【正文】 公司。　　1989年8月8日，742廠和永川半導體研究所無錫分所合并成立了中國華晶電子集團公司?！　?995年10月，電子部和國家外專局在北京聯(lián)合召開國內外專家座談會，獻計獻策，加速我國集成電路產業(yè)發(fā)展?！　?998年1月18日，“九0八”主體工程華晶項目通過對外合同驗收?！　?998年3月16日，北京華虹集成電路設計有限責任公司與日本NEC株式會社在北京長城飯店舉行北京華虹NEC集成電路設計公司合資合同簽字儀式，新成立的合資公司其設計能力為每年約200個集成電路品種，并為華虹NEC生產線每年提供8英寸硅片兩萬片的加工訂單。　　1998年6月12日，深港超大規(guī)模集成電路項目一期工程――后工序生產線及設計中心在深圳賽意法微電子有限公司正式投產，并將擴展的10億塊的水平。這條生產線的建成投產標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產線。為了落實發(fā)展半導體規(guī)劃，中國科學院應用物理所首先舉行了半導體器件短期訓練班。五校中最出名的教授有北京大學的黃昆、復旦大學的謝希德和吉林大學的高鼎三。通過提煉煤灰制備了鍺材料。１９５７可國依靠自己的技術開發(fā)，相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管（即晶體管）。當時北方以北京電子管廠為代表，生產了ＩＩ－６低頻合金管和ＩＩ４０１高頻合金擴散管；南方以上海元件五廠為代表?！　」杵骷_始搞的是合金管。一般將硅片切成方片的形狀，如７＊７、１０＊１０、１５＊１５ｍｍ２。它在六十年代成為普通居民所要購買的“四大件”之一。（后改建為微電子中心）它所生產的開關管，供中國科學院計算研究所研制成第二代計算機。這期間蘇聯(lián)曾派過半導體專家來指導，但很快因中蘇關系惡化而撤走了。當初研制的是采用ＲＴＬ（電阻一晶體管邏輯）型式的最基本的門電路，將單個的分立器件：電阻和晶體管，在同一個硅片上集合而成一個電路，故稱之為“集成電路”（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｒｒｉｔ，簡稱ＩＣ）。在研究單位之后，工廠在生產平面管的基礎上也開始研制集成電路。中國第一臺第三代計算機是由位于北京的華北計算技術研究所研制成功的，采用ＤＴＬ型數(shù)字電路，與非門是由北京電子管廠生產，與非驅動器是由河北半導體研究所生產，展出年代是１９６８年。從此，七十年代形成了中國ＩＣ行業(yè)的“兩霸”，南霸上無十九廠，北霸８７８廠。在中國實行改革開放政策之前，ＩＣ在中國完全是賣方市場。這股風使工廠里不重視產品質量，這曾導致８７８廠為北京大學電子儀器廠生產ＴＴＬ和Ｓ－ＴＴＬ（肖特基二極管鉗位的ＴＴＬ）電路研制百萬次大型電子計算機“推倒重來”?！　】傊?，在中國ＩＣ初始發(fā)展階段的十五年間，在開發(fā)集成電路方面，盡管國外實行對華封鎖，中國還是能夠依靠自己的技術力量，相繼研制并生產了ＤＴＬ、ＴＴＬ、ＥＣＬ各種類型的雙極型數(shù)字邏輯電路，支持了國內計算機行業(yè)，研制成百萬次、千萬次級的大型電子計算機。到七十年代初期，永川半導體研究所，即２４所，（它由石家莊１３所十一室搬到四川水川擴大而建的）上無十四廠和北京８７８廠相繼研制成ＮＭＯＳ電路。在這期間，全國建設了四十多家集成電路工廠。從小規(guī)模集成（ＳＳＩ），經過中規(guī)模集成（ＭＳＬ），很快發(fā)展到大規(guī)模集成（ＬＳＩ），這在美國用８年時間。原先想與ＮＥＣ談成全線引進，因政治和資金原因沒有成勻丟失了一次機迂。在這期間美國和日本已先后進入ＩＣ規(guī)模生產的階段。矽所代表的正是半導體元件，包括記憶元件、微處理機、邏輯元件、光電元件與偵測器等等在內，舉凡電視、電話、電腦、電冰箱、汽車，這些半導體元件無時無刻都在為我們服務。在臺灣，半導體工業(yè)是新竹科學園區(qū)的主要支柱，半導體公司也是最賺錢的企業(yè)，臺灣如果要成為明日的科技矽島，半導體工業(yè)是我們必經的途徑。但直到1906年，美國電機發(fā)明家匹卡(G. W. Pickard，1877~1956)，才發(fā)明了第一個固態(tài)電子元件：無線電波偵測器(cat’s whisker)，它使用金屬與矽或硫化鉛相接觸所產生的整流功能，來偵測無線電波。布洛赫(Felix Bloch，1905~1983)在這方面做出了重要的貢獻，其定理是將電子波函數(shù)加上了週期性的項，首開能帶理論的先河。由於使用場效應(field effect)來改變電導的許多實驗都失敗了，巴丁(John Bardeen，1908~1991)推定是因為半導體具有表面態(tài)(surface state)的關係，為了避開表面態(tài)的問題，1947年11月17日，巴丁與布萊登(Walter Brattain 1902~1987)在矽表面滴上水滴，用塗了蠟的鎢絲與矽接觸，再加上一伏特的電壓，發(fā)現(xiàn)流經接點的電流增加了！但若想得到足夠的功率放大，相鄰兩接觸點的距離要接近到千分之二英吋以下。1951年，西方電器公司（Western Electric）開始生產商用的鍺接點電晶體，1952年4月，西方電器、雷神(Raytheon)、美國無線電(RCA) 與奇異(GE)等公司，則生產出商用的雙極型電晶體。1960年，磊晶(epitaxy)技術也由貝爾實驗室發(fā)展出來了。1964年，快捷半導體(Fairchild Semiconductor)的諾宜斯(Robert Noyce，1927~1990)，則使用平面工藝方法，即藉著蒸鍍金屬、微影、蝕刻等方式，解決了積體電路中，不同元件間導線連結的問題。在微處理機方面，1968年，諾宜斯和莫爾成立了英代爾 (Intel) 公司，不久，葛洛夫 (Andrew Grove) 也加入了，1969年，一個日本計算機公司比吉康 (Busi) 和英代爾接觸，希望英代爾生產一系列計算機晶片，但當時任職於英代爾的霍夫 (Macian E. Hoff) 卻設計出一個單一可程式化晶片，1971年11月15日，世界上第一個微處理器4004誕生了，它包括一個四位元的平行加法器、十六個四位元的暫存器、一個儲存器 (accumulator) 與一個下推堆疊 (pushdown stack)，共計約二千三百個電晶體；4004與其他唯讀記憶體、移位暫存器與隨機存取記憶體，結合成MCS4微電腦系統(tǒng)；從此之後，各種集積度更高、功能更強的微處理器開始快速發(fā)展，對電子業(yè)產生巨大影響。記憶體發(fā)展過程中最重要的一步，就是1969年，IBM的迪納 (R. H. Dennard) 發(fā)明了只需一個電晶體和一個電容器，就可以儲存一個位元的記憶單元；由於結構簡單，密度又高，現(xiàn)今半導體製程的發(fā)展常以動態(tài)隨機存取記憶體的容量為