【正文】 氫還原反應(yīng)可以看出 ， 過(guò)高的 H2濃度不利于抑制 B、 P的析出 ， 影響產(chǎn)品的質(zhì)量 。 ? 增大氣體流量后 ， 使?fàn)t內(nèi)氣體湍動(dòng)程度隨之增加 。 三氯氫硅氫還原的影響因素 5. 還原反應(yīng)時(shí)間 ? 盡可能延長(zhǎng)反應(yīng)時(shí)間 ， 也就是盡可能使硅棒長(zhǎng)粗 ， 對(duì)提高產(chǎn)品質(zhì)量與產(chǎn)量都是有益的 。 ? 作為沉積硅的載體材料 ， 要求材料的熔點(diǎn)高 、 純度高 、 在硅中擴(kuò)散系數(shù)小 ， 要避免在高溫時(shí)對(duì)多晶硅生產(chǎn)沾污 ， 又應(yīng)有利于沉積硅與載體的分離 ， 因此 ， 采用硅芯作為載體 。 ? 石墨卡座 ：光譜純、稠密質(zhì)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)均勻、無(wú)孔洞。 經(jīng)常檢查 還原底盤(pán) 、 電極 ,檢查冷卻水 是否通暢 ， 水溫 、 水壓 及 操作系統(tǒng)壓力是否正常 。 在光線(xiàn)下能看到五顏六色的光澤 。 它是一種疏松 、粗糙的夾層 ， 中間常常有許多氣泡和雜質(zhì) 。 多晶硅下游產(chǎn)品簡(jiǎn)介 ? 太陽(yáng)能電池的原理 ? 太陽(yáng)光照在半導(dǎo)體 pn結(jié)上，形成新的空穴 電子對(duì)，在 pn結(jié)電場(chǎng)的作用下，空穴由 n區(qū)流向p區(qū)，電子由 p區(qū)流向 n區(qū)，接通電路后就形成電流。 ? 光 — 電直接轉(zhuǎn)換方式該方式是利用光電效應(yīng)，將太陽(yáng)輻射能直接轉(zhuǎn)換成電能，光 — 電轉(zhuǎn)換的基本裝置就是太陽(yáng)能電池。產(chǎn)品的高質(zhì)量和高壽命是贏得可客戶(hù)滿(mǎn)意的關(guān)鍵，所以組件板的封裝質(zhì)量非常重要。焊接用的熱源為一個(gè)紅外燈（利用紅外線(xiàn)的熱效應(yīng)）。玻璃事先涂一層試劑（ primer）以增加玻璃和 EVA的粘接強(qiáng)度。層壓工藝是組件生產(chǎn)的關(guān)鍵一步，層壓溫度層壓時(shí)間根據(jù) EVA的性質(zhì)決定。 ? 裝框： 類(lèi)似與給玻璃裝一個(gè)鏡框；給玻璃組件裝鋁框，增加組件的強(qiáng)度，進(jìn)一步的密封電池組件，延長(zhǎng)電池的使用壽命。 ? 高壓測(cè)試： 高壓測(cè)試是指在組件邊框和電極引線(xiàn)間施加一定的電壓，測(cè)試組件的耐壓性和絕緣強(qiáng)度，以保證組件在惡劣的自然條件（雷擊等）下不被損壞。 03:48:5003:48:5003:481/24/2023 3:48:50 AM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見(jiàn)頻。 2023年 1月 24日星期二 上午 3時(shí) 48分 50秒 03:48: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 上午 3時(shí) 48分 50秒 上午 3時(shí) 48分 03:48: ? 沒(méi)有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 03:48:5003:48:5003:48Tuesday, January 24, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 2023年 1月 上午 3時(shí) 48分 :48January 24, 2023 ? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 03:48:5003:48:5003:481/24/2023 3:48:50 AM ? 1越是沒(méi)有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 :48:5003:48:50January 24, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 上午 3時(shí) 48分 50秒 上午 3時(shí) 48分 03:48: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專(zhuān)家告訴 。 