odf段工藝設(shè)備培訓(xùn)資料-免費閱讀
【正文】 5μ m以內(nèi) Gap精度： Gap均一（ 4177。 Array側(cè) Vernier（基準） L＝ 約 1000μm CF側(cè) Vernier A B Array側(cè) Marker □ 150μ m CF側(cè) Marker □ 50μ m 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 27 UV固化 [目的 ]：對 Seal進行 UV硬化，以防止液晶和 Seal發(fā)生相溶而產(chǎn)生污染 [原理 ]： 1基板受取后并與 UV Mask對位。 3進行自動精度調(diào)整：根據(jù)天平對連續(xù)滴下的 20滴 液晶量的稱量結(jié)果，調(diào)整容積馬達的容積大小來實現(xiàn)精度的調(diào)整。為導(dǎo)通 TFT 基板和 CF基板的 COM，在 Transfer Pad上打銀點。在此過程中 與配管內(nèi)壁碰撞摩擦帶電， 同時分散開來。 Au ｐａｄ 正常 量ＮＧ（多） ↓ 盒厚不均 Au ｐａｓｔｅ Ａu ｐａｓｔｅ 導(dǎo)電 涂布前 Ｐａｄ狀態(tài) 導(dǎo)電 涂布后形狀 量ＮＧ（少） ↓ 接觸 不良 Ａu ｐａｓｔｅ 位置ＮＧ ↓ 接觸 不良 Ａu ｐａｓｔｅ 導(dǎo)電膠涂布穩(wěn)定性 正常 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 13 Seal – PI –Au涂布的位置關(guān)系： Seal膠 PI膜 Ag涂布 Pad 顯示區(qū) 適用于 TN型產(chǎn)品 IPS型產(chǎn)品不需要轉(zhuǎn)移電極 另一種獲得 V的方法 Seal膠內(nèi)摻入金球，通過接觸孔導(dǎo)通 優(yōu)點： V更均勻 Seal膠 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 14 液晶滴下機 [目的 ]： 為 形成目標盒厚，在 CF基板上滴下合適的液晶量。 4主要參數(shù)： ?貼合真空度 ?預(yù) Press時 (LoadCell的壓力 )上下基板的間距 ?LVC電壓 ?Offset 真空貼合結(jié)構(gòu)原理簡圖 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 20 上基板搬入動作流程 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 21 完成基板搬出動作流程 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 22 下基板搬出動作流程 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 23 貼合動作流程 (1) 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 24 貼合動作流程 (2) 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 25 真空 Chamber（高真空） Ｓｅａｌ 液晶 Ｇｌａｓｓ Ｇｌａｓｓ 真空 Chamber（低 真空） Ｓｅａｌ 液晶 Ｇｌａｓｓ Ｇｌａｓｓ 氣泡 Ｓｐａｃｅｒ 大氣開放 大氣開放 真空貼合過程 1. 若沒有達到要求的真空度，則貼合之后的面板會出現(xiàn) Gap不良，發(fā)生氣泡 2. 排氣速度（在液晶脫泡不充分或者排氣速度太快的情況下，會導(dǎo)致液晶飛濺出來，若飛濺到seal材上，則會導(dǎo)致 seal材接著不良，液晶泄漏。25p/ mm2 b. 散布的均勻性 c. 沒有 Spacer凝聚 Spacer固著工程的目的： 為避免 Spacer的位置受滴下的液晶流動的影響，通過加熱將已散布的 Spa
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