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【正文】 層間介質(zhì)上有許多小的通孔，這些層間介質(zhì) 為相鄰的金屬層之間提供了電學通道。 SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 薄氧 SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 poly Poly Nwell Copyright by Mo Bing poly 版圖層次定義 Nwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal active 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 poly MASK poly 光刻膠 SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 MASK poly 光刻膠 poly SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 poly SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 poly Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Poly ，源、漏和溝道自對準于柵，這 也稱為自對準工藝。所以實際制造出來的器 件的溝道長度會比版圖所畫 的溝道長度小。） NWell 未曝光區(qū) Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 硅片涂膠后，通過 N阱掩膜板，將硅片放在光線下， 并進一步通過顯影去掉被光照的光刻膠。使用 n襯 底 p阱的工藝稱 P阱工藝。 源 p + 源 n + 漏 n + 漏 p + 柵 柵 n阱 p襯底 nmos 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 p襯底 pmos Copyright by Mo Bing NWell Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 實際上制造集成電路前，有些 CMOS工藝需要 先在硅片上生長一層外延層，以減少閂鎖效應的影 響（該效應將在以后詳細介紹）。 ，電阻率較高， 可以用于制造 電阻，稱為阱電阻。從 某種意義上說有源區(qū)的掩膜板主要用于打開 離子注入的窗口。 Poly 做互連線最大的問題是 Poly的方塊電阻數(shù)量級比較大， 大約 在 20歐姆 /；此外 Poly離襯底比較近，和襯底之 間的寄生電容比較大，因而通 過 Poly的延遲比通過金屬 的延遲大。 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 P+/N+擴散區(qū) P+和 N+的作用 1. NMOS和 PMOS的源 /漏區(qū) 2. 金屬 1和 N阱（ N+擴散區(qū)）或 P襯底（ P+擴散區(qū)）的 接觸 3. N+電阻或 P+電阻 4. 二極管 N區(qū)（ N+擴散區(qū)）或 P區(qū)（ P+擴散區(qū)） 5. 寄生 PNP管 N區(qū)（ N+擴散區(qū)）或 P區(qū)（ P+擴散區(qū)） 6. Guarding（保護環(huán)） Copyright by Mo Bing active 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 P+/N+擴散區(qū) Nwell poly 版圖層次定義 Pwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal P+ implant SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Pwell SiO2 P－ type Si MASK P+ 場氧 場氧 場氧 poly 版圖層次定義 光刻膠 P+/N+擴散區(qū) SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Pwell SiO2 P－ type Si MASK P+ 場氧 場氧 場氧 poly 版圖層次定義 光刻膠 P+/N+擴散區(qū) SiO2 Copyright by Mo Bing P+/N+擴散區(qū) P－ type Si 華僑 大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Pwell SiO2 場氧 場氧 場氧 版圖層次定義 光刻膠 poly P+ implant S/D Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 active P+/N+擴散區(qū) Nwell poly N+ impant 版圖層次定義 Nwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal SiO2 Copyright by Mo Bing P－ type Si 華僑 大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Pwell SiO2
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