微電子技術(shù)新進(jìn)展-預(yù)覽頁
【正文】 電子信息類產(chǎn)品的開發(fā)明顯出現(xiàn)了兩個(gè)特點(diǎn)：集成電路在電子銷售額中的份額逐年提高已進(jìn)入后 PC時(shí)代? )Communication? Tbps,2023年左右有可能出現(xiàn) 400mm450mm直徑的硅片。只有特征尺寸縮小了，在同等集成度的條件下，芯片面積才可以做得更小 ,而且可以使產(chǎn)品的速度、可靠性都得到提高，相應(yīng)成本可以降低 ?！?深亞微米 , , , → 納米 90 nm →65 nm → 45nm 微電子技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和關(guān)鍵技術(shù)（ 1）繼續(xù)增大晶圓尺寸（ 2） Sub100nm光刻技術(shù)（ 3）互連線技術(shù)（ 4）新器件結(jié)構(gòu)與新材料INCREASEOF65 在 ，銅互連與低介電常數(shù)絕緣材料共同使用（預(yù)測可縮到 20nm）ElectronicChallengesScaling ? Double Gate Retain gate control over channel Minimize OFFstate drainsource leakage ? High Mobility Channel High mobility/injection velocity High drive current for low intrinsic delay ? Schottky S/D Reduced extrinsic resistance4. Gate leakage ? HighK Dielectrics Reduced power consumption5. Gate depletion ? Metal Gate123BULK45n Si CMOS is expected to dominate for at least the next 10 15 yearsn while scaling of traditional FETs is expected to slow in the next 510 years, so finding ways to add function and improve performance of future IC39。FinFET10FinFET 隨著 3nm后tgate大量的晶體管柵介質(zhì)的限制柵介質(zhì)的限制傳統(tǒng)的柵結(jié)構(gòu)傳統(tǒng)的柵結(jié)構(gòu)ox...可靠性216。SiOnCoreGraphics MPEGVRAMMotionEncryption/DecryptionSCSIEISASOC主要三個(gè)關(guān)鍵支持技術(shù)? 軟、硬件的協(xié)同設(shè)計(jì)技術(shù) 硬件和軟件更加緊密結(jié)合不僅是 SOC的重要特點(diǎn)，也是 21世紀(jì) IT業(yè)發(fā)展的一大趨勢。硬核 基于工藝的物理設(shè)計(jì)，與工藝相關(guān)，并經(jīng)過工藝驗(yàn)證的?，F(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)替代專用集成電路（ ASIC）用可編程邏輯技術(shù)把整個(gè)系統(tǒng)放到一塊硅片上，稱作 SOPC。 芯片可在極短的時(shí)間內(nèi)檢測或發(fā)現(xiàn)遺傳基因的變化
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1