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全球和中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史和大事記-預(yù)覽頁

2025-07-15 13:33 上一頁面

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【正文】 公司?! ?989年8月8日,742廠和永川半導(dǎo)體研究所無錫分所合并成立了中國華晶電子集團公司。  1995年10月,電子部和國家外專局在北京聯(lián)合召開國內(nèi)外專家座談會,獻計獻策,加速我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展?! ?998年1月18日,“九0八”主體工程華晶項目通過對外合同驗收?! ?998年3月16日,北京華虹集成電路設(shè)計有限責(zé)任公司與日本NEC株式會社在北京長城飯店舉行北京華虹NEC集成電路設(shè)計公司合資合同簽字儀式,新成立的合資公司其設(shè)計能力為每年約200個集成電路品種,并為華虹NEC生產(chǎn)線每年提供8英寸硅片兩萬片的加工訂單?! ?998年6月12日,深港超大規(guī)模集成電路項目一期工程――后工序生產(chǎn)線及設(shè)計中心在深圳賽意法微電子有限公司正式投產(chǎn),并將擴展的10億塊的水平。這條生產(chǎn)線的建成投產(chǎn)標(biāo)志著我國從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線。為了落實發(fā)展半導(dǎo)體規(guī)劃,中國科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉行了半導(dǎo)體器件短期訓(xùn)練班。五校中最出名的教授有北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德和吉林大學(xué)的高鼎三。通過提煉煤灰制備了鍺材料。1957可國依靠自己的技術(shù)開發(fā),相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管(即晶體管)。當(dāng)時北方以北京電子管廠為代表,生產(chǎn)了II-6低頻合金管和II401高頻合金擴散管;南方以上海元件五廠為代表?! 」杵骷_始搞的是合金管。一般將硅片切成方片的形狀,如7*7、10*10、15*15mm2。它在六十年代成為普通居民所要購買的“四大件”之一。(后改建為微電子中心)它所生產(chǎn)的開關(guān)管,供中國科學(xué)院計算研究所研制成第二代計算機。這期間蘇聯(lián)曾派過半導(dǎo)體專家來指導(dǎo),但很快因中蘇關(guān)系惡化而撤走了。當(dāng)初研制的是采用RTL(電阻一晶體管邏輯)型式的最基本的門電路,將單個的分立器件:電阻和晶體管,在同一個硅片上集合而成一個電路,故稱之為“集成電路”(IntegratedCircrrit,簡稱IC)。在研究單位之后,工廠在生產(chǎn)平面管的基礎(chǔ)上也開始研制集成電路。中國第一臺第三代計算機是由位于北京的華北計算技術(shù)研究所研制成功的,采用DTL型數(shù)字電路,與非門是由北京電子管廠生產(chǎn),與非驅(qū)動器是由河北半導(dǎo)體研究所生產(chǎn),展出年代是1968年。從此,七十年代形成了中國IC行業(yè)的“兩霸”,南霸上無十九廠,北霸878廠。在中國實行改革開放政策之前,IC在中國完全是賣方市場。這股風(fēng)使工廠里不重視產(chǎn)品質(zhì)量,這曾導(dǎo)致878廠為北京大學(xué)電子儀器廠生產(chǎn)TTL和S-TTL(肖特基二極管鉗位的TTL)電路研制百萬次大型電子計算機“推倒重來”?! 】傊?,在中國IC初始發(fā)展階段的十五年間,在開發(fā)集成電路方面,盡管國外實行對華封鎖,中國還是能夠依靠自己的技術(shù)力量,相繼研制并生產(chǎn)了DTL、TTL、ECL各種類型的雙極型數(shù)字邏輯電路,支持了國內(nèi)計算機行業(yè),研制成百萬次、千萬次級的大型電子計算機。