【正文】 知識(shí)產(chǎn)權(quán)授權(quán)使用費(fèi)本項(xiàng)目知識(shí)產(chǎn)權(quán)授權(quán)使用費(fèi)是指項(xiàng)目建設(shè)所需要的IP授權(quán)使用費(fèi)用。資金預(yù)算見(jiàn)附表：投資計(jì)劃與資金籌措表。硬件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室主要用作NAND Flash硬件解決方案的技術(shù)改造，核心模塊的電路設(shè)計(jì)、仿真、測(cè)試。規(guī)范封裝生產(chǎn)過(guò)程及封裝產(chǎn)品QC驗(yàn)收品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)，以保證產(chǎn)品品質(zhì)符合客戶要求，并規(guī)范封裝可靠性要求。公司在研發(fā)體系內(nèi)部建立了完整的IC 技術(shù)研發(fā)系統(tǒng)，進(jìn)行技術(shù)和產(chǎn)品交付的流程管理，并由產(chǎn)品研發(fā)系統(tǒng)對(duì)外實(shí)現(xiàn)以客戶為導(dǎo)向的整體解決方案。4) T+23月T+27月，完成2x nm NAND Flash芯片后端設(shè)計(jì)與驗(yàn)證。高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)或其他IT企業(yè)較為集中的地段四周設(shè)置環(huán)形道路，滿足消防要求。本項(xiàng)目主要采用生活供水系統(tǒng)。隨著線寬尺寸的不斷收縮，浮柵單元之間也不斷靠近，由于被俘獲的電子在浮柵內(nèi)部并非固定不動(dòng)，這也就導(dǎo)致了臨近的單元之間能夠相互影響甚至引起閾值電壓的變化。因此，為了減少寫(xiě)入、讀取、擦除數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間，NAND ，需要超高壓產(chǎn)生電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。在MLC技術(shù)中，精確控制閾值技術(shù)可以將浮置刪極電壓細(xì)分為更多等級(jí)，從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)更多位數(shù)的數(shù)據(jù)。由公司提交芯片設(shè)計(jì)文件，代工廠進(jìn)行生產(chǎn)。5芯片前端設(shè)計(jì)由IC設(shè)計(jì)組提供，根據(jù)算法與PRD的要求，確定芯片基本結(jié)構(gòu)，包括總線結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)、DSP分布等。(6) 靈活快速的擦寫(xiě)方式本項(xiàng)目開(kāi)發(fā)的NAND Flash支持1位至256位編程，支持4KB/32KB/64KB 的塊擦除和芯片擦除，擦寫(xiě)方式更加靈活高效?？扉W存儲(chǔ)器擦除和讀寫(xiě)技術(shù)快閃存儲(chǔ)器擦除技術(shù)和讀寫(xiě)技術(shù)決定了存儲(chǔ)器重置和代碼讀取和寫(xiě)入讀取速度。經(jīng)過(guò)近幾年的發(fā)展，XXX公司積累了較多技術(shù)，具體來(lái)說(shuō)，有如下技術(shù)：SLC技術(shù)在浮置柵極與源極之中的氧化層薄膜更薄，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)通過(guò)對(duì)浮置柵極的電荷加電壓，然后透過(guò)源極，即可將所儲(chǔ)存的電荷消除，通過(guò)這樣的方式，便可儲(chǔ)存1 個(gè)信息單元。冬季盛行偏北風(fēng)；夏季盛行偏南風(fēng)；春多西南風(fēng)，冷空氣前下時(shí)則主要為偏北大風(fēng)；秋季為偏南風(fēng)向偏北風(fēng)過(guò)渡的季節(jié)。實(shí)驗(yàn)室分別為芯片研發(fā)實(shí)驗(yàn)室、硬件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和軟件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室。第一年在原有芯片、軟件、系統(tǒng)設(shè)備的基礎(chǔ)上，引入研發(fā)設(shè)備；同時(shí)通過(guò)內(nèi)部調(diào)撥和外部招聘兩種方式配置研發(fā)人員，完成人員的培訓(xùn)；著手對(duì)NAND Flash進(jìn)行升級(jí)和研發(fā)。具體的實(shí)施主要由產(chǎn)品部與研發(fā)部共同承擔(dān)。（三）市場(chǎng)基礎(chǔ)XXX公司已與展訊通信、三星、芯微星科技等用戶建立了良好的客戶關(guān)系，市場(chǎng)對(duì)公司NOR Flash芯片及服務(wù)認(rèn)可度較高。公司在SPI NOR Flash存儲(chǔ)器芯片數(shù)據(jù)讀取方面積累了非常豐富的IP，在高速、高可靠性的NOR Flash存儲(chǔ)器芯片方面具有國(guó)際領(lǐng)先的技術(shù)積累。比如，F(xiàn)lash芯片一次性擦除、Flash芯片信號(hào)放大器、多層芯片堆疊技術(shù)等，經(jīng)過(guò)多次反復(fù)測(cè)試和驗(yàn)證，具備國(guó)際領(lǐng)先的技術(shù)。Fabless的模式很好的解決了公司在生產(chǎn)環(huán)節(jié)的巨資投入，增加了公司產(chǎn)能的靈活性，公司在產(chǎn)品產(chǎn)能擴(kuò)充、制程升級(jí)、新產(chǎn)品研發(fā)方面具有非常大的靈活性和時(shí)效性。公司建立了一套完善的產(chǎn)品研發(fā)流程和研發(fā)項(xiàng)目管理制度，保證了公司的研發(fā)項(xiàng)目的質(zhì)量。