【正文】 公司?！　?989年8月8日，742廠和永川半導(dǎo)體研究所無(wú)錫分所合并成立了中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司?！　?995年10月，電子部和國(guó)家外專(zhuān)局在北京聯(lián)合召開(kāi)國(guó)內(nèi)外專(zhuān)家座談會(huì)，獻(xiàn)計(jì)獻(xiàn)策，加速我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展?！　?998年1月18日，“九0八”主體工程華晶項(xiàng)目通過(guò)對(duì)外合同驗(yàn)收。　　1998年3月16日，北京華虹集成電路設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司與日本NEC株式會(huì)社在北京長(zhǎng)城飯店舉行北京華虹NEC集成電路設(shè)計(jì)公司合資合同簽字儀式，新成立的合資公司其設(shè)計(jì)能力為每年約200個(gè)集成電路品種，并為華虹NEC生產(chǎn)線每年提供8英寸硅片兩萬(wàn)片的加工訂單?！　?998年6月12日，深港超大規(guī)模集成電路項(xiàng)目一期工程――后工序生產(chǎn)線及設(shè)計(jì)中心在深圳賽意法微電子有限公司正式投產(chǎn)，并將擴(kuò)展的10億塊的水平。這條生產(chǎn)線的建成投產(chǎn)標(biāo)志著我國(guó)從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線。為了落實(shí)發(fā)展半導(dǎo)體規(guī)劃，中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉行了半導(dǎo)體器件短期訓(xùn)練班。五校中最出名的教授有北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德和吉林大學(xué)的高鼎三。通過(guò)提煉煤灰制備了鍺材料。１９５７可國(guó)依靠自己的技術(shù)開(kāi)發(fā)，相繼研制出鍺點(diǎn)接觸二極管和三極管（即晶體管）。當(dāng)時(shí)北方以北京電子管廠為代表，生產(chǎn)了ＩＩ－６低頻合金管和ＩＩ４０１高頻合金擴(kuò)散管；南方以上海元件五廠為代表?！　」杵骷_(kāi)始搞的是合金管。一般將硅片切成方片的形狀，如７＊７、１０＊１０、１５＊１５ｍｍ２。它在六十年代成為普通居民所要購(gòu)買(mǎi)的“四大件”之一。（后改建為微電子中心）它所生產(chǎn)的開(kāi)關(guān)管，供中國(guó)科學(xué)院計(jì)算研究所研制成第二代計(jì)算機(jī)。這期間蘇聯(lián)曾派過(guò)半導(dǎo)體專(zhuān)家來(lái)指導(dǎo)，但很快因中蘇關(guān)系惡化而撤走了。當(dāng)初研制的是采用ＲＴＬ（電阻一晶體管邏輯）型式的最基本的門(mén)電路，將單個(gè)的分立器件：電阻和晶體管，在同一個(gè)硅片上集合而成一個(gè)電路，故稱(chēng)之為“集成電路”（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｒｒｉｔ，簡(jiǎn)稱(chēng)ＩＣ）。在研究單位之后，工廠在生產(chǎn)平面管的基礎(chǔ)上也開(kāi)始研制集成電路。中國(guó)第一臺(tái)第三代計(jì)算機(jī)是由位于北京的華北計(jì)算技術(shù)研究所研制成功的，采用ＤＴＬ型數(shù)字電路，與非門(mén)是由北京電子管廠生產(chǎn)，與非驅(qū)動(dòng)器是由河北半導(dǎo)體研究所生產(chǎn)，展出年代是１９６８年。從此，七十年代形成了中國(guó)ＩＣ行業(yè)的“兩霸”，南霸上無(wú)十九廠，北霸８７８廠。在中國(guó)實(shí)行改革開(kāi)放政策之前，ＩＣ在中國(guó)完全是賣(mài)方市場(chǎng)。這股風(fēng)使工廠里不重視產(chǎn)品質(zhì)量，這曾導(dǎo)致８７８廠為北京大學(xué)電子儀器廠生產(chǎn)ＴＴＬ和Ｓ－ＴＴＬ（肖特基二極管鉗位的ＴＴＬ）電路研制百萬(wàn)次大型電子計(jì)算機(jī)“推倒重來(lái)”?！　】傊?，在中國(guó)ＩＣ初始發(fā)展階段的十五年間，在開(kāi)發(fā)集成電路方面，盡管?chē)?guó)外實(shí)行對(duì)華封鎖，中國(guó)還是能夠依靠自己的技術(shù)力量，相繼研制并生產(chǎn)了ＤＴＬ、ＴＴＬ、ＥＣＬ各種類(lèi)型的雙極型數(shù)字邏輯電路，支持了國(guó)內(nèi)計(jì)算機(jī)行業(yè)，研制成百萬(wàn)次、千萬(wàn)次級(jí)的大型電子計(jì)算機(jī)。