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【正文】 光電器件 死區(qū)電壓 : ~ 工作電 壓 : ~ 工作電流： 5~15mA 反向擊穿電壓： 10V（一般） 上 頁 返 回 180 光敏器件 反向電流隨光照強度的增加而上升。基極電流的變化量為 ?IB， 相應(yīng)的集電極電流變化為 ?IC， 則 交流電流放大倍數(shù) 為： BII C????1. 電流放大倍數(shù) ? ___?上 頁 返 回 146 例： UCE=6V時 ： IB = 40 ?A, IC = mA； IB = 60 ?A, IC = mA。 上 頁 返 回 139 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏， ?IBIC，UCE? 稱為飽和區(qū)。 ?? k2LR解： 令輸入電壓達到上限時，流過穩(wěn)壓管的電流為 Izmax 。 當(dāng) A、 B端的電位為 3V、 0V時，二極管設(shè) DB導(dǎo)通、 DA反偏截止；忽略正向壓降，輸出端 F的電位 VF為 0V。 R E 上 頁 返 回 121 單向?qū)щ娦? PN結(jié)加反向電壓截止 ? 當(dāng) PN結(jié)加反向電壓時，外電場與內(nèi)電場方向相同，空間電荷區(qū)變寬，漂移運動加劇。 上 頁 返 回 115 漂移運動 P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴散運動 內(nèi)電場 E 所以擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，相當(dāng)于兩個區(qū)之間沒有電荷運動，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 N 型半導(dǎo)體： 自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（電子半導(dǎo)體）。 上 頁 返 回 18 溫度越高，載流子的濃度越高。 絕緣體： 有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為 絕緣體 ，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。上 頁 返 回 11 電子技術(shù) 電工學(xué) II 主講 孫媛 第一章 半導(dǎo)體器件 上 頁 返 回 13 第一章 半導(dǎo)體器件 167。 半導(dǎo)體： 另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為 半導(dǎo)體 ，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強，溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點。 上 頁 返 回 110 上 頁 返 回 111 上 頁 返 回 112 N 型半導(dǎo)體中的載流子是什么？ 摻雜濃度遠大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。 上 頁 返 回 116 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空間 電荷區(qū) N型區(qū) P型區(qū) 電位 V V0 上 頁 返 回 117 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN 結(jié) 加上正向電壓 、 正向偏置 的意思都是 ： P 區(qū)加正、 N 區(qū)加負電壓。由于電源的作用，漂移運動不斷地進行，形成反向電流，其值非常小，可忽略。 上 頁 返 回 126 穩(wěn)壓二極管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 穩(wěn)壓誤差 曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。 求： 電阻 R和輸入電壓 ui 的正常值。 上 頁 返 回 140 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中
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