【摘要】第7章半導(dǎo)體存儲器北京大學(xué)出版社第7章半導(dǎo)體存儲器微機原理與接口技術(shù)概述存儲器系統(tǒng)計算機的存儲器系統(tǒng)是由兩大部分組成:一部分叫內(nèi)部存儲器,簡稱為內(nèi)存或主存;另一部分叫外部存儲器,簡稱為外存或輔存。1.計算機系統(tǒng)中存儲器系統(tǒng)組成圖存儲系統(tǒng)的多層次結(jié)構(gòu)第7章半導(dǎo)體存儲
2025-09-26 01:41
【摘要】第6章半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子本章學(xué)習(xí)要點:1.掌握過剩載流子產(chǎn)生與復(fù)合的概念;2.掌握描述過剩載流子運動特性的連續(xù)性方程及擴散方程;3.掌握雙極輸運方程及其典型的應(yīng)用實例;4.建立準(zhǔn)費米能級的概念;5.了解分析過剩載流子的復(fù)合過程及其壽命;6.了解表面效應(yīng)對過剩載流子復(fù)合的影響。
2025-05-06 12:48
【摘要】上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體器件物理第一章半導(dǎo)體特性上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院第1章半導(dǎo)體特性半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶半導(dǎo)體中的雜質(zhì)與缺陷載流子的運動非平衡載流子習(xí)題上海電子信息職業(yè)
2025-01-13 12:12
【摘要】導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體物體的導(dǎo)電能力,一般用材料電阻率的大小來衡量。電阻率越大,說明這種材料的導(dǎo)電能力越弱。表1-1給出以電阻率來區(qū)分導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體的大致范圍。物體電阻率導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體Ω·CM10e9
2025-01-13 12:26
【摘要】我的信息最高能帶填滿,再高的各能帶是空的5~7gEeV?2gEev?由于熱激發(fā),滿帶電子躍遷到上面的空帶,兩個能帶都成了不滿帶,具備導(dǎo)電能力。為什么Si、Ge是半導(dǎo)體而金剛石是絕緣體?Ge的4個價電子Si的4個價電子金剛石的4個價電子134,
2025-08-01 06:42
【摘要】第一章微電子工藝概述?微電子工藝是指微電子產(chǎn)品的制作方法、原理、技術(shù)。不同產(chǎn)品的制作工藝不同,且繁瑣復(fù)雜,但可以分解為多個基本相同的小單元,就是單項工藝,不同產(chǎn)品的制作就是將單項工藝按需要排列組合來實現(xiàn)的。?芯片制造半導(dǎo)體器件制作在硅片表面僅幾微米的薄層上,在一片硅片上可以同時制作幾十甚至上百個特定的芯片。?芯片制造涉及五個大的制造
2025-05-07 12:40
【摘要】哈爾濱工業(yè)大學(xué)電工學(xué)教研室第11章常用半導(dǎo)體器件返回半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性PN結(jié)半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓管半導(dǎo)體三極管目錄返回電工和電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展史?一、電學(xué)的早期發(fā)展?1.摩
2025-05-12 06:37
【摘要】半導(dǎo)體器件習(xí)題-PN結(jié)和三極管田野3月14日作業(yè)?1、討論影響共射極電流增益的因素;?2、比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴散晶體管的優(yōu)越性。1、討論影響共射極電流增益的因素??出現(xiàn)在P278表?其中NB、NE為基極、發(fā)射極摻雜濃度DB、
2025-05-06 12:44
【摘要】1預(yù)祝各位同學(xué)在本門課程的學(xué)習(xí)中取得優(yōu)異成績!盧健康老師愿為大家學(xué)好本門課程盡心盡力!2課程名稱:模擬與數(shù)字電子技術(shù)教材:電子技術(shù)(電工學(xué)II比電工技術(shù)難但更有趣)史儀凱主編緒論一、內(nèi)容體系:1、模擬電子技術(shù)(教材第1~5章)重點:第
【摘要】上頁返回1-1電子技術(shù)電工學(xué)II主講孫媛第一章半導(dǎo)體器件上頁返回1-3第一章半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體的基本知識與PN結(jié)§二極管§穩(wěn)壓二極管§雙極結(jié)型晶體管§場效晶體管
2025-01-19 01:25
【摘要】第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求材料學(xué)院徐桂英半導(dǎo)體材料第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求?半導(dǎo)體材料的實際應(yīng)用是以其作出的器件來實現(xiàn)的。?器件對材料的要求總的說來有兩個方面:?一方面是根據(jù)器件的功能來選擇能滿足其性能的材料,這包括材料的能帶結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、遷移率、光學(xué)性質(zhì)等;?另一方面,在材料選定后,要使材料具有
2025-05-06 12:45
【摘要】西安電子科技大學(xué)計算機學(xué)院吳自力202221第一章半導(dǎo)體器件本章是本課程的基礎(chǔ),應(yīng)著重掌握以下要點:(1)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。(2)PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦裕?)三極管的結(jié)構(gòu)、類型及其電流放大原理(4)三極管的特性及其主要參數(shù)本章內(nèi)容:§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識§PN結(jié)
2025-05-06 12:41
【摘要】化合物半導(dǎo)體材料與器件?輸運:載流子的凈流動過程稱為輸運。?兩種基本輸運體制:漂移運動、擴散運動。?載流子的輸運現(xiàn)象是最終確定半導(dǎo)體器件電流-電壓特性的基礎(chǔ)。?假設(shè):雖然輸運過程中有電子和空穴的凈流動,但是熱平衡狀態(tài)不會受到干擾。?涵義:n、p、EF的關(guān)系沒有變化。(輸運過程中特定位置的載流子濃度不發(fā)生變化)?熱運動的速度遠遠超
2025-05-06 06:14
【摘要】第四章光源主要內(nèi)容半導(dǎo)體物理簡介發(fā)光二極管(LED)半導(dǎo)體激光器(LD)光源的物理基礎(chǔ)半導(dǎo)體物理原子的能級、能帶以及電子躍遷自發(fā)輻射與受激輻射半導(dǎo)體本征材料和非本征材料原子核電子高能級低能級孤立原子的能級圍繞原子核旋轉(zhuǎn)的電子能量不能任意取值,只能取
【摘要】中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices1半導(dǎo)體器件原理TheoryofSemiconductorDevices聯(lián)系方式中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices2前言半導(dǎo)體器件進展中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系
2025-04-13 23:58