到七十年代初期，永川半導(dǎo)體研究所，即２４所，（它由石家莊１３所十一室搬到四川水川擴(kuò)大而建的）上無(wú)十四廠和北京８７８廠相繼研制成ＮＭＯＳ電路。在這期間，全國(guó)建設(shè)了四十多家集成電路工廠。從小規(guī)模集成（ＳＳＩ），經(jīng)過(guò)中規(guī)模集成（ＭＳＬ），很快發(fā)展到大規(guī)模集成（ＬＳＩ），這在美國(guó)用８年時(shí)間。原先想與ＮＥＣ談成全線引進(jìn)，因政治和資金原因沒(méi)有成勻丟失了一次機(jī)迂。在這期間美國(guó)和日本已先后進(jìn)入ＩＣ規(guī)模生產(chǎn)的階段。矽所代表的正是半導(dǎo)體元件，包括記憶元件、微處理機(jī)、邏輯元件、光電元件與偵測(cè)器等等在內(nèi)，舉凡電視、電話、電腦、電冰箱、汽車(chē)，這些半導(dǎo)體元件無(wú)時(shí)無(wú)刻都在為我們服務(wù)。在臺(tái)灣，半導(dǎo)體工業(yè)是新竹科學(xué)園區(qū)的主要支柱，半導(dǎo)體公司也是最賺錢(qián)的企業(yè)，臺(tái)灣如果要成為明日的科技矽島，半導(dǎo)體工業(yè)是我們必經(jīng)的途徑。但直到1906年，美國(guó)電機(jī)發(fā)明家匹卡(G. W. Pickard，1877~1956)，才發(fā)明了第一個(gè)固態(tài)電子元件：無(wú)線電波偵測(cè)器(cat’s whisker)，它使用金屬與矽或硫化鉛相接觸所產(chǎn)生的整流功能，來(lái)偵測(cè)無(wú)線電波。布洛赫(Felix Bloch，1905~1983)在這方面做出了重要的貢獻(xiàn)，其定理是將電子波函數(shù)加上了週期性的項(xiàng)，首開(kāi)能帶理論的先河。由於使用場(chǎng)效應(yīng)(field effect)來(lái)改變電導(dǎo)的許多實(shí)驗(yàn)都失敗了，巴丁(John Bardeen，1908~1991)推定是因?yàn)榘雽?dǎo)體具有表面態(tài)(surface state)的關(guān)係，為了避開(kāi)表面態(tài)的問(wèn)題，1947年11月17日，巴丁與布萊登(Walter Brattain 1902~1987)在矽表面滴上水滴，用塗了蠟的鎢絲與矽接觸，再加上一伏特的電壓，發(fā)現(xiàn)流經(jīng)接點(diǎn)的電流增加了！但若想得到足夠的功率放大，相鄰兩接觸點(diǎn)的距離要接近到千分之二英吋以下。1951年，西方電器公司（Western Electric）開(kāi)始生產(chǎn)商用的鍺接點(diǎn)電晶體，1952年4月，西方電器、雷神(Raytheon)、美國(guó)無(wú)線電(RCA) 與奇異(GE)等公司，則生產(chǎn)出商用的雙極型電晶體。1960年，磊晶(epitaxy)技術(shù)也由貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)展出來(lái)了。1964年，快捷半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)的諾宜斯(Robert Noyce，1927~1990)，則使用平面工藝方法，即藉著蒸鍍金屬、微影、蝕刻等方式，解決了積體電路中，不同元件間導(dǎo)線連結(jié)的問(wèn)題。在微處理機(jī)方面，1968年，諾宜斯和莫爾成立了英代爾 (Intel) 公司，不久，葛洛夫 (Andrew Grove) 也加入了，1969年，一個(gè)日本計(jì)算機(jī)公司比吉康 (Busi) 和英代爾接觸，希望英代爾生產(chǎn)一系列計(jì)算機(jī)晶片，但當(dāng)時(shí)任職於英代爾的霍夫 (Macian E. Hoff) 卻設(shè)計(jì)出一個(gè)單一可程式化晶片，1971年11月15日，世界上第一個(gè)微處理器4004誕生了，它包括一個(gè)四位元的平行加法器、十六個(gè)四位元的暫存器、一個(gè)儲(chǔ)存器 (accumulator) 與一個(gè)下推堆疊 (pushdown stack)，共計(jì)約二千三百個(gè)電晶體；4004與其他唯讀記憶體、移位暫存器與隨機(jī)存取記憶體，結(jié)合成MCS4微電腦系統(tǒng)；從此之後，各種集積度更高、功能更強(qiáng)的微處理器開(kāi)始快速發(fā)展，對(duì)電子業(yè)產(chǎn)生巨大影響。記憶體發(fā)展過(guò)程中最重要的一步，就是1969年，IBM的迪納 (R. H. Dennard) 發(fā)明了只需一個(gè)電晶體和一個(gè)電容器，就可以儲(chǔ)存一個(gè)位元的記憶單元；由於結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，密度又高，現(xiàn)今半導(dǎo)體製程的發(fā)展常以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體的容量為