變頻器內(nèi)部原理培訓(xùn)-全文預(yù)覽
【正文】 UsW?? 1)()()( pipi???增量式 PI調(diào)節(jié)器算法： ? ? )()1()()1()()( s a mIP keTKkekeKkukuku ????????PI調(diào)節(jié)器的輸出可由下式求得 ： )()1()( kukuku ????須在程序內(nèi)設(shè)置限幅值 u m，當(dāng) u(k) u m 時(shí)，便以限幅值 u m作為輸出。 工作原理 圖 148所示是一個(gè)無(wú)靜差直流調(diào)速系統(tǒng)的實(shí)例，采用比例積分調(diào)節(jié)器以實(shí)現(xiàn)無(wú)靜差，采用電流截止負(fù)反饋來(lái)限制動(dòng)態(tài)過(guò)程的沖擊電流。N N 39。 N N 39。 防止同一相上下兩橋臂的開(kāi)關(guān)器件同時(shí)導(dǎo)通而引起直流側(cè)電源短路 ， 應(yīng)采取 “ 先斷后通 ” 數(shù)量分析見(jiàn)教材 。 目的 ：多個(gè)器件并聯(lián)來(lái)承擔(dān)較大的電流 三相電壓型逆變電路 負(fù)載中點(diǎn)和電源中點(diǎn)間電壓 (56) ? 負(fù)載三相對(duì)稱(chēng)時(shí)有 uUN+uVN+uWN=0，于是 (57) 負(fù)載已知時(shí) ， 可由 uUN波形求出 iU波形 。 均流措施 ： 挑選特性參數(shù)盡量一致的器件 。 b) a) R C R C VT 1 VT 2 R P R P I O U U T1 I R U T2 VT 1 VT 2 圖 141 晶閘管的串聯(lián) a) 伏安特性差異 b) 串聯(lián)均壓措施 動(dòng)態(tài)均壓措施 ： 選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件 。 動(dòng)態(tài)不均壓 ：由于器件動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓。 ? 圖 6－ 34 電容器放電 ? a）放電電路 b）從接線端放電 圖 6－ 43 單進(jìn)三出變頻器 圖 6－ 44 單進(jìn)三出時(shí)存在的問(wèn)題 圖 6－ 45 單進(jìn)三出的升壓電路 交流調(diào)速控制策略 見(jiàn)書(shū) 矢量控制于電機(jī)的參數(shù)有關(guān) 異步電機(jī)的坐標(biāo)變換結(jié)構(gòu)圖 圖 652 異步電動(dòng)機(jī)的坐標(biāo)變換結(jié)構(gòu)圖 3/2—— 三相 /兩相變換 。 3 ）通過(guò)精心設(shè)計(jì)，將過(guò)流時(shí)降低 Uge 與慢關(guān)斷技術(shù)綜合考慮 , 按前面所述，短路時(shí) EXB841 各引腳波形如圖 2 － 68 所示。 4uS （ 2 84uS （ 2 － 22 ） ? E 點(diǎn)由 2 0V 下降到 3 ． 6V 的時(shí)間可用下式求得 ? 3 ． 6= 20e^ (t/r2) （ 2 － 23 ） ? t ＝ 8 ? 3 ）保護(hù)動(dòng)作 ? 設(shè) IGBT 已正常導(dǎo)通，則 V1 和 V2 截止， V4 導(dǎo)通， V 5 截止， B 點(diǎn)和 C 點(diǎn)電位穩(wěn)定在 8V 左右，VZ1 不被擊穿， V3 不導(dǎo)通， E 點(diǎn)電位保持為 20V ，二極管 VD6 截止。 42us （ 2 － 17 ） ? 又使 B 點(diǎn)電位上升，它由零升到 13V 的時(shí)間可用下式求得 : ? 13 ＝ 20 （ 1 － e ^ (t/r1) （ 2 － 18 ） ? t=2 串聯(lián)的單元數(shù)越多，輸出的電壓越高，而輸入電流越接近正弦。 電容濾波的三相不可控整流電路 考慮實(shí)際電路中存在的交流側(cè)電感以及為抑制沖擊電流而串聯(lián)的電感時(shí)的工作情況： 電流波形的前沿平緩了許多 ， 有利于電路的正常工作 。 哪種方式效果相對(duì)更好 ？ 若用示波器觀察以上兩波形會(huì)看到什么結(jié)果 ？ 變頻器輸入電流波形 電容濾波的單相不可控整流電路 感容濾波的二極管整流電路 圖 229 感容濾波的單相橋式不可控整流電路及其工作波形 a） 電路圖 b）波形 a) b) u 2 u d i 2 0 d q p w t i 2 , u 2 , u d （ C） 實(shí)際應(yīng)用為此情況，但分析復(fù)雜。 同樣在調(diào)制信號(hào) ur 和載波信號(hào) uc 的交點(diǎn)時(shí)刻控制器件的通斷。 ur 負(fù)半周 ， 請(qǐng)同學(xué)們自己分析 。 在 ur 和 uc 的 交點(diǎn) 時(shí)刻控制 IGBT 的通斷。 單相橋式逆變電路 S1 ~ S4 是橋式電路的 4 個(gè)臂 ， 由電力電子器件及輔助電路組成 。 IGBT 比 VDMOSFET 多一層 P+ 注入?yún)^(qū) ， 具有很強(qiáng)的通流能力 。 導(dǎo)電機(jī)理與小功率 MOS 管相
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