品率、實(shí)現(xiàn)該工藝的產(chǎn)業(yè)化創(chuàng)造了又一個(gè)有利條件。 高溫區(qū)的氣相 Ga2O擴(kuò)散到中溫區(qū)發(fā)生如下反應(yīng)： 3 Ga2O(g)+As4(g)=Ga2O3(S)+4GaAs(S) (4) SiO(g)=SiO(S) (5) 反應(yīng)（ 4）消耗了 Ga2O，使反應(yīng)（ 1）向右繼續(xù)進(jìn)行，加劇了 Si 向 GaAs中的并入。角度不一致還有可能在晶體內(nèi)部出現(xiàn)熱應(yīng)力而導(dǎo)致晶體完整性差，使 EPD 增大，從而降低成品率。本公司在爐體結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)；保溫層的設(shè)置和配置；加熱區(qū)段設(shè)置；加熱區(qū)域設(shè)置等方面均取得了很大進(jìn)步。 加熱體是單晶生長(zhǎng)的核心，對(duì)單晶生長(zhǎng)影響非常大，是決定單晶生長(zhǎng)成功與否的關(guān)鍵因素之一。在水平單晶生長(zhǎng)過(guò)程中，無(wú)法完全按器件制造所要求的晶向生長(zhǎng)，即晶體生長(zhǎng)方向與晶片的晶向有一定的夾角，這導(dǎo)致了水平 GaAs 單晶的切片，一般都要“斜 ” 切（因而切片技術(shù)難度較大），為使所切晶片上電學(xué)參數(shù)（尤其是載流子濃度）均勻分布，固液界面也必須與生長(zhǎng)方向成一定角度。抑制 Si 污染的機(jī)理是： 在 GaAs 合成和晶體生長(zhǎng)中，高溫區(qū)發(fā)生熔體中的 Ga與石英反應(yīng) 4Ga（ L） +SiO2(S)=Si(S)+2Ga2O(g) (1) 2Ga(L)+ SiO2(S)=SiO(g)+Ga2O(g) (2) Si(S)+SiO2(S)= 2SiO(g) (3) L． S． g 分別表示液、固、氣相。本項(xiàng)目承擔(dān)單位國(guó)瑞公司經(jīng)多年研究、實(shí)踐找到了解決“粘接 ” 問(wèn)題的良好方法，成為本公司一項(xiàng)獨(dú)特的專有技術(shù) —— 石英舟預(yù)處理技術(shù) ,該項(xiàng)技術(shù)主要是在適當(dāng)?shù)娜軇┲羞M(jìn)行熱處理，它可保證在長(zhǎng)達(dá) 7 天的單晶連續(xù)生長(zhǎng)中，熔體與舟不粘接，單晶生長(zhǎng)完成后，單晶順利脫舟。 第 二 章 技術(shù)可行性分析 項(xiàng)目技術(shù)路線 、 工藝 設(shè)備的 合理性和成熟性、關(guān)鍵技術(shù)的先進(jìn)性 項(xiàng)目技術(shù)路線 多晶合成 —— 單晶生長(zhǎng) —— 晶體加工 工藝 流程為： 6NGa+6NAs— 裝管、脫氧 — 封管 — 多晶合成（約 24小時(shí)） — 多 7 晶清潔處理 — 封管（余 As摻雜劑、放籽晶） — 裝入單晶爐 — 單晶生長(zhǎng)（ 7～ 8天）— （熔料、接籽晶、走車生長(zhǎng)單晶、降溫、出爐） — 晶體測(cè)試 工藝 及設(shè)備 的合理性和成熟性 自行設(shè)計(jì)的 HBGaAs 單晶生長(zhǎng)系統(tǒng) 本項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)采用 自行設(shè)計(jì) 的 水平砷化鎵單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)，該生長(zhǎng)系統(tǒng)在國(guó)際上未見(jiàn)成型產(chǎn)品，本項(xiàng)目單位根據(jù)多年工藝、技術(shù)積累，選用精密的溫控儀表（歐陸智能式溫控儀）和機(jī)械傳動(dòng)系統(tǒng)（雙向?qū)к壓屯竭M(jìn)電機(jī)帶動(dòng)精密絲杠組合），可保證在長(zhǎng)達(dá) 7~10 天的單晶生長(zhǎng)過(guò)程中溫控精度177。管理團(tuán)隊(duì)知識(shí)層次高，具有高度的凝聚力、勇于開(kāi)拓的創(chuàng)新性和豐富的管理經(jīng)驗(yàn)。項(xiàng)目目前已有部分產(chǎn)品銷售國(guó)內(nèi)外，用戶中包括 日本住友電工公司、韓國(guó) Prowtech 公司 等世界知名企業(yè) 和 中科鎵英公司等國(guó)內(nèi)用戶，對(duì)該產(chǎn)品 用戶一致反映良好。 投資的必要性 本項(xiàng)目產(chǎn)品近年來(lái)大量用于紅外 LED 和高亮度 LED，市場(chǎng)前景非常廣。 現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)規(guī)模 本產(chǎn)品 2021 年通過(guò)鑒定后開(kāi)始進(jìn)行小規(guī)模生產(chǎn)， 2021 年該產(chǎn)品銷售收入達(dá)到 400 萬(wàn)元， 2021 年產(chǎn)品銷售收入達(dá)到 1000 萬(wàn)元，預(yù)計(jì) 2021 年銷售收入可達(dá)到 1800 萬(wàn)元，凈利潤(rùn)達(dá)到 180 萬(wàn)元。但是由于國(guó)內(nèi)目前還 沒(méi)有生產(chǎn)該產(chǎn)品的企業(yè)，使國(guó)內(nèi)企業(yè)對(duì)該產(chǎn)品的需求 主要依賴進(jìn)口 ，造成大量資金流向國(guó)外。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3tnGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89AmYWv*3tnGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gj qv^$U*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3tnGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3tnGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8!z89Am YW v*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn% Mz849Gx^Gj qv^$U*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gj qv^$U*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。MuWFA5ux^Gj qv^$UE9wEwZQcUE% amp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkum amp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3tnGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3tnGK8! z89Am YWv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 MuWFA5ux^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%Mz84! z89Am v^$UE9wEwZQcUE%amp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkumamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 ksv*3tnGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gj qvadNuKNamp。MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 MuWFA5ux^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9amp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 QA9wkxFyeQ^! djsXuyUP2kNXpRWXm Aamp。qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 QA9wkxFyeQ^! dj sXuyUP2kNXpRWXm Aamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkum amp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 未經(jīng)允許，請(qǐng)勿外傳！ 目 錄 第一章 概述 ......................................... 3 項(xiàng)目提出背景 .................................. 3 技術(shù)開(kāi)發(fā)狀況 .................................. 3 現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)規(guī)模 .................................. 4 項(xiàng)目產(chǎn)品的主要用途、性能 ........................ 4 投資的必要性 .................................. 4 預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益 .................................. 5 本企業(yè)實(shí)施該項(xiàng)目的優(yōu)勢(shì) ......................... 5 第二章 技術(shù)可行性分析 ................................ 6 項(xiàng)目技術(shù)路線、工 藝設(shè)備的合理性和成熟性、關(guān)鍵技術(shù)的先進(jìn)性 ..............................