存儲器復(fù)雜可編程邏輯器和現(xiàn)場可編程門陣列-免費閱讀
【正文】 完成對電路的劃分、布局和布線 編程的實現(xiàn)：由可編程器件的開發(fā)軟件自動生成的。 連線區(qū)的可編程連接一般由E2CMOS管實現(xiàn)。 WE D0 D1 D2 D3 WE CE A0 A11 4K 4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 D12 D13 D14 D15 CE A0 A11 4K 4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 WE 1. 字長（位數(shù)）的擴(kuò)展 用 4K 4位的芯片組成 4K 16位的存儲系統(tǒng)。 刷新 R 行選線 X OD讀 /寫 WEI輸出緩沖器 /靈敏放大器 刷新緩沖器 輸入緩沖器 位 線 B 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 讀操作 :X=1 =1 WET導(dǎo)通，電容器 C與位線 B連通 輸出緩沖器 /靈敏放大器被選通， C中存儲的數(shù)據(jù)通過位線和緩沖器輸出 T / 刷新 R 行選線 X ODWEI輸出緩沖器 /靈敏放大器 刷新緩沖器 輸入緩沖器 位 線 B 每次讀出后，必須及時對讀出單元刷新，即此時刷新控制 R也為高電平，則讀出的數(shù)據(jù)又經(jīng)刷新緩沖器和位線對電容器 C進(jìn)行刷新。開始讀 A2 數(shù)據(jù) I/O輸出 A2數(shù)據(jù) 。使用時，根據(jù)輸入的地址 (角度 )，就可在輸出端得到所需的函數(shù)值，這就稱為“查表”。 故 PROM 中的內(nèi)容只能寫一次。 斷電后信息不會丟失，常用于 存放固定信息（如程序、常數(shù)等） 。 存儲器的主要性能指標(biāo)： 取快速度 —— 存儲時間短 存儲數(shù)據(jù)量大 —— 存儲容量大 ? 存儲容量（ M)：存儲二值信息的總量。 ? 了解 存儲器的存儲單元的組成及工作原理 。 ? 訪問速度 ： Mbp 存儲器 RAM (RandomAccess Memory) ROM (ReadOnly Memory) RAM(隨機(jī)存取存儲器 ): 在運行狀態(tài)可以隨時進(jìn)行讀或?qū)懖僮鳌? ?交點處有MOS管相當(dāng)存0，無 MOS管相當(dāng)存 1。 集成電路 EPROM D7 ～ D0 PG M 輸出緩沖器 Y 選通 存儲陣列 CE OE 控制邏輯 Y 譯碼 X 譯碼 A16 ～ A0 VPP GND VCC AT27C010， 128K180。與 SRAM不同 , SSRAM的讀寫操作是在 時鐘脈沖節(jié)拍 控制下完成的。此時，系統(tǒng)中的微處理器在讀寫 SSRAM的同時，可以處理其他任務(wù)，從而提高了整個系統(tǒng)的工作速度。 CE ┇ A11 A0 ? CPLD器件內(nèi)部含有多個邏輯塊，每個邏輯塊都相當(dāng)于一個 GAL器件 。 OE=1, I/O引腳為輸出 CPLD的設(shè)計步驟 CPLD編程簡介 自動錯誤定位（語法或違背邏輯設(shè)計原則），綜合和優(yōu)化（邏輯化簡，層次化展開為平面化），映射（實現(xiàn)小塊的邏輯塊），布局布線等 CPLD編程簡介 編程過程（ Download或 Configure）：將編程數(shù)據(jù)寫入這些單元的過程。 編程條件 （ 1）專用編程電纜；（ 2）微機(jī)；（ 2） CPLD編程軟件。每個I/O單元對應(yīng)一個封裝引腳，對 I/O單元編程，可將引腳定義為輸入、輸出和雙向功能。 復(fù)雜可編程邏輯器件 (CPLD) CPLD的結(jié)構(gòu) CPLD編程簡介 PLD的結(jié)構(gòu)、表示方法及分類 與門 陣列 或門 陣列 乘積項 和項 PLD主體 輸入 電路 輸入信號 互補(bǔ) 輸入 輸出 電路 輸出函數(shù) 反饋輸入信號 ? 可由或陣列直接輸出 ， 構(gòu)成組合輸出； ? 通過寄存器輸出 ， 構(gòu)成時序方式輸出 。開始 寫 A6 數(shù)據(jù) I/O輸出 A4數(shù)據(jù) 。 Xi =1時導(dǎo)通 來自列地址譯碼器的輸出 來自行地址譯碼器的輸出 T 8 T 7 V DD V GG T 6 T 1 T 4 T 2 T 5 T 3 Y j ( 列選擇線 ) X i ( 行選擇線 ) 數(shù)據(jù)線 數(shù)據(jù)線 D D 位線 B 位線 B 存儲單元 2. RAM存儲單元 ? 靜態(tài) SRAM(Static RAM) ?T T6導(dǎo)通 ?T7 、 T8均導(dǎo)通 Xi =1 Yj =1 ?觸發(fā)器的輸出與數(shù)據(jù)線接通，該單元通過數(shù)據(jù)線讀取數(shù)據(jù)。 ? 快閃存儲器（ Flash Memory ）： 讀出操作與普通ROM相同，但寫操作是按照 Block進(jìn)行，先擦出再寫入。 1） ROM結(jié)構(gòu)示意圖 D3 D2 D1 D0 +5V R R R R OE A0 A1 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 2 線 4 線 譯碼器 存儲 矩陣 位線 字線 輸出控制電路 M=4?4 地址譯碼器 D3 D2 D1 D0 +5V R R R R OE A0 A1 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 2 線 4 線 譯碼器 ?字線與位線的交點都是一個 存儲單元。） ? 字長（位數(shù)） ：表示一個多位二進(jìn)制碼信息稱為一個字，字的位數(shù)稱為字長。 只讀存儲器 隨機(jī)存取存儲器 復(fù)雜可編程邏輯器件 * 現(xiàn)場可編程門陣列 * 用 EDA技術(shù)和可編程器件的設(shè)計例題 ? 掌握 半導(dǎo)體存儲器字 、 位 、 存儲容量 、 地址 、 等基本概念 。字?jǐn)?shù) =2n，（ n為存儲器外部地址線的線數(shù)。 (ReadOnly Memory) ROM的分類 按寫入情況劃分 固定 ROM 可編程 ROM PROM EPROM E2PROM 按存儲單元中器件劃分 二極管 ROM 三極管 ROM MOS管 ROM .1 ROM的 定義與基本結(jié)構(gòu) 存儲矩陣 地址譯碼器 地址輸入 ROM的定義與基本結(jié)構(gòu) 數(shù)據(jù)輸出 控制信號輸入 輸出控制電路 地址譯碼器 存儲矩陣 輸出控制電路 ROM主要由 地址譯碼器 、 存儲矩陣 和 輸出控制電路 三部分組成。 字線 位線 熔斷絲 ? E2PROM： 由隧道 M
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