在MCU產(chǎn)品市場(chǎng)拓展方面，公司還與周立功以及多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的IDH廠商合作，為公司未來(lái)的MCU產(chǎn)品解決方案研發(fā)和市場(chǎng)推廣奠定基礎(chǔ)。公司芯片產(chǎn)品主要應(yīng)用于移動(dòng)終端、一般采用電池供電，便攜性、續(xù)航時(shí)間成為產(chǎn)品最重要的指標(biāo)，公司產(chǎn)品的低功耗優(yōu)勢(shì)迎合了產(chǎn)業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)，同時(shí)迎合了綠色、節(jié)能、環(huán)保的發(fā)展趨勢(shì)。XXX公司目前擁有170多名員工，其中研發(fā)人員92人，研發(fā)人員在員工總?cè)藬?shù)中的占比超過(guò)51%，%，%，整體團(tuán)隊(duì)素質(zhì)較高；%，%，年齡結(jié)構(gòu)合理，老中青梯隊(duì)結(jié)構(gòu)穩(wěn)固。同時(shí)公司積極開(kāi)發(fā)NAND Flash存儲(chǔ)器芯片、NAND Flash存儲(chǔ)器控制芯片以及ARM Cortex M3 MCU產(chǎn)品等，并且掌握了NAND Flash存儲(chǔ)器和MCU方面的多項(xiàng)專利技術(shù)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、個(gè)人電腦及周邊，網(wǎng)絡(luò)、電信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、辦公設(shè)備、汽車電子及工業(yè)控制設(shè)備等眾多領(lǐng)域。芯片集成度不斷提高移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的興起使得各終端所采用的NAND Flash產(chǎn)品需具備更高的集成度。圖34 20122014年中國(guó)NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（按銷售額）數(shù)據(jù)來(lái)源：賽迪顧問(wèn) 2012，10（二）市場(chǎng)結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)未來(lái)三年，MLC、TLC仍將是NAND Flash市場(chǎng)發(fā)展的主要推動(dòng)力，由于中國(guó)NAND Flash主要用于Flash Card、手機(jī)和平板電腦等消費(fèi)市場(chǎng)，TLC的增長(zhǎng)尤其明顯。另外Intel積極推動(dòng)大量應(yīng)用SSD的超級(jí)本概念、均是NAND Flash市場(chǎng)另一批強(qiáng)勁的增長(zhǎng)點(diǎn)。因此，從增加公司長(zhǎng)遠(yuǎn)競(jìng)爭(zhēng)力的角度來(lái)說(shuō)，公司在已有NOR Flash產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，也必須研發(fā)NAND Flash產(chǎn)品，向具有更大市場(chǎng)前景的NAND Flash市場(chǎng)進(jìn)軍。（三）從市場(chǎng)角度看，本項(xiàng)目投資滿足了應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)高性價(jià)比小容量NAND Flash的需求由于市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)，考慮到成本、效益、規(guī)模等因素的影響，國(guó)際大廠紛紛轉(zhuǎn)向大容量NAND Flash市場(chǎng)，放棄停止小容量的NAND Flash市場(chǎng)，使得小容量NAND Flash市場(chǎng)存在供應(yīng)緊缺。（二）從技術(shù)角度看，本項(xiàng)目投資有利于實(shí)現(xiàn)從NOR Flash向NAND Flash的技術(shù)跨越，深化開(kāi)發(fā)更低線寬閃存技術(shù)。2011年，中國(guó)集成電路芯片設(shè)計(jì)企業(yè)總數(shù)達(dá)503家，但整體銷售額僅為美國(guó)高通一家企業(yè)的1/2之多，國(guó)內(nèi)外集成電路設(shè)計(jì)業(yè)差距明顯。這樣將極大增加手機(jī)廠商的設(shè)計(jì)難度和成本。NAND Flash存儲(chǔ)容量和響應(yīng)速度可以滿足智能化產(chǎn)品對(duì)處理速度和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的要求。（三）技術(shù)進(jìn)步使得國(guó)際大廠紛紛由NOR Flash轉(zhuǎn)向NAND Flash市場(chǎng)從主流快閃存儲(chǔ)器企業(yè)發(fā)展歷程來(lái)看，國(guó)際大廠剛開(kāi)始以研發(fā)生產(chǎn)NOR Flash為主，當(dāng)技術(shù)積累和創(chuàng)新能力達(dá)到一定程度之后，便紛紛轉(zhuǎn)向NAND Flash的研發(fā)和生產(chǎn)。NAND存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化，可以填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，有效化解潛在NAND存儲(chǔ)器供給風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)增強(qiáng)我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，對(duì)于加強(qiáng)我們信息產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略基礎(chǔ)，具有十分重要的作用。