【正文】
結(jié)合中這種效應(yīng)需要用電子衍射動力學理論。深度內(nèi)所經(jīng)路程隨面法線間夾角 ?的變化 90176。 100 10,000 1 Energy of Electron (eV) Quantity of Electrons (Incident beam energy : 10,000eV) Energy spectrum of the electrons emitted from a specimen Secondary Electrons Backscattered Electrons Scanning(Y) Scanning (X) l Scanning Electron Probe Specimen Scanning Electron Beam of CRT L Pixel C R T Magnification :( M)=L / l Magnifying mechanism in the SEM 第四節(jié) 形貌象解釋 二次電子產(chǎn)額強烈依賴于入射束與試樣表面法線間的夾角 ?,也就是說,如果試樣表面是凸凹不平的話,法線與入射束夾角 ?大的面發(fā)射的二次電子多,反之則少。 五、俄歇電子方式 俄歇電子 能量極低,具有元素的特征能量,適合于做表層成分分析。深度之間。這兩者主要決定入射電子束的直徑,但并不直接等于直徑。 在掃描電鏡中,電子槍發(fā)射出來的電子束,經(jīng)三個電磁透鏡聚焦后,成直徑 20微米 ~25197。給試樣的綜合分析帶來極大的方便。對重金屬而言,此激發(fā)區(qū)域是一個半球形區(qū)域。 四、透射方式 透射電子 透射電子中既有彈性散射電子也有非彈性散射電子。用光電倍增管接收、成像就可以顯示雜質(zhì)及晶體缺陷分布情況。 R r1 (b) ?=45176。 30176。如果晶帶軸的跡和投影軸的跡不重合,則表明兩軸間 成一傾角 ?,可以證明,兩晶面間夾角 ?0與 ?以及圖 (a)所示的 ? ?2之間有如下關(guān)系: 22221222212210 si nsi nc o ssi nsi nc o sc o sc o sc o ssi nsi nc o s????????????????三、實驗方法 只要采用適當?shù)膾呙璺绞?,使入射束相對于晶體表面法線的掃描角 ??連續(xù)改變就有可能得到通道花樣。 30176。 (a) ?=0176。 七、陰極發(fā)光方式 可見光 有些物質(zhì)在高能電子束轟擊下會發(fā)光,發(fā)光波長與雜質(zhì)原子和基體物質(zhì)有關(guān)。被反射電子信號可以顯示表面形貌,還可以顯示元素分布。這些射線的能量或穿透能力各不相同,只有一定深度一定能量的射線才能逸出表面,被檢測到。試樣在電子束作用下,激發(fā)出各種信號,信號的強度取決于試樣表面的形貌、受激區(qū)域的成分和晶體取向。置于末級透鏡上部的掃描線圈能使電子束在試樣表面上做光柵狀掃描。 二、放大倍數(shù) 掃描電鏡的放大倍率 M取決于顯像管熒光屏尺寸 S2和入射束在試樣表面掃描距離 S1之比,即 12SSM ?三、入射電子在試樣內(nèi)的激發(fā)區(qū)域 入射電子在被散射或吸收之前,將在試樣表面下的某個距離 R范圍內(nèi)運動,并激發(fā)各種射線。 二、反射方式 被反射電子 能量與入射電子能量相當,來自表面層幾個微米的深度范圍。特征 X射線的波長因試樣元素不同而不同,其相對強度與元素含量有關(guān)。探測器愈是垂直于試樣表面,所收集到的二次電子數(shù)也就愈多。 60176。 如果晶帶軸的跡和投影軸的跡重合,則屬于此晶帶的任何兩通帶間夾角即等于相應(yīng)的兩個晶面間的夾角。 60176。 R r2 ? ? R r3 (c) ?=65176。 八、感應(yīng)信號方式 感應(yīng)電信號 半導體和絕緣體在高速電子束的轟擊下會在其中產(chǎn)生空穴 電子對,感應(yīng)信號就是以此作信號的一種工作方式。其能量大小取決于試樣的性質(zhì)和厚度。不同的信號來自此激發(fā)區(qū)內(nèi)不同的深度。 SE Detector Specimen CRT Camera Amplifier Image Signal High Voltage Deflection Coils Deflection Amplifier Vacuum Pump Filament Wehnelt Electron Gun Anode Condenser Lens Deflection Coils Objective Lens Specimen Chamber Scanning Electron Beam Ma