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【正文】 什么是奮斗？奮斗就是每天很難，可一年一年卻越來(lái)越容易。二. RC正弦波振蕩電路1. RC串并聯(lián)正弦波振蕩電路2. RC移相式正弦波振蕩電路三. LC正弦波振蕩電路1. 變壓器耦合式LC振蕩電路 判斷相位的方法： 斷回路、引輸入、看相位 2. 三點(diǎn)式LC振蕩器*相位條件的判斷“射同基反”或 “三步曲法” (1) 電感反饋三點(diǎn)式振蕩器(哈特萊電路)(2) 電容反饋三點(diǎn)式振蕩器(考畢茲電路) (3) 串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克拉潑電路）(4) 并聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（西勒電路）(5) 四. 石英晶體振蕩電路1. 并聯(lián)型石英晶體振蕩器2. 串聯(lián)型石英晶體振蕩器 第十章 直流電源1. 直流電源的組成框圖? 電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。四. 負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響 1. 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性2.3. 擴(kuò)展頻帶4. 減小非線(xiàn)性失真及抑制干擾和噪聲5. 改變放大電路的輸入、輸出電阻 *串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍五. 自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件1. 產(chǎn)生自激振蕩的原因 附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。 反饋信號(hào)反饋到輸入端） 串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓 的形式相疊加。二．反饋的形式和判斷1. 反饋的范圍本級(jí)或級(jí)間。，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。 甲乙類(lèi)單電源互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大器OTL電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源VCC。 二. 乙類(lèi)功放電路的指標(biāo)估算1. 工作狀態(tài)216。 3. 直接耦合低頻特性好，便于集成。 第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路 一. 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（ JFET ） 2. 輸出特性曲線(xiàn) （可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)UP 截止電壓 二. 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。*消除方法增大Rb、減小Rc、增大VCC 。 2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線(xiàn)上移動(dòng)。4. 溫度影響溫度升高，輸入特性曲線(xiàn)向左移動(dòng)。 *三種模型216。 *~，~。 *N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。. . . .. .模電知識(shí)點(diǎn)總結(jié)大全集第一章 半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 *載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 *。 微變等效電路法 3. 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。溫度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。 3）改變VCC：直流負(fù)載線(xiàn)平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。 4. 放大器的動(dòng)態(tài)范圍（1） Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。結(jié)構(gòu)示
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