集成電路原理制造工藝及原理技術(shù)--期末論文-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 3 + H 2 ? Si + 3HCl 三氯矽烷 氫氣 電子級(jí)矽材料 氯化氫 電子級(jí)硅 材料 21 反應(yīng)室 液態(tài)三氯矽烷 H2 載送氣體的氣泡 氫和三氯矽烷 製程反應(yīng)室 TCS+H2?EGS+HCl 電子級(jí)矽材料 22 電子級(jí)硅 材料 23 ： 晶體主流生長(zhǎng)技術(shù) 1）設(shè)備： 石英坩堝、高頻加熱線圈等 2）材料： 半導(dǎo)體多晶材料和摻雜物、籽晶 3）條件： （ 1）結(jié)晶溫度（ 2）結(jié)晶中心 單晶硅的制備 直拉法生長(zhǎng)硅單晶 24 25 直拉法 :切 克洛斯基 (CZ)法 石墨坩堝 單晶矽矽棒 單晶矽種晶 石英坩堝 加熱線圈 1415 176。其目的是排除接觸不良引起的多晶和盡量消除籽晶內(nèi)原有位錯(cuò)的延伸。單晶體外形上的特征 —棱的出現(xiàn) 可幫助我們判別，111方向應(yīng)有對(duì)稱三條棱， 100方向有對(duì)稱的四條棱。 ： 晶體生長(zhǎng)所需長(zhǎng)度后， 拉速不變，升高熔體溫度 或 熔體溫度不變，加快拉速， 使晶體脫離熔體液面。 2 拋光的過(guò)程： 化學(xué)和機(jī)械 兩種過(guò)程同時(shí)進(jìn)行。 02:41:2802:41:2802:411/24/2023 2:41:28 AM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見(jiàn)頻。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時(shí) 41分 28秒 02:41: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 上午 2時(shí) 41分 28秒 上午 2時(shí) 41分 02:41: ? 沒(méi)有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 02:41:2802:41:2802:41Tuesday, January 24, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 2023年 1月 上午 2時(shí) 41分 :41January 24, 2023 ? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 02:41:2802:41:2802:411/24/2023 2:41:28 AM ? 1越是沒(méi)有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 :41:2802:41:28January 24, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 上午 2時(shí) 41分 28秒 上午 2時(shí) 41分 02:41: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴
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