然而，國(guó)際企業(yè)壟斷了NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)，包括三星電子、美光科技、東芝、海力士等，市場(chǎng)占有率超過(guò)60%。高集成度、低功耗、穩(wěn)定性強(qiáng)的芯片研發(fā)難度較高，一般要較長(zhǎng)時(shí)間的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的開(kāi)發(fā)和積累才能完成。（三）項(xiàng)目建設(shè)方式項(xiàng)目辦公場(chǎng)地將采取購(gòu)置形式，項(xiàng)目所需設(shè)備、軟件擬采用購(gòu)買的方式，項(xiàng)目的研發(fā)采用自主研發(fā)的方式，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)成員擬采用社會(huì)招聘與企業(yè)內(nèi)部招聘相結(jié)合，項(xiàng)目所需資金擬采用IPO方式募集。第三年在繼續(xù)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)和研發(fā)的基礎(chǔ)上，加快產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，加大市場(chǎng)推廣力度，盡可能的利用現(xiàn)有產(chǎn)品渠道，同時(shí)開(kāi)拓新市場(chǎng)，擴(kuò)大市場(chǎng)銷售收入。二、編制依據(jù)《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十二個(gè)五年規(guī)劃綱要》（2011）《“十二五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》（2012）《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（20062020年）》《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》（國(guó)發(fā)〔2011〕4號(hào)）《“十二五”產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新規(guī)劃》（2011）《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》（2009）《工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)規(guī)劃（2011—2015年）》（2011）《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（20112015年）》《軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》（2012）《20062020年國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略》《產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移指導(dǎo)目錄（2012年本）》1《北京市“十二五”時(shí)期電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》(2011)1《北京市軟件和信息服務(wù)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》（2011）1《我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù)和重要產(chǎn)品目錄》（2007）1《國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路企業(yè)認(rèn)定管理辦法（試行）》（發(fā)改高技[2005]2136號(hào)）1XXX公司提供的各項(xiàng)基礎(chǔ)資料1中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)研究院和賽迪顧問(wèn)股份有限公司提供的相關(guān)資料1國(guó)家現(xiàn)行的其他有關(guān)法規(guī)、標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范等三、項(xiàng)目概要（一）項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容通過(guò)本項(xiàng)目，開(kāi)發(fā)2x nm及以上先進(jìn)制程 NAND Flash產(chǎn)品，設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)功能和性能強(qiáng)大的NAND Flash系列芯片，及NAND Flash綜合應(yīng)用解決方案，服務(wù)小容量快閃存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)需求，同時(shí)瞄準(zhǔn)eMMC、SSD等應(yīng)用市場(chǎng)，滿足智能化產(chǎn)品和大容量市場(chǎng)需求。（二）項(xiàng)目建設(shè)目標(biāo)為降低項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)，優(yōu)化項(xiàng)目流程，本項(xiàng)目計(jì)劃分三期進(jìn)行投入。