變頻器內(nèi)部原理培訓(xùn)-預(yù)覽頁
【正文】 同，但結(jié)構(gòu)上多采用 垂直 導(dǎo)電結(jié)構(gòu) ，又稱為 VMOSFET 。變頻器 內(nèi)部原理 培訓(xùn) 變頻器： 將電網(wǎng)電壓提供的恒壓恒頻轉(zhuǎn)換成電壓和頻率都可以通過控制改變的轉(zhuǎn)換器，使電動機(jī)可以在變頻電壓的電源驅(qū)動下發(fā)揮更好的工作性能。 電力場效應(yīng)晶體管 電力 MOSFET 的結(jié)構(gòu) 是 單極型晶體管 。 圖 119 電力 MOSFET 的結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號 （ B） a） b） 絕緣柵雙極晶體管 1 ) IGBT 的結(jié)構(gòu)和工作原理 三端器件： 柵極 G 、 集電極 C 和 發(fā)射極 E 。 阻感負(fù)載 時 ， io 相位滯后于 uo ， 波形也不同 。 O u 如何用一系列 等幅不等寬的脈沖 來代替一個正弦半波 SPWM 波 O u （ C） ω t ω t O u ω t V1 和 V2 、 V3 和 V4 的通斷彼此 互補(bǔ) 。 當(dāng) ur uc 時使 V4 斷 ， V3 通 ， uo = 0 。 Ud 兩種電平 。 （ B） 注： 試比較以上兩種方式的異同點(diǎn) 。 當(dāng)沒有二極管導(dǎo)通時 ， 由電容向負(fù)載放電 ， ud 按指數(shù)規(guī)律下降 。高壓變頻器每一相由若干個基本功率單元串聯(lián)組成 ( 圖 a) 為 3 個單元串聯(lián) )，實(shí)現(xiàn)高壓輸出。與此同時， V1 截止使十 20V 電源通 R3 向電容 C2 充電，時間常數(shù) r1 為 ? r1=R3c2=2 與此同時 V1 導(dǎo)通， C2 通過 V1 更快放電，將 B 點(diǎn)和 C 點(diǎn)電位箝在 0V ，使 VZI 仍不通，后繼電路不會動作 , IGBT 正常關(guān)斷。 3uS (2 － 21 ） ? C3 與 R7 組成的放電時間常數(shù)為 ? T2 ＝＝ C3R7 ＝ 4 V1 導(dǎo)通使 C2 迅速放電、 V 3 截止， 20V 電源通過 R8 對 C4 充電， RC 充電時間常數(shù)為 ? T3 ＝ C4R8 ＝ 48 ? 2 ）輸入采用高速光耦隔離電路，既滿足了隔離和快速的要求，又在很大程度上使電路結(jié)構(gòu)簡化。 M57962的應(yīng)用電路 8腳應(yīng)該接光耦的發(fā)射端，為控制電路提供過流信號。 靜態(tài)不均壓 ：串聯(lián)的器件流過的漏電流相同 ， 但因靜態(tài)伏安特性的分散性 ， 各器件分壓不等 。 采用電阻均壓 ， Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時的正 、 反向電阻小得多 。 晶閘管的并聯(lián) 問題 ：會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻 。 當(dāng)需要同時串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時 ， 通常采用先串后并的方法聯(lián)接 。 脈動一次 ， 直流電壓基本無脈動 ， 因此逆變器從交流側(cè)向直流側(cè)傳送的功率是脈動的 ， 電壓型逆變電路的一個特點(diǎn) 。 U N 39。 U N 39。 a）硬開關(guān)的開通過程 b）硬開關(guān)的關(guān)斷過程 圖 71 硬開關(guān)的開關(guān)過程 （ C） t 0 u i P 0 u i t u u i i P 0 0 t t ?PI調(diào)節(jié) 圖 124 帶轉(zhuǎn)速負(fù)反饋的閉環(huán)直流調(diào)速系統(tǒng)原理框圖 + A M TG + + + Utg Ud Id n + + Un ?Un U*n Uc UPE + d ～ + + + M TG + RP2 n RP1 U*n R0 R0 Rbal Uc VBT VS Ui TA Id R1 C1 Un Ud 圖 148 無靜差直流調(diào)速系統(tǒng)示例 + + + + UPE ～ 數(shù)字 PI調(diào)節(jié)器 –模擬 PI調(diào)節(jié)器的數(shù)字化 –改進(jìn)的數(shù)字 PI算法 –智能型 PI調(diào)節(jié)器 模擬 PI調(diào)節(jié)器的數(shù)字化 PI調(diào)節(jié)器是電力拖動自動控制系統(tǒng)中最常用的一種控制器，在微機(jī)數(shù)字控制系統(tǒng)中，當(dāng)采樣頻率足夠高時，可以先按模擬系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法設(shè)計(jì)調(diào)節(jié)器，然后再離散化，就可以得到數(shù)字控制器的算法，這就是模擬調(diào)節(jié)器的數(shù)字化。 Up to 18 PWM Outputs。 ? 片內(nèi)具有 256K*16位的線性 FLASH存儲器， 1K*16位的 OTP型只讀存儲器。 ? 通過中斷擴(kuò)展模塊支持 96個外部中斷，但芯片只用到了 45個。 ? 12路 PWM脈沖寬度調(diào)制功能，很方便實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的控制。 防止橋臂直通的措施 ： 在 TMS320F2812的觸發(fā)逆變器橋臂的成對信號中有加入觸發(fā)死區(qū)的功能，使橋臂直通的故障不會發(fā)生； 即橋臂的上、下二個功率器件的門極信號不能同時高，而且一個變低后要延時必要的時間才能使另外的門極信號變高。 可以用死區(qū)寄存器進(jìn)行死區(qū)設(shè)置，避免逆變橋發(fā)生直通，保證逆變器的正常工作。
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