2023年 1月 上午 3時(shí) 48分 :48January 24, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 03:48:5003:48:5003:48Tuesday, January 24, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 上午 3時(shí) 48分 50秒 上午 3時(shí) 48分 03:48: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 1月 24日星期二 上午 3時(shí) 48分 50秒 03:48: ? 1楚塞三湘接，荊門(mén)九派通。 03:48:5003:48:5003:481/24/2023 3:48:50 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 2023年 1月 上午 3時(shí) 48分 :48January 24, 2023 ? 1行動(dòng)出成果，工作出財(cái)富。 03:48:5003:48:5003:48Tuesday, January 24, 2023 ? 1乍見(jiàn)翻疑夢(mèng)，相悲各問(wèn)年。 謝謝！ ? 靜夜四無(wú)鄰，荒居舊業(yè)貧。各邊框間用角鍵連接。固化溫度為 150℃ 。（敷設(shè)層次：由下向上：玻璃、EVA、電池、 EVA、玻璃纖維、背板）。多出的焊帶在背面焊接時(shí)與后面的電池片的背面電極相連 ? 背面串接 ：背面焊接是將 36片電池串接在一起形成一個(gè)組件串，我們目前采用的工藝是手動(dòng)的，電池的定位主要靠一個(gè)膜具板，上面有 36個(gè)放置電池片的凹槽，槽的大小和電池的大小相對(duì)應(yīng)，槽的位置已經(jīng)設(shè)計(jì)好，不同規(guī)格的組件使用不同的模板，操作者使用電烙鐵和焊錫絲將“前面電池”的正面電極（負(fù)極）焊接到“后面電池”的背面電極（正極）上，這樣依次將 36片串接在一起并在組件串的正負(fù)極焊接出引線(xiàn)。以提高電池的利用率，做出質(zhì)量合格的電池組件。 太陽(yáng)能電池（組件）生產(chǎn)工藝 ? 組件線(xiàn)又叫封裝線(xiàn)，封裝是太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟，沒(méi)有良好的封裝工藝，多好的電池也生產(chǎn)不出好的組件板。 ? 太陽(yáng)能發(fā)電方式太陽(yáng)能發(fā)電有兩種方式，一種是光 — 熱 — 電轉(zhuǎn)換方式，另一種是光 — 電直接轉(zhuǎn)換方式。 ? 應(yīng)注意 ：?jiǎn)?dòng)完成進(jìn)料時(shí) ， 要保持反應(yīng)溫度 ， 緩慢通入混合氣 ， 在正常反應(yīng)過(guò)程中緩慢升電流 ， 使反應(yīng)溫度穩(wěn)定 ， 不能忽高忽低 。 ? 應(yīng)注意保證進(jìn)入還原爐內(nèi)氫氣的純度 ， 使 氧含量 和 水分 降至規(guī)定值以下 ， 開(kāi)爐前一定要對(duì)設(shè)備進(jìn)行認(rèn)真的檢查 ， 防止有漏水現(xiàn)象 。 多晶硅夾層一般分為氧化夾層和溫度夾層 （ 也叫無(wú)定形硅夾層 ） 兩種 。 三氯氫硅氫還原開(kāi)爐過(guò)程中應(yīng)注意的事項(xiàng) ? 在開(kāi)爐過(guò)程中 ， 應(yīng)按供料表要求改條件 ， 并緩慢均勻 升硅棒電流 ， 保持硅棒的溫度在1080℃ ～ 1100℃ 。 ? 氫氣 ：需要控制露點(diǎn)，氧含量，碳含量等。 而單位體積內(nèi)載體擴(kuò)散入硅中的雜質(zhì)量相對(duì)減少 ， 這對(duì)提高硅的質(zhì)量有益 。 4. 沉積表面積與沉積速度 、 實(shí)收率關(guān)系 ? 硅棒的沉積表面積決定于硅棒的長(zhǎng)度與直徑 ， 在一定長(zhǎng)度下表面積隨硅的沉積量而增大 ， 沉積表面積增大 ， 則沉積速度與實(shí)收率也越高 。 三氯氫硅氫還原的影響因素 3. 反應(yīng)氣體流量 ? 在保證達(dá)到一定沉積速率的條件下 ， 流量越大 ， 爐產(chǎn)量越高 。 但是 ， H2和 SiHCl3的摩爾配比也不能太大 ，因?yàn)椋? a) 配比太大 ， H2得不到充分利用 ， 造成浪費(fèi) 。 ?過(guò)高的溫度 ， 會(huì)發(fā)生硅的逆腐蝕反應(yīng) 。 ? 化學(xué)方程式： SiHCl3 + H2 Si + 3HCl (主 ) ? 同時(shí)還發(fā)生 SiHCl3熱分解和 SiCl4的還原反應(yīng)： 4SiHCl3 Si + 3SiCl4 +2H2 SiCl4+ 2H2 Si + 4HCl ? 以及雜質(zhì)的還原反應(yīng)，例如： 2BCl3 + 3H2 → 2B + 6HCl 2PCl3 + 3H2 → 2P +