到七十年代初期,永川半導(dǎo)體研究所,即24所,(它由石家莊13所十一室搬到四川水川擴大而建的)上無十四廠和北京878廠相繼研制成NMOS電路。在這期間,全國建設(shè)了四十多家集成電路工廠。從小規(guī)模集成(SSI),經(jīng)過中規(guī)模集成(MSL),很快發(fā)展到大規(guī)模集成(LSI),這在美國用8年時間。原先想與NEC談成全線引進,因政治和資金原因沒有成勻丟失了一次機迂。在這期間美國和日本已先后進入IC規(guī)模生產(chǎn)的階段。矽所代表的正是半導(dǎo)體元件,包括記憶元件、微處理機、邏輯元件、光電元件與偵測器等等在內(nèi),舉凡電視、電話、電腦、電冰箱、汽車,這些半導(dǎo)體元件無時無刻都在為我們服務(wù)。在臺灣,半導(dǎo)體工業(yè)是新竹科學(xué)園區(qū)的主要支柱,半導(dǎo)體公司也是最賺錢的企業(yè),臺灣如果要成為明日的科技矽島,半導(dǎo)體工業(yè)是我們必經(jīng)的途徑。但直到1906年,美國電機發(fā)明家匹卡(G. W. Pickard,1877~1956),才發(fā)明了第一個固態(tài)電子元件:無線電波偵測器(cat’s whisker),它使用金屬與矽或硫化鉛相接觸所產(chǎn)生的整流功能,來偵測無線電波。布洛赫(Felix Bloch,1905~1983)在這方面做出了重要的貢獻,其定理是將電子波函數(shù)加上了週期性的項,首開能帶理論的先河。由於使用場效應(yīng)(field effect)來改變電導(dǎo)的許多實驗都失敗了,巴丁(John Bardeen,1908~1991)推定是因為半導(dǎo)體具有表面態(tài)(surface state)的關(guān)係,為了避開表面態(tài)的問題,1947年11月17日,巴丁與布萊登(Walter Brattain 1902~1987)在矽表面滴上水滴,用塗了蠟的鎢絲與矽接觸,再加上一伏特的電壓,發(fā)現(xiàn)流經(jīng)接點的電流增加了!但若想得到足夠的功率放大,相鄰兩接觸點的距離要接近到千分之二英吋以下。1951年,西方電器公司(Western Electric)開始生產(chǎn)商用的鍺接點電晶體,1952年4月,西方電器、雷神(Raytheon)、美國無線電(RCA) 與奇異(GE)等公司,則生產(chǎn)出商用的雙極型電晶體。1960年,磊晶(epitaxy)技術(shù)也由貝爾實驗室發(fā)展出來了。1964年,快捷半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)的諾宜斯(Robert Noyce,1927~1990),則使用平面工藝方法,即藉著蒸鍍金屬、微影、蝕刻等方式,解決了積體電路中,不同元件間導(dǎo)線連結(jié)的問題。在微處理機方面,1968年,諾宜斯和莫爾成立了英代爾 (Intel) 公司,不久,葛洛夫 (Andrew Grove) 也加入了,1969年,一個日本計算機公司比吉康 (Busi) 和英代爾接觸,希望英代爾生產(chǎn)一系列計算機晶片,但當(dāng)時任職於英代爾的霍夫 (Macian E. Hoff) 卻設(shè)計出一個單一可程式化晶片,1971年11月15日,世界上第一個微處理器4004誕生了,它包括一個四位元的平行加法器、十六個四位元的暫存器、一個儲存器 (accumulator) 與一個下推堆疊 (pushdown stack),共計約二千三百個電晶體;4004與其他唯讀記憶體、移位暫存器與隨機存取記憶體,結(jié)合成MCS4微電腦系統(tǒng);從此之後,各種集積度更高、功能更強的微處理器開始快速發(fā)展,對電子業(yè)產(chǎn)生巨大影響。記憶體發(fā)展過程中最重要的一步,就是1969年,IBM的迪納 (R. H. Dennard) 發(fā)明了只需一個電晶體和一個電容器,就可以儲存一個位元的記憶單元;由於結(jié)構(gòu)簡單,密度又高,現(xiàn)今半導(dǎo)體製程的發(fā)展常以動態(tài)隨機存取記憶體的容量為
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