數(shù)字電路第8章存儲器-免費(fèi)閱讀
【正文】 知道 PAL和 GAL的概念。在要求存取速度快場合常用雙極型RAM電路，對速度要求不高時(shí)，常用 MOS RAM存儲器。 1. RAM的基本結(jié)構(gòu) JHR JHR JHR ◆ 數(shù)據(jù)的輸入輸出通道是共用的，讀出時(shí)，它是輸出端；寫入時(shí)它是輸入端。 F1（ ABCD）＝ ∑m（ 0， 1， 2， 4， 9， 10， 11， 12） F2（ ABCD）＝ ∑m（ 0， 2， 5， 10， 11， 13， 14， 15） F3（ ABCD）＝ ∑m（ 1， 4， 5， 9， 10， 11， 13， 14， 15） 【 解 】 ROM實(shí)現(xiàn)，由表達(dá)式直接畫出電路，如圖所示。其輸出和反饋結(jié)構(gòu)也就固定下來，不能再作改動。 【 解 】 （ 1）轉(zhuǎn)換真值表 JHR 真值表 （ 2）由轉(zhuǎn)換真值表畫出 G G G G0的卡諾圖 JHR JHR JHR JHR PLA 用組合 PLA和觸發(fā)器構(gòu)成的時(shí)序邏輯電路稱時(shí)序 PLA。 PLA（ Programmable Logic Array 可編程邏輯陣列） PAL (Programmable Array Logic 可編程陣列邏輯） GAL (Generic Array Logic 通用陣列邏輯） 它們統(tǒng)稱為可編程邏輯器件（ Programmable Logic Device ）。 JHR ［解］由圖可知，邏輯函數(shù) F F2由 EPROM矩陣組成。 （ 2）說明器件的特點(diǎn)和點(diǎn)陣存儲容量大小。 當(dāng)用戶要在某處存“ 0”信號，可按地址供給數(shù)十毫安的脈電流，將該處熔絲燒斷，使串接的存儲單元不再起作用，在則未熔斷的地方，則表示存“ 1”的信息。 不加黑點(diǎn)表示無存儲元件（在真值表中表示為0）。 存儲器的容量＝字?jǐn)?shù) 位數(shù) ROM的容量由或門陣列來實(shí)現(xiàn)。 JHR 外存儲器與內(nèi)存儲器相比，存儲容量大，可靠性高，價(jià)格低，在脫機(jī)情況下可永久保存信息。 RAM又分為動態(tài)存儲器 DRAM（ Dynamic Random Access Memory ）和靜態(tài)存儲器SRAM（ Static Random Access Memory ）。 JHR （ 4）字長 每個(gè)字所包含的位數(shù)稱為字長。簡稱 B（ Byte的縮寫），是表示的基本單元。 典型的存儲器：由數(shù)以千萬計(jì)的有記憶功能的存儲單元組成，每個(gè)存儲單元可存放一位二進(jìn)制數(shù)碼和信息。 隨著大規(guī)模集成電路制作技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲器因其集成度高、體積小、速度快，目前廣泛應(yīng)用于各種數(shù)字系統(tǒng)中。在微型計(jì)算機(jī)中，往往以字節(jié)為單位來表示文件或數(shù)據(jù)的長度以及存儲器容量的大小。由于字長是計(jì)算機(jī)一次可處理的二進(jìn)制數(shù)的位數(shù)，所以，它與計(jì)算機(jī)處理數(shù)據(jù)的速率有關(guān)，是衡量計(jì)算機(jī)性能的一個(gè)重要因素。 JHR ◆ 動態(tài)存儲器 DRAM DRAM主要用于主存儲器（俗稱內(nèi)存條）的制造。但速度較內(nèi)存儲器慢得多，它屬外部設(shè)備。 12 ?nWJHR 2. 4 4ROM的電路結(jié)構(gòu)和簡化框圖 JHR JHR 3. 4 4ROM電路的工作原理 （ 1）當(dāng)使能控制 S＝ 1時(shí)， A0、 A1在“ 00～ 11”中取值， W0～ W3中必有一根被選中為“ 1”。這種簡化圖又稱作 “ ROM陣列邏輯圖” ，它與 ROM電路真值表具有一一對應(yīng)關(guān)系。這種 ROM可實(shí)現(xiàn)一次編程要求，若編寫結(jié)束，存儲器中存儲信息就已固化，不可能改編入別的信息。 JHR ［解］（ 1）邏輯函數(shù) Y Y2由 EPROM矩陣實(shí)現(xiàn)。因此可直接寫出輸入和輸出間的與 —或表達(dá)式。 JHR 一、 PLA的基本概念 PLA與一般 ROM電路比較： 相同點(diǎn)：均由一個(gè)“與”陣列和一個(gè)“或”陣列組成。 ［例題］用組合 PLA及維持阻塞 D觸發(fā)器構(gòu)成時(shí)序PLA，完成同步十六進(jìn)制加計(jì)時(shí)器計(jì)數(shù)功能。 ◆ GLA通用陣列可克服 PLA上面兩個(gè)毛病，它采用 E2COMS工藝，即電改寫 COMS工藝，能在很短時(shí)間內(nèi)完成電擦除和電改寫的任務(wù)，而且與EPROM一樣，可多次改寫。 JHR JHR PLA實(shí)現(xiàn) （ 1）先將邏輯函數(shù) F F F3填入卡諾圖進(jìn)行化簡 JHR ACDCBDCBCBAFACDCBDBAFDCBDCBCBADBAF???????????321JHR （ 2）畫出陣列圖 JHR 第四節(jié) 隨機(jī)存取存儲器（ RAM） 一、功能及結(jié)構(gòu) RAM電路（
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