薄膜材料與薄膜技術(shù)復(fù)習資料-免費閱讀
【正文】 特點：可對多種化合物半導體進行外延生長。離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物部分離化，產(chǎn)生離子轟擊效應(yīng)，最終將蒸發(fā)物或反應(yīng)物沉積在基片上同：都需要真空條件，且都是物理氣相沉積技術(shù)異：離子鍍結(jié)合蒸發(fā)與濺射兩種薄膜沉積技術(shù)?；瘜W鍍：不加任何電場、直接通過化學反應(yīng)而實現(xiàn)薄膜沉積的方法陽極沉積反應(yīng)：不需采用外部電流源，在待鍍金屬鹽類的溶液中，靠化學置換的方法在基體上沉積出該金屬的方法。 ③由于這兩種理論所用模型的本質(zhì)差別，熱力學界面能理論所給出的有關(guān)公式預(yù)示，隨著過飽和度的變化，臨界核尺寸和成核速率連續(xù)變化；相反，原子理論則預(yù)示著它們不作連續(xù)變化。216。每個分子都有確定的振動頻率，因此可用紅外光譜標識薄膜中所含分子并確立分子間的鍵合特征。 簡述LB技術(shù)的過程定義：利用分子活性氣體在氣液界面上凝結(jié)成膜，將該膜逐次疊積在基片上形成分子層。填空題1. 真空區(qū)域的劃分粗真空： 低真空： 高真空：超高真空：2. 分子泵分為牽引泵、渦輪分子泵和復(fù)合分子泵注：渦輪分子泵：抽氣能力高牽引分子泵：壓縮比大，結(jié)構(gòu)簡單，轉(zhuǎn)速較小3. 電阻真空計：真空室的壓強和燈絲電阻之間存在關(guān)系：P↓→R↑, 測量范圍 熱偶真空計：氣體壓強與熱電偶電動勢之間存在關(guān)系： 測量范圍 電離真空計包含類型：?熱陰極電離真空計?冷陰極電離真空計?BA式電離真空計A：燈絲 （發(fā)射極）F：柵極（加速極） G：收集極熱氧化生長在充氣條件下，通過加熱基片的方式可以獲得大量的氧化物、氮化物和碳化物薄膜7. 化學氣相沉積方法得到的膜的性質(zhì)取決于氣體的種類和沉積條件（如溫度）等9用于制備各薄膜的化學氣相沉積涉及三個基本過程：反應(yīng)物的輸運過程，化學反應(yīng)過程，去除反應(yīng)副產(chǎn)品過程10化學氣相沉積過程中所經(jīng)常遇到的一些典型反應(yīng)有：分解反
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