存儲器和可編程邏輯器件-免費閱讀
【正文】 CAY ?0 CBA?1 BCADACDBCADABCBCDADCBAAADBCBCDADCBAY?????????? )(2 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 圖 用 PLA產(chǎn)生一組邏輯函數(shù) 1 A 1 B 1 C 1 D Y0 Y1 Y2 可編程“與” 陣列 與 PROM陣列的編程相比 PLA的編程簡捷得多 可編程“與” 陣列 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 （ GAL） 通用陣列邏輯（ GAL） 是一種可多次編程、可電擦除 的通用邏輯器件，它具有功能很強的可編程的輸出級，能靈活地改變工作模式。 CAY ?0 CBAY ?1 DCBDCBADCBAY ???2解： (1)由于 PROM的地址譯碼器是固定的最小項“與”陣列，所以需將 Y0~ Y2各式化為最小項形式。 (3)既無黑點 “ ?” 也無叉點 “ ?” 時，表示該點是斷開的或編程時擦除的，其對應(yīng)的變量 B不是“與”門的輸入量。 4. 片選控制： 當(dāng) CS=0時，選中該片 RAM工作， CS=1時該片 RAM不工作。使顯示設(shè)備一行行的顯示出圖 (b)的字形。 （ 2）最小項譯碼： n個地址輸入變量 A0~An最小項的數(shù)目為 N=2n。共有十六個交叉點，每個交叉點都可看作一個存儲單元。工作時，只能讀出信息，不能隨時寫入信息。 3. 會 用可編程邏輯器件 構(gòu)成簡單的邏輯函數(shù) 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 半導(dǎo)體存儲器分類： 按功能 只讀存儲器（ ROM） 隨機存取存儲器（ RAM） 按元件 雙極型存儲器 :速度快，功耗大。圖 ，W0~WN1稱為字單元的地址選擇線，簡稱字線；地址譯碼器根據(jù)輸入的代碼從 W0~WN1條字線中選擇一條字線，確定與地址代碼相對應(yīng)的一組存儲單元位置。 (2) 地址譯碼器 圖中是一個二極管譯碼器，兩位地址代碼 A1A0可指定 四 個不同的地址。 下面用 ROM構(gòu)成的字符發(fā)生器顯示字母 R來說明其工作原理。與 ROM不同的是 RAM存儲單元的數(shù)據(jù)不是預(yù)先固定的，而是取決于外部輸入信息，其存儲單元必須由具有記憶功能的電路構(gòu)成。 圖 PLD的結(jié)構(gòu)框圖 輸入電路 與 陣列 或 陣列 輸出電路 ... ... 可編程邏輯器件 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 PLD中常用邏輯符號的含義 在圖 (a)中 , 多個輸入端 “與”門只用一根輸入線表示，稱 乘積線 。說明：圖中電子開關(guān)由 PROM位線電平控制，當(dāng) D=1時，開關(guān)接基準(zhǔn)電壓 UR。 1 A2 1 A1 1 A0 ≥1 D2 D1 ≥1 D0 ≥1 圖 PLA陣列圖 可編程“或” 陣列 可編程“與” 陣列 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 例 3 : 試用 PLA產(chǎn)生例 2的一組邏輯函數(shù)。由于 GAL芯片內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，具體分析從略。 3. 電可改型只讀存儲器 (EEPROM） 盡管 EPROM能實現(xiàn)擦除重寫的目的，但由于紫外線照射時間和照度均有一定要求，擦除的速度也比較慢，為此，又產(chǎn)生了 EEPROM。 ROM存儲的內(nèi)容決定。 一般情況下，大容量的存儲器使用動態(tài) RAM；小容量的存儲器使用靜態(tài) RAM。 優(yōu)點： 讀 /寫方便 缺點： 信息容易丟失，一旦斷電，所存儲器的信息會隨之消失，不利于數(shù)據(jù)的長期保存。 輸入變量 A —— 加數(shù) B —— 加數(shù) C0 —— 低位進位數(shù) 輸出變量 S —— 本位和 C0 —— 向高位進位數(shù) 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 ROM的應(yīng)用 A B C0 十進制 最小項 被選中 字線 最小項編號 位線 S C 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 2 3 4 5 6 7 A B C0 A B C0 A B A C0 A C0 B C0 B C0 A B B C0 A C0 B A W0=1 W1=1 W2=1 W3=1 W4=1 W5=1 W6=1 W7=1 m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 表 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 根據(jù)表 ： 742
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