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【正文】 小結(jié) APCVD 工藝僅用于 SiO2 膜的淀積，其主要問(wèn)題是顆粒與粉塵的形成。 (2) 為了在光刻系統(tǒng)焦深較小的情況下 ， 能對(duì)以后的布線層進(jìn)行清晰的曝光 ， 必須解決表面平坦化問(wèn)題 。 對(duì)于以上第（ 1）、（ 2）兩個(gè)困難，現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出在銅與硅襯底之間引入過(guò)渡層的技術(shù)，此過(guò)渡層不僅能改善銅與硅襯底之間的附著性，同時(shí)還能起到阻止銅向硅襯底擴(kuò)散的作用。金互連線的成本較高，主要用于 GaAs 集成電路中。再考慮到電源電壓的趨勢(shì)是不斷降低，所以互連線的寄生串連電阻問(wèn)題將更加嚴(yán)重。 金屬 CVD 金屬進(jìn)入接觸孔時(shí)要求有良好的臺(tái)階覆蓋，而 CVD 工藝有極好的臺(tái)階覆蓋性，所以用 CVD 工藝淀積金屬薄膜有重要意義。 950℃ 時(shí) ， 厚度 100197。 CVD 法的反應(yīng)發(fā)生在 SiO2 的表面，膜厚與時(shí)間始終成線性關(guān)系。反應(yīng)室中殘存的氧和水可能與硅反應(yīng)形成 SiO2 。 當(dāng)溫度較低時(shí)， hg ks ， J = ksCg ，淀積速率由 ks 決定。 ggaDhT??? 在硅片表面處發(fā)生反應(yīng)，生成薄膜。 一種簡(jiǎn)單的硅淀積 CVD 系統(tǒng) 如果反應(yīng)是在硅片上方的氣體中發(fā)生的，稱為 同質(zhì)反應(yīng) 。 廢氣排出 2H2 集成電路制造中所用的薄膜材料 ， 包括介質(zhì)膜 、 半導(dǎo)體膜 、導(dǎo)體膜等 ， 幾乎都能用 CVD 工藝來(lái)淀積 ， 例如 介質(zhì)： SiO Si3N PSG、 BSG、 Al2O TiO Fe2O3 半導(dǎo)體： Si、 Ge、 GaAs、 GaP、 AlN、 InAs、 多晶硅 導(dǎo)體： Al、 Ni、 Au、 Pt、 Ti、 W、 Mo、 WSi2 CVD 工藝的臺(tái)階覆蓋性也很好 。 此外，蒸發(fā)和濺射主要用于金屬薄膜的淀積，不太適用于半導(dǎo)體薄膜和絕緣薄膜的淀積。冷壁是指壁溫低于晶片溫度，可采用射頻感應(yīng)或電阻發(fā)熱方式在反應(yīng)室內(nèi)對(duì)基座進(jìn)行加熱。 主氣流， v0 反應(yīng)氣體 基座 滯流層 x y L 滯流層厚度將隨氣流方向的距離 x 而變化， 12m g 0() xxv?????? ???? 滯流層在長(zhǎng)度為 L 的基座上的平均厚度為 式中， 為氣體的粘滯系數(shù)， 為氣體的質(zhì)量密度。 ggaDhT???as eEkTk ??式中， 當(dāng)溫度較高時(shí)， hg ks ， J = hgCg ，淀積速率由 hg 決定。 CVD 薄膜的臺(tái)階覆蓋性通常是很好的。 APCVD 中影響膜厚均勻性的因素： (1) 的不均勻，(2) 反應(yīng)劑濃度由前至后的下降。 ???pm g 01v? ???ggDh?? ?? 當(dāng)氣壓由 750 Torr 降到 Torr 時(shí)， hg 將增大約 100 倍，使得 ks hg ，于是淀積速率由 ks 控制，變得與溫度關(guān)系密切而與氣流關(guān)系不大。 工作氣體 射頻源 陰 極 陽(yáng) 極 加熱器 PECVD 通常用于淀積絕緣層，所以必須用射頻方式產(chǎn)生等離子體。 金屬 CVD 工藝還可以用于淀積作為互連線的 Al 、 AlSi 和 AlCuSi、作為接觸層或阻擋層的 Mo 和 TiN、 Cu 互連技術(shù)中的 Cu 等，例如， 3 3 2 44 3 25235 0 ~ 55 0 C2 A l( CH ) 3 H 2 A l 6CH70 0 ~
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