會(huì)議室分別為可容納50人的大會(huì)議室和可容納10人的小會(huì)議室，主要用于接待客戶、日常工作會(huì)議以及項(xiàng)目組討論等。因此，本項(xiàng)目預(yù)計(jì)研發(fā)的NAND Flash存儲(chǔ)芯片面向廣闊的市場(chǎng)空間。本項(xiàng)目以存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈核心存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)為研發(fā)目標(biāo)，項(xiàng)目建成后將促進(jìn)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，加快核心技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化，為產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)一批高科技的技術(shù)市場(chǎng)人才。國(guó)際企業(yè)在NAND存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)先好幾代產(chǎn)品。總體來(lái)看，智能手機(jī)等移動(dòng)終端多種應(yīng)用、娛樂(lè)需求，要求配備大容量存儲(chǔ)器。由于NAND Flash在容量、工藝可實(shí)施性上全面超越NOR Flash，使得國(guó)際大廠紛紛由NOR Flash轉(zhuǎn)向NAND Flash市場(chǎng)。（五）eMMC、SSD應(yīng)用前景為NAND Flash帶來(lái)巨大的增長(zhǎng)空間由于NAND Flash芯片來(lái)自于三星、東芝、海力士、美光等不同廠商。此外，以集成電路形式的NAND Flash(與非門閃存)芯片作為存儲(chǔ)介質(zhì)的固態(tài)硬盤(Solid State Disk，SSD)成為目前應(yīng)用最廣發(fā)展最快的半導(dǎo)體存儲(chǔ)介質(zhì)硬盤。發(fā)展NAND Flash能占領(lǐng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)，有利于打破國(guó)際壟斷，為產(chǎn)業(yè)鏈上游爭(zhēng)取到更多的話語(yǔ)權(quán)。而NAND Flash由于其在容量、工藝可實(shí)施性上全面超越NOR Flash。XXX公司可以借助中芯國(guó)際28nm 的邏輯生產(chǎn)線來(lái)發(fā)展快閃存儲(chǔ)器，節(jié)省了大規(guī)模的固定資產(chǎn)的投入，具有較大優(yōu)勢(shì)。在快速增長(zhǎng)的終端產(chǎn)品帶動(dòng)下，國(guó)內(nèi)NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模也在逐年迅速擴(kuò)大。圖32 2011年中國(guó)NAND Flash市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)（按銷售額，單位：億元）數(shù)據(jù)來(lái)源：賽迪顧問(wèn) 2012，10二、品牌結(jié)構(gòu)從品牌結(jié)構(gòu)來(lái)看，Samsung %的份額排名市場(chǎng)第一，Toshiba市場(chǎng)份額則位列第二。同時(shí)市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)仍以智能手機(jī)、平板電腦和固態(tài)硬盤為主要成長(zhǎng)領(lǐng)域，衛(wèi)星導(dǎo)航、智能電視等新的需求和應(yīng)用也是新的增長(zhǎng)點(diǎn)；傳統(tǒng)閃存卡和便攜式音樂(lè)播放器市場(chǎng)逐漸萎縮，閃存盤市場(chǎng)出現(xiàn)平穩(wěn)的波動(dòng)。第四章 項(xiàng)目建設(shè)單位概況及競(jìng)爭(zhēng)能力分析一、公司發(fā)展歷程公司研發(fā)的主要產(chǎn)品為Serial Flash及MCP，產(chǎn)品具有高可靠性、低功耗、高耐久性等特點(diǎn)。公司的NOR Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品具有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)品定位為客戶提供高速、高可靠性的NOR Flash 存儲(chǔ)器產(chǎn)品及服務(wù)。為了滿足行業(yè)領(lǐng)域客戶需求，公司積極拓展產(chǎn)品嵌入式領(lǐng)域以及Flash產(chǎn)品燒錄等方面服務(wù)，積累了大量的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。公司主要工程師均來(lái)自東芝、NEC、華為、普天技術(shù)研究院、中芯國(guó)際、復(fù)旦微電子等國(guó)際知名半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及制造企業(yè)，在Flash芯片設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、MCU處理器方面擁有世界領(lǐng)先的技術(shù)成果和豐富的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。目前公司為三星、展訊、RDA Microelectronics、康佳、華碩、群光、技嘉、光寶等國(guó)際知半導(dǎo)體企業(yè)提供NOR Flash產(chǎn)品，公司的客戶企業(yè)數(shù)量超過(guò)300家。