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【正文】 H G : H e i ght G a uge 。 CM:CMM。 PJ:Projetor。 P G : P i n G a uge )A ppr ove d by : P r e pa r e d by : Proces s Cap ab ilit y C orrelat io n A na ly sis Wo rkshe et 1/17/2023 12 Silitek VQM Department. r,a,b值的計(jì)算 : 一 .函數(shù) 。 P J : P roj e t or。 MM:Micrometer。 HG:Height Gauge。二 .公式 。 C M : C M M 。( XSL )/3/ σ12 二 . 規(guī)格為單邊時(shí)13 1).Ca ( 制程準(zhǔn)確度 )Ca : 無(wú)14 2).Cp ( 制程精密度 )15 只有規(guī)格上限 : Cp=(SuX)/3/ σ16 只有規(guī)格下限 : Cp=(XSL)/3/ σ17 3).CpK=Cp四 .等級(jí)18 三 . 不良率 :DRL%, DRR%, DR% A: CPK=19 DRL: 超出下限的不良率 B: =CPK20 DRR: 超出上限的不良率 C: =CPK21 DR : 總的不良率 (DRL+DRR) D: CPK22 注 : σ : 實(shí)測(cè)標(biāo)準(zhǔn)差 (STD) X: 實(shí)測(cè)平均值 (AVG)23 Su: 公差上限 (USL) ? 規(guī)格中心值24 SL: 公差下限 (LSL) T: 公差 =(SuSL)25 26 27 y b= 斜率r: 相關(guān)系數(shù)28 y=a+bx r = 強(qiáng)相關(guān)29 a: 截距 r = 弱相關(guān)30 ab: 斜率 r = 錯(cuò)相關(guān)31 32 xMeasure Method Max C. 請(qǐng)依據(jù)黃色標(biāo)識(shí)分析兩系統(tǒng)的差異性 .ments: Min (.: CP:Caliper。 PG:Pin Gauge) Process Capability Correlation Analysis Worksheet Correlation Analysis( ) CpCaCpka *1). ??Correlation Illustrationy = + 1/17/2023 11 Silitek VQM Department. 制程能力比較分析表 V e r: 2 . 0M od el : P ar t s Na me: P ar t Numb er (V er si on ) :Da t a S ou r ce : S et / Ca v . No:M ea sur e Da t e: T r ai l S ho t (P r od uct ion ) Da t e: M ea sur ed By : Loc a t i on S i l i t e k 1 V e ndor1 D i f f e re nc e 1 S i l i t e k 2 V e ndor2 D i f f e re nc e 2 S i l i t e k 3 V e ndor3 D i f f e re nc e 3N S PU S L 9
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