【正文】 v^$UE9wEwZQcUE%amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkumamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5ux^Gj qv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JvnD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%MzXNQExJB8VK% W7m$ZA5JdkVWce9APz^FvJzwYWCcyAh*bnxBvaFQH8YHV$amp。 技術開發(fā)狀況 “水平砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化” 2021 年被原國家計委批復為國家高技術產(chǎn)業(yè)化示范工程項目，并于 2021 年通過中國有色金屬工業(yè)協(xié)會組織的科技成果鑒 4 定，鑒定結(jié)果為 ：該項目的技術、產(chǎn)品質(zhì)量達到了國際先進水平。 主要技術與性能指標 如下： N型（摻 Si） n(cm3)：（ 2～ 40） 1017；μ n(cm2/)：≥ 1400；晶片直徑（ mm）： 177。為緩解這種局面，本公司 在原有產(chǎn)品的基礎上， 組織研發(fā)人員進行了該產(chǎn)品研究開發(fā)工作， 目前該產(chǎn)品技術已基本成熟，關鍵問題已經(jīng)解決， 產(chǎn)品 于 2021 年 9 月通過了中國有色金屬工業(yè)協(xié)會組織的科技成果鑒 定，鑒定結(jié)果為：該項目技術、產(chǎn)品質(zhì)量均達到國際先進水平，同類商品國際市場占有率接近 10%。 公司 在 水平 GaAs 生產(chǎn)技術方面處于國際先進水平，公司是國內(nèi)唯一的批量生產(chǎn)水平 GaAs 晶片、 GaP 晶片的企業(yè) 。公司在日常生產(chǎn)和管理中，注重提升員工的質(zhì)量意識，在員工頭腦中筑起了質(zhì)量保證的長城。采用優(yōu)質(zhì) SiC 管支撐石英反應管使石英反應管長期處于高溫（ ~1300℃）下時膨脹度不至影響單晶生長（反應管外徑擴大不超過 10 ㎜）。本項目所設計的水平 單晶爐是一種多段式兩溫區(qū)爐，只有熱場配置合理即溫度梯度合適才有可能生長出合格單晶，公司技術人員經(jīng)過反復實驗、比較、不斷優(yōu)化， 8 設計出了合理熱場，優(yōu)化了溫度分布，為提高單晶生長成品率、實現(xiàn)該工藝的產(chǎn)業(yè)化創(chuàng)造了又一個有利條件。 高溫區(qū)的氣相 Ga2O擴散到中溫區(qū)發(fā)生如下反應： 3 Ga2O(g)+As4(g)=Ga2O3(S)+4GaAs(S) (4) SiO(g)=SiO(S) (5) 反應（ 4）消耗了 Ga2O，使反應（ 1）向右繼續(xù)進行，加劇了 Si 向 GaAs中的并入。角度不一致還有可能在晶體內(nèi)部出現(xiàn)熱應力而導致晶體完整性差，使 EPD 增大，從而降低成品率。本公司在爐體結(jié)構(gòu)的設計；保溫層的設置和配置；加熱區(qū)段設置；加熱區(qū)域設置等方面均取得了很大進步。 加熱體是單晶生長的核心，對單晶生長影響非常大，是決定單晶生長成功與否的關鍵因素之一。在水平單晶生長過程中，無法完全按器件制造所要求的晶向生長，即晶體生長方向與晶片的晶向有一定的夾角，這導致了水平 GaAs 單晶的切片，一般都要“斜 ” 切（因而切片技術難度較大），為使所切晶片上電學參數(shù)（尤其是載流子濃度）均勻分布，固液界面也必須與生長方向成一定角度。抑制 Si 污染的機理是： 在 GaAs 合成和晶體生長中，高溫區(qū)發(fā)生熔體中的 Ga與石英反應 4Ga（ L） +SiO2(S)=Si(S)+2Ga2O(g) (1) 2Ga(L)+ SiO2(S)=SiO(g)+Ga2O(g) (2) Si(S)+SiO2(S)= 2SiO(g) (3) L． S． g 分別表示液、固、氣相。本項目承擔單位國瑞公司經(jīng)多年研究、實踐找到了解決“粘接 ” 問題的良好方法，成為本公司一項獨特的專有技術 —— 石英舟預處理技術 ,該項技術主要是在適當?shù)娜軇┲羞M行熱處理，它可保證在長達 7 天的單晶連續(xù)生長中，熔體與舟不粘接，單晶生長完成后，單晶順利脫舟。 第 二 章 技術可行性分析 項目技術路線 、 工藝 設備的 合理性和成熟性、關鍵技術的先進性 項目技術路線 多晶合成 —— 單晶生長 —— 晶體加工 工藝 流程為： 6NGa+6NAs— 裝管、脫氧 — 封管 — 多晶合成（約 24小時） — 多 7 晶清潔處理 — 封管（余 As摻雜劑、放籽晶） — 裝入單晶爐 — 單晶生長（ 7～ 8天）— （熔料、接籽晶、走車生長單晶、降溫、出爐） — 晶體測試 工藝 及設備 的合理性和成熟性 自行設計的 HBGaAs 單晶生長系統(tǒng) 本項目研發(fā)生產(chǎn)采用 自行設計 的 水平砷化鎵單晶生長系統(tǒng)，該生長系統(tǒng)在國際上未見成型產(chǎn)品，本項目單位根據(jù)多年工藝、技術積累，選用精密的溫控儀表（歐陸智能式溫控儀）和機械傳動系統(tǒng)（雙向?qū)к壓屯竭M電機帶動精密絲杠組合），可保證在長達 7~10 天的單晶生長過程中溫控精度177。管理團隊知識層次高，具有高度的凝聚力、勇于開拓的創(chuàng)新性和豐富的管理經(jīng)驗。項目目前已有部分產(chǎn)品銷售國內(nèi)外，用戶中包括 日本住友電工公司、韓國 Prowtech 公司 等世界知名企業(yè) 和 中科鎵英公司等國內(nèi)用戶，對該產(chǎn)品 用戶一致反映良好。 投資的必要性 本項目產(chǎn)品近年來大量用于紅外 LED 和高亮度 LED，市場前景非常廣。 現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)規(guī)模 本產(chǎn)品 2021 年通過鑒定后開始進行小規(guī)模生產(chǎn)， 2021 年該產(chǎn)品銷售收入達到 400 萬元， 2021 年產(chǎn)品銷售收入達到 1000 萬元，預計 2021 年銷售收入可達到 1800 萬元，凈利潤達到 180 萬元。但是由于國內(nèi)目前還 沒有生產(chǎn)該產(chǎn)品的企業(yè)，使國內(nèi)企業(yè)對該產(chǎn)品的需求 主要依賴進口 ，造成大量資金流向國外。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3tnGK8! 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