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多晶硅生產(chǎn)工藝-預覽頁

2025-01-24 09:44 上一頁面

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【正文】 ,晶態(tài)硅又分為單晶硅和多晶硅,它們均具有金剛石晶格,晶體硬而脆,具有金屬光澤,能導電,但導電率不及金屬,具有半導體性質(zhì),晶態(tài)硅的熔點 1416177。 硅及其硅的氯化物的簡介 硅在常溫下不活潑,其主要的化學性質(zhì)如下: ? 與非金屬作用 常溫下 Si只能與 F2反應,在 F2中瞬間燃燒,生成 SiF4。 Si + 4HF SiF4 + 2H2 Si + 4HNO3 + 6HF = H2SiF6 + 4NO2 + 4H2O ? 與堿作用 無定形硅能與堿猛烈反應生成可溶性硅酸鹽,并放出氫氣。 ? 在常溫下 , 純凈的 SiCl SiHCl3是無色透明揮發(fā)性的液體 , SiHCl3比 SiCl4具有更強的刺鼻氣味 。 c. SiHCl3易著火 , 發(fā)火點 28℃ , 燃燒時產(chǎn)生 HCl和 Cl2,著火點為 220℃ 。 因為它容易制得 , 解決了原料問題 , 容易還原呈單質(zhì)硅 , 沉積速度快 , 解決了產(chǎn)量問題 , 它的沸點低 , 化學結構的弱極性 , 使得容易提純 ,產(chǎn)品質(zhì)量高 , 利用它對金屬的穩(wěn)定性 , 在生產(chǎn)中常用不銹鋼作為材質(zhì) 。 熔點: 1410℃ 。 ? 加熱至 800℃ 以上即有延性, 1300℃ 時顯出明顯變形。 多晶硅簡介 ? 電子工業(yè)中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來,就結晶成多晶硅。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別,但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。 ? 多晶硅是制備單晶硅和太陽能電池的原材料 ,是全球電子工業(yè)及光伏產(chǎn)業(yè)的基石。國內(nèi)外現(xiàn)有的多晶硅廠絕大部分采用此法生產(chǎn)電子級與太陽能級多晶硅。美國 Asimi和 SGS公司仍采用硅烷氣熱分解生產(chǎn)純度較高的電子級多晶硅產(chǎn)品。唯一的缺點是安全性差,危險性大。 改良西門子法介紹 ? 在 1955年西門子公司成功開發(fā)了利用氫氣還原三氯硅烷( SiHCl3)在硅芯發(fā)熱體上沉積硅的工藝技術,并于 1957年開始了工業(yè)規(guī)模的生產(chǎn),這就是通常所說的西門子法 。 SiHCl3還原時一般不生產(chǎn)硅粉,有利于連續(xù)操作。改良西門子法大體可分為 6個工序:即合成、提純、還原、尾氣回收、氫化和后處理。 改良西門子法的工藝流程 ? 尾氣回收工序對來自還原爐、氫化爐、合成洗滌塔頂冷卻器的三氯氫硅、四氯化硅、氫氣和氯化氫等進行分離、凈化、再生和回收。改良西門子法的特點是加強尾氣的干法回收,對尾氣進行加壓多級冷凝分離處理。為了達到節(jié)能降耗的目的,多晶硅還原爐必須大型化。 ? 目前,國外大型還原爐的操作壓力達 ,硅棒的總數(shù)主要是 12和 24對,部分已經(jīng)達到 48對和 54對,硅棒長度在 米以上,棒直徑達到 200毫米,每爐產(chǎn)量可達 56噸甚至 10多噸,還原電耗則大幅度下降,低至每公斤多晶硅 50kWh。 對四氯化硅必須進行處理 , 目前主要采用氫化技術 , 將四氯化硅轉化成多晶硅生產(chǎn)的原料三氯氫硅 , 該方法可以充分利用資源 , 缺點是轉化率較低使多晶硅生產(chǎn)成本和電耗升高 。 還原爐尾氣的主要成分是氫 、 氯化氫 、三氯氫硅 、 四氯化硅 , 經(jīng)過加壓和冷卻后 , 其中的三氯氫硅和四氯化硅被冷凝分離出來 , 然后再分餾出三氯氫硅直接送到還原爐 , 以生產(chǎn)多晶硅 。 提純工序介紹 ? 提純工序共包括:精餾、罐區(qū)、裝車臺、廢氣殘液處理 1。 ? 廢氣殘液處理 1作用:處理提純工序產(chǎn)生的廢氣、殘液。 三氯氫硅氫還原的原理及影響因素 ? 經(jīng)提純和凈化的 SiHCl3和 H2,按一定比例進入還原爐,在 1080℃ ~ 1100℃ 溫度下, SiHCl3被 H2還原,生成的硅沉積在發(fā)熱體硅芯上。 ?對硅極為有害的 B、 P化合物 , 隨著溫度增高 , 其還原量也加大 , 這將使硅的沾污增加 。因此 , H2必須過量 , 這樣有利于提高實收率 , 而且產(chǎn)品結晶質(zhì)量也較好 。 c) 因此 , 選擇合適的配比 , 使之有利于提高硅的轉化率 , 又有利于抑制 B、 P析出 。 這將有效地消除灼熱載體表面的氣體邊界層 , 其結果將增加還原反應速度 , 使硅的實收率得到提高 , 但反應氣體流量不能增的太大 , 否則造成反應氣體在爐內(nèi)停留時間太短 , 轉化率相對降低 , 同時增大了干法回收崗位的工作量 。 隨著反應周期延長 , 沉積硅棒越來越粗 , 載體表面越來越大 , 則沉積速率不斷增加 , 反應氣體對沉積面碰撞機會也越多 , 因而產(chǎn)量就越高 。 原料的質(zhì)量要求 ? 三氯氫硅氫還原崗位所需的原料有 :氫氣、三氯氫硅、硅芯、石墨等。加工件經(jīng)純水煮洗烘干,真空高溫煅燒后備用。 夾層對多晶質(zhì)量的影響 硅棒從還原爐取出后 , 從硅棒的橫斷面上可以看到一圈圈的層狀結構 , 是一個同心圓 。 酸洗也不能除去這種氧化夾層 , 拉晶時還會產(chǎn)生 “ 硅跳 ” 。 用酸腐蝕都無法處理掉 , 拉晶溶料時重則也會發(fā)生 “ 硅跳 ” 。這就是光電效應太陽能電池的工作原理。 ? 太陽能電池根據(jù)所用材料的不同,太陽能電池還可分為:硅太陽能電池、多元化合物薄膜太陽能電池、 聚合物多層修飾電極型太陽能電池 、納米晶太陽能電池、有機太陽能電池,其中硅太陽能電池是目前發(fā)展最成熟的,在應用中居主導地位。 組件生產(chǎn)流程 ? 電池檢測 —— 正面焊接 — 檢驗 — 背面串接 — 檢驗 — 敷設(玻璃清洗、材料切割、玻璃預處理、敷設) —— 層壓 —— 去毛邊(去邊、清洗) ——裝邊框(涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠) —— 焊接接線盒 —— 高壓測試 —— 組件測試 — 外觀檢驗 — 1包裝入庫 ? 太陽電池組裝工藝簡介: ? 工藝簡介:在這里只簡單的介紹一下工藝的作用,給大家一個感性的認識 . ? 電池測試 :由于電池片制作條件的隨機性,生產(chǎn)出來的電池性能不盡相同,所以為了有效的將性能一致或相近的電池組合在一起,所以應根據(jù)其性能參數(shù)進行分類;電池測試即通過測試電池的輸出參數(shù)(電流和電壓)的大小對其進行分類。焊帶的長度約為電池邊長的 2倍。敷設時保證電池串與玻璃等材料的相對位置,調(diào)整好電池間的距離,為層壓打好基礎。我們使用快速固化 EVA時,層壓循環(huán)時間約為 25分鐘。邊框和玻璃組件的縫隙用硅酮樹脂填充。 ? 組件測試 :測試的目的是對電池的輸出功率進行標定,測試其輸出特性,確定組件的質(zhì)量等級。 :48:5003:48Jan2324Jan23 ? 1故人江海別,幾度隔山川。 。 , January 24, 2023 ? 很多事情努力了未必有結果,但是不努力卻什么改變也沒有。 :48:5003:48:50January 24, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 1月 24日星期二 3時 48分 50秒 03:48:5024 January 2023 ? 1空山新雨后,天氣晚來秋。 :48:5003:48Jan2324Jan23 ? 1越是無能的人,越喜歡挑剔別人的錯兒。 2023年 1月 24日星期二 上午 3時 48分 50秒 03:48: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升
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