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揭開pcb最后表面處理之迷-預(yù)覽頁

2025-08-22 21:06 上一頁面

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【正文】 擇的數(shù)量和已經(jīng)發(fā)表的數(shù)據(jù)的純卷積。每一類替代的表面涂層 — OSP、有機(jī)金屬的organometallic)(浸錫和銀)或金屬的(ENIG) — 具有不同的焊接機(jī)制。1  浸洗工藝,如浸銀或錫,有機(jī)共同沉淀消除最終表面的氧化物??墒?,當(dāng)使用ENIG時(shí),焊接點(diǎn)是在鎳障礙層上面形成的,不是直接在PWB的銅表面。結(jié)果是三種替代涂層都有很高的第一次通過裝配合格率,焊錫熔濕方面相差很小。  雖然使用上減少,波峰焊接還是今天裝配過程的構(gòu)成整體的一部分。通常,這個(gè)優(yōu)化增加助焊劑的使用量,代替特定類型的助焊劑化學(xué)成分,或通過更高的動(dòng)蕩或溫度來增加焊錫滲透。孔中錫膏(pasteinhole)或侵入式回流將助焊劑和助焊劑載體直接接觸PWB的表面,使得通孔的可熔濕性對所有最終表面涂層都是類似的。雖然某些合金似乎是特別的OEM的選擇,但是,還要選擇整個(gè)工業(yè)所接受的合金。較高的熔化溫度明顯地幫助OSP的滲透和錫與銀表面熔濕,甚至是雙面回流。 象按鍵接觸(key contact)、元件屏蔽(ponent shielding)和插件連接器(edge connector)這樣的應(yīng)用要求在整個(gè)設(shè)備壽命內(nèi)的接觸電阻低。 元件包裝和某些PWB要求引線接合(wire bonding)或與直接芯片附著用的導(dǎo)電性膠的兼容性。 已經(jīng)看到由于裝配在ENIG上的區(qū)域陣列包裝的綁接強(qiáng)度不夠而出現(xiàn)的現(xiàn)場失效(field failure)?,F(xiàn)在有新的配方,提供較薄的沉淀層,和原先的、消除了多金屬表面生銹的一樣牢固(圖二)。這個(gè)高接合強(qiáng)度使得OSP成為移動(dòng)電子和區(qū)域陣列包裝(area array package)的選擇。  和OSP與ENIG比較,浸銀還是一個(gè)相對較新的技術(shù)。  如表一所示,這個(gè)涂層的接觸電阻在經(jīng)過老化或回流工序之后保持很低。模擬壓縮連接器的100%接合。這種共同沉淀的有機(jī)物消除纖維狀結(jié)晶(whisker)的增長,這是一個(gè)可靠性問題,阻礙銅錫金屬間的增長,影響可焊接性能?! 〗Y(jié)論  OSP、浸銀和浸錫用于混合技術(shù)和水溶性與免洗裝配技術(shù),都將提供高的第一次通過裝配合格率。   OSP已經(jīng)是HASL替代品的市場主流,為應(yīng)用者提供最寬的處理窗
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