5光電子能譜分析-預覽頁
【正文】 特點表面分析測定物質(zhì)表面層厚度在 10nm以內(nèi)的各種信息，所以與粒子逸出的深度緊密相關(guān)。激發(fā)源：離子束（ 2） 紫外光電子能譜 （ UPS）發(fā)射源（信號）：俄歇電子 Electron Spectroscopy for Chemical Analysis ）） Eb隨元素而不同，并且有較高的分辨力，它不僅可以得到原子的第一電離能，而且可以得到從價電子到 K殼層的各級電子電離能，有助于了解離子的幾何構(gòu)型和軌道成鍵特征。如果 hν大于 該電 子的 結(jié) 合能 Eb，那么電 子就將脫離原來受束 縛 的能 級 。去激的方式一般有兩種可能，即發(fā)射特征 X射線：或發(fā)射俄歇電子：Conduction BandValence BandL2,L3L1KFermiLevelFree Electron Level光：光： Incident Xray 發(fā)射出的光電子發(fā)射出的光電子 Ejected Photoelectron1s2s2p光電效應 （ Photoelectric Process）3.但是由于 X射線激發(fā)的深度比光電子逸出深度要大得多，使得從深度大于光電子自由程的那些原子所發(fā)射的光電子與樣品中自由電子發(fā)生非彈性碰撞，最后不能逸出，而被吸收掉。原子的反沖能量：而且不同的 X射線源引起的原子反沖能是不同的，它與 X射線源及受激原子的原子序數(shù)有關(guān)， Er隨原子序數(shù)的增大而減小。在光電子能譜儀中，常用 Al和 Mg作 X射線源（引起的原子反沖能很?。?，所以 Er可以忽略不計。1.表達式 變?yōu)?：（能量分配） 由于功函數(shù) Φ的引入， 僅測 定光 電 子的 動 能 Ek，并不能 計 算出 Eb， 還 需知 Φ，而 Φ是隨 樣 品而異的。由于 這 個 電勢 的存在，將加速光 電 子的運 動，使自由 電 子的 動 能從 Ek增加到 Ek’，并且： 由于 Φ’是譜儀的功函數(shù)，與樣品無關(guān)，是固定值，一般儀器的功函數(shù)約 4eV，即是已知的。Kαhv電子能量分析器 對應上述能量的分析器，只可能是表面分析；3UHV避免光電子與氣體分子碰撞的干擾。for 作為 X射線光電子譜儀的激發(fā)源，希望其強度大、單色性好。keV連續(xù)可調(diào)的偏振光。spectrumPdMg主峰在 330,and得到下頁圖 注意坐標左右顛倒。(4d,5s)8能級出現(xiàn)在 3.3d和 3s和 而是 AugerSpectrocopy)即雙級電離過程：A*+=A受結(jié)合態(tài)影響；? 3可用電子激發(fā)， 5 XPS（ AES)的應用：1元素定性
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