近年來(lái)，公司發(fā)現(xiàn)了SPI NOR Flash存儲(chǔ)器芯的商業(yè)機(jī)會(huì)，帶領(lǐng)公司開(kāi)拓了新市場(chǎng)，并且成為國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。公司需要投入大量的人力和物力維護(hù)產(chǎn)線，拖慢了新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)度、客戶服務(wù)質(zhì)量的提升。六、項(xiàng)目建設(shè)的有利條件（一）技術(shù)基礎(chǔ)MCU向著集成大容量Flash芯片的方向發(fā)展，公司進(jìn)入NOR Flash行業(yè)較早，已經(jīng)積累了豐富的技術(shù)基礎(chǔ)，具體如下：完善的SPI NOR Flash芯片自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的IP。完整的超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)能力。在通用ARM架構(gòu)處理器設(shè)計(jì)中，通用接口以及開(kāi)發(fā)平臺(tái)軟件的開(kāi)發(fā)決定了處理器應(yīng)用廣泛性，公司在通用接口以及軟件平臺(tái)開(kāi)發(fā)方面積累了豐富的技術(shù)，具備了產(chǎn)業(yè)化的需要的核心技術(shù)。公司整體工作完全按照現(xiàn)代化管理制度，在服務(wù)的各個(gè)階段均有嚴(yán)格要求，實(shí)現(xiàn)管理科學(xué)化、規(guī)范化和網(wǎng)絡(luò)化，使XXX公司原有的技術(shù)服務(wù)優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步發(fā)展擴(kuò)大，全力打造XXX公司的品牌。本項(xiàng)目的成功實(shí)施，將實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)閃存芯片設(shè)計(jì)企業(yè)在NAND Flash領(lǐng)域的突破，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水準(zhǔn)。設(shè)備包括開(kāi)發(fā)PC機(jī)、工作站和EDA開(kāi)發(fā)工具、版本管理軟件、高速示波器、頻譜分析儀、信號(hào)源等軟硬件設(shè)備。自然條件項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)位于北京，北京的氣候?yàn)榈湫偷呐瘻貛О霛駶?rùn)大陸性季風(fēng)氣候，夏季炎熱多雨，冬季寒冷干燥，春、秋短促。公司目前研發(fā)的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品采用公司自己開(kāi)發(fā)的IP、串行接口技術(shù)、低功耗技術(shù)等，公司開(kāi)發(fā)的快閃存儲(chǔ)芯片支持超過(guò)100MB/S的高速率傳輸，以及快閃存儲(chǔ)器中代碼的讀寫(xiě)速度優(yōu)化，這些為公司產(chǎn)品在市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng)力奠定了良好的基礎(chǔ)等。低功耗快閃存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)技術(shù)低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為芯片行業(yè)的一大發(fā)展趨勢(shì)，因而也就成為了電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中普遍關(guān)注的難點(diǎn)與熱點(diǎn)，特別是對(duì)于移動(dòng)設(shè)備系統(tǒng)，而且對(duì)于筆記本、平板電腦、嵌入式設(shè)備設(shè)備都有體積和質(zhì)量的約束。本項(xiàng)目設(shè)計(jì)技術(shù)上的領(lǐng)先帶來(lái)成本上的領(lǐng)先，采用精確控制閾值的MLC技術(shù)，芯片成本比同時(shí)期競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的成本更低，這給產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力帶來(lái)巨大的優(yōu)勢(shì)。2產(chǎn)品需求分析由市場(chǎng)部門提供，根據(jù)市場(chǎng)需求分析中預(yù)測(cè)的趨勢(shì)，進(jìn)一步詳細(xì)闡述即將研發(fā)產(chǎn)品的特性。后端仿真驗(yàn)證主要是監(jiān)測(cè)電路邏輯的正確性。本項(xiàng)目的成功實(shí)施，將實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)閃存芯片設(shè)計(jì)企業(yè)在NAND Flash領(lǐng)域的突破，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水準(zhǔn)。過(guò)編程的存在可能使得閾值電壓超過(guò)6V，使得被選中單元仍然處于斷開(kāi)整體，那么將不能有效讀取數(shù)據(jù)。本技術(shù)的ECC校驗(yàn)?zāi)K以及該模塊讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的技術(shù)，可以解決現(xiàn)有的ECC校驗(yàn)?zāi)K靈活性低的技術(shù)缺陷。項(xiàng)目所需配套的供電、通信以及給排水等，均可利用園區(qū)內(nèi)的