元器件鑒定檢驗工作程序與常用可靠性試驗-預覽頁
【正文】 ： 從同一位置出來的一連串氣泡或兩個以上大氣泡 試驗順序： 先細檢 后粗檢 試驗過程需加壓 耐 濕 ? 目的： 用加速的方式評估元器件及所用材料在炎熱高濕（典型熱帶環(huán)境）下抗退化效應的能力，本實驗可以可靠的指出哪些元器件不可以在熱帶條件下使用。 溫度循環(huán) 溫 度 試驗 目的： 檢驗電子元器件在遇到溫度劇變時其抵抗和適應能力的 試驗。 ? 高溫試驗： 檢驗在規(guī)定的高溫條件下，器件滿足工作或儲存要求的適應能力。 c)檢驗原始記錄須相關試驗、測試、監(jiān)督人員簽名。 抽樣 監(jiān) 督 檢驗 重點要素 鑒定檢驗實施單位根據(jù)確認的檢驗綱要編制 檢驗流程卡的內(nèi)容應完整，流程清晰正確，具有可操作 性。 檢驗綱要 監(jiān) 督 檢驗 重點要素 ? 鑒定檢驗樣品的抽樣母體， X品（一個批次）， X譜（三個連續(xù)批），一般為鑒定檢驗所需樣品數(shù)的 2倍，不包含規(guī)定數(shù)量的備份樣品和追加樣品； ? 不符合上述要求的應進行評審，并在檢驗綱要中予以說明； ? 檢驗樣品由鑒定檢驗機構派人到研制方現(xiàn)場準備的母體中隨機抽取，剩余樣品封存。 檢驗原始記錄一律用黑色墨水書寫，數(shù)據(jù)清晰， 計算正確并符合修約要求，數(shù)據(jù)及記錄更改符合規(guī)定并蓋章。（低溫工作測試在工作溫度下限溫度做試驗，低溫貯存在貯存溫度下限做試驗）。 失效判據(jù)： 外殼、引線、或封口有無缺陷或損壞，標志是否清晰，以 及其他規(guī)定的參數(shù)是否合格。在篩選檢測中，不合格品必 須剔除。 其關系式如下： 射線劑量＝物質吸收能量 /物質的質量。 輻照試驗： ? 中子輻照試驗 在核反應堆中進行 ，測量半導體器件在中子環(huán)境的性能退化的敏感性，是一種破壞性試驗，主要檢測半導體器件關鍵參數(shù)和中子注入的關系 ? 總劑量輻照試驗 總劑量輻照試驗采用鈷 60放射源以穩(wěn)態(tài)形式對器件進行輻照。 ? ②記錄試驗前器件相關電性能參數(shù)。 機械試驗 恒定加速度： ? 目的： 檢查在規(guī)定的離心加速度作用下的適應能力或評定其結構的牢靠性。為非破壞性檢測，篩選時為 100％檢驗，質量一致性檢測時也可抽樣檢測。電 子產(chǎn)品易受影響的頻率為 50Hz— 2023Hz。 隨機振動試驗： 考核器件在隨機激勵下抵抗隨機振動的能力。（有時規(guī)定要求在振動中測試，也可按規(guī)定試驗后進行外 觀觀察和電測試后決定是否合格。對引線從芯片金屬化層（鋁）壓焊點脫落的失效需進行電子探針 X射線能譜色散分析來確定金鋁固相反應形成的中間化合物成份和失效原因。 芯片剪切強度不合格具
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