《電子顯微術》ppt課件-全文預覽
【正文】 深度（ Z） 和廣度（ R） Secondary Electrons Carrying Surface Information Of Specimen 一 一 一 一 一 一 一 一 一 一 一 一 一 一 一 Z Excitation Depth for Secondary Electron Emission 一 一 一 Secondary Electrons SE SE Secondary Electrons Carrying Inner Information Of Specimen Primary Electron Beam BSE Backscattered Electrons Specimen SE and BSE emitted from solid sample 1kV 2kV 3kV 10 20 30 40 50 (nm) Beam Invading depth Theory of Scanning Electron Microscope ↓ ↓ ↓ Primary Electron Beam Secondary Electron Backscattered Electron Cathodeluminescence Specimen Current Transmitted Electron Electron Beam Induced Current Secondary Electron Detector ~10nm (Excitation Volume for Secondary Electron Emission) Transmitted Electron (Scattered) Characteristic XRay The primary electron beamspecimen interaction in the SEM 第三節(jié) 電子束與試樣相互作用激發(fā)的各種信號及工作方式 一、發(fā)射方式 二次電子 二次電子能量大致在0~30eV之間，多數來自表面層下部 5~50197。被反射電子信號可以顯示表面形貌，還可以顯示元素分布?？梢燥@示成分分布。 七、陰極發(fā)光方式 可見光 有些物質在高能電子束轟擊下會發(fā)光，發(fā)光波長與雜質原子和基體物質有關。這種方式可以顯示半導體、絕緣體的表面形貌、晶體缺陷、微等離子體和 pn結。 (a) ?=0176。 r3＞ r2＞ r1 入射電子在試樣表層下 50197。 30176。 試樣 0 20 40 60 80 2 4 6 8 10 接收的二次電子 ? 二次電子收得數角分布曲線 二次電子收得數與入射束 試樣面法線間夾角分布曲線 Theory of Scanning Electron Microscope Comparison of objective movable aperture hole size Focus Depth → Deep Focus Depth → Shallow Aperture Size : Small Aperture Size : Large Specimen : Si on Photo Resist Pattern Theory of Scanning Electron Microscope After correction Before correction Under focus Just focus Over focus Just focus Astigmatism correction method Specimen:Trachea of rat Theory of Scanning Electron Microscope W filament SEM Out lens FESEM Snorkel lens FESEM InLens FESEM 10 30 10 20 Acc.(kV) Resolution (nm) Comparison of resolution Comparison of high and l
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