【正文】 目前制作的加熱體 ，截面區(qū)（固液交界面區(qū)）有特殊加熱結(jié)構(gòu)。 在單晶生長(zhǎng)理論中，理想的固液界面形狀應(yīng)為平坦的或略為凸向熔體，做到這一點(diǎn)，加熱體的設(shè)計(jì)和制造非常關(guān)鍵。國(guó)內(nèi)外在水平GaAs 單晶研究開發(fā)中，多年來(lái)都是使用管狀加熱爐。單晶生長(zhǎng)過(guò)程中固液界面形狀的控制是提高成品率的關(guān)鍵技術(shù)。反應(yīng)（ 4）與溫度關(guān)系密切，如將溫度升到 1100℃以上，反應(yīng)（ 4）基本停止，從而可抑制反應(yīng)（ 1）向右方進(jìn)行：故將該溫區(qū)溫度 維持在 1120℃以上。 Si 污染是由于舟、石 英管都是石英即 SiO2材料、易于使 Si 并入熔體和單晶中。 本項(xiàng)目中，單晶生長(zhǎng)采用兩步法，即：先合成多晶然后再一次備料生長(zhǎng)單晶，備好的多晶放入兩溫區(qū)多段加熱爐中生長(zhǎng)單晶（謂之無(wú)砷端生長(zhǎng)技術(shù)）。很多單位曾試用過(guò)石英舟表面涂碳，“碳舟”雖可避免粘接問(wèn)題，但碳易大量摻入 GaAs 晶體成為有害雜質(zhì)，從而使晶體報(bào)廢。 石英舟的預(yù)處理技術(shù) HBGaAs 單晶生長(zhǎng)是在密封于石英反應(yīng)管中的石英舟中進(jìn)行的，因此首先要解決的是石英舟與熔體的粘舟問(wèn)題。 這為本項(xiàng)目的順利實(shí)施提供了制度上的保障。公司的質(zhì)量控制管理體系嚴(yán)格按照 ISO9001 施行，公司已于 2021 年通過(guò)該認(rèn)證。 管理優(yōu)勢(shì)： 我公司擁有一支素質(zhì)高、業(yè)務(wù)精、專業(yè)搭配合理的管理隊(duì)伍， 70％的公司員工具有大專以上學(xué)歷。 公司成立了由具有多年 水平 GaAs 研究開發(fā)經(jīng)驗(yàn)的專業(yè)人員組成的銷售隊(duì)伍，這支隊(duì)伍熟悉本項(xiàng)目產(chǎn)品各項(xiàng)性能指標(biāo)，了解客戶需求，比較利于開展工作。 該項(xiàng)目技術(shù)路線設(shè)計(jì)合理，關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)突破，其余技術(shù)完全能夠?qū)崿F(xiàn)，項(xiàng)目產(chǎn)品目前已通過(guò)權(quán)威部門檢測(cè)和鑒定，鑒定結(jié)果為國(guó)際先進(jìn)。 隨著 LED 在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域用量的大幅度增長(zhǎng) ， 本項(xiàng)目產(chǎn)品的市場(chǎng)越來(lái)越廣闊。 ； EPD(cm2)：≤ 1 104。 ，177。以進(jìn)一步提高產(chǎn)品的性價(jià)比從而增強(qiáng)其競(jìng)爭(zhēng)力。 本項(xiàng)目產(chǎn)品目前關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)突破，并開始批量生產(chǎn)，產(chǎn)品已成功進(jìn)入國(guó) 內(nèi) 外市場(chǎng)。 Φ 2”，Φ ” 水平砷化鎵單晶近年來(lái)大量用于紅外 LED 和高亮度 LED，是目前生產(chǎn) 量和需求量最大、增長(zhǎng)率最快的化合物半導(dǎo)體器件之一。3Q3vdWe3YXvbJr 2 產(chǎn)品檢測(cè)、鑒定及用戶使用情況 ................... 12 產(chǎn)品質(zhì)量、價(jià)格、性能等情況 ..................... 12 核心技術(shù)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)情況 ........................ 13 第四章 市場(chǎng)需求情況和風(fēng)險(xiǎn)分析 ........................ 14 國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求分析 .............................. 14 國(guó)際市場(chǎng)狀況及本項(xiàng)目 產(chǎn)品市場(chǎng)占有情況 ............ 15 風(fēng)險(xiǎn)因素及對(duì)策分析 ............................ 15 第五章 投資估算及資金籌措 ........................... 17 項(xiàng)目投資估算 ................................. 17 資金籌措方案 ................................. 17 投資使用計(jì)劃 ................................. 18 第六章 經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益分析 ........................... 19 未來(lái)五年生產(chǎn)成本、銷售收入估算 ................. 19 財(cái)務(wù)分析 ..................................... 19 不確定性分析 ................................. 20 財(cái)務(wù)分析結(jié)論 ................................. 20 社會(huì)效益分析 ................................. 20 第七章 綜合實(shí)力和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ) ........................... 24 企業(yè)員工構(gòu)成 ................................. 24 企業(yè)負(fù)責(zé)人情況 ................................ 24 企業(yè)新產(chǎn)品研發(fā)能力及內(nèi)部管理體系 ............... 25 企業(yè)從事該產(chǎn)品生產(chǎn)的條件、 產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ) .............. 27 3 第八章 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度計(jì)劃 ............................. 28 第一章 概述 項(xiàng)目提出背景 砷化鎵（ GaAs）單晶是一種重要的半導(dǎo)體光電子和高速高頻用半導(dǎo)體微電子材料，在國(guó)際上其產(chǎn)量?jī)H次于硅。qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkumamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! 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