【正文】 VCc VBB RB ICBO ICN IBN N P N （ 3） 電子被集電區(qū)收集的過程 （ 1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子的過程 （ 2）電子在基區(qū)的擴散和復(fù)合過程 4．三極管電流放大作用的進一步理解 表 IB、 IC、 IE的實驗數(shù)據(jù) IB/mA 0 IC/mA IE/mA 0 三極管的特性曲線 1． 輸入特性曲線 uBE /v uCE /v （ a） （ b） uCE≥1V uCE=0 iB/μ A 100 80 60 40 20 25℃ 飽和區(qū) 放 大 區(qū) 100μ A 80μ A 60μ A 40μ A 20μ A iB=0μ A 10 8 6 4 2 ic /mA 4 3 2 1 截止區(qū) 圖 三極管的特性 曲線 2． 輸出特性曲線 (1)放大區(qū) (2) 飽和區(qū) (3) 截止區(qū) 三極管正常工作時的主要特點 1． 三極管工作于放大狀態(tài)的條件及特點 2．三極管工作于飽和狀態(tài)的條件及特點 3．三極管工作于截止?fàn)顟B(tài)時的條件及特點 ＊ 特殊晶體管簡介 1． 光電三極管 （ a） 等效電路 （ b） 電路符號 （ c） LED+光電三極管 （ d） LED+光電池 圖 光電三極管的等效電路與電路符號 圖 光電耦合器電路符號 c e (－ ) (+) c b e IL IC 2．光電耦合器 3．晶閘管 （ 1） 單向晶閘管 A. 內(nèi)部結(jié)構(gòu) B. 工作原理 K A G χχχ G A K G A K （ a） (b) (c) 圖 單向晶閘管外形及電路符號 (a) 內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖 (b) 分解圖 （ c） 等效電路 圖 2. 7 晶閘管內(nèi)部結(jié)構(gòu)及其等效電路 g a k P1 N1 P2 N2 IG g k N1 P2 N2 a P1 N1 P2 k VGG IA RG V2 V1 IC1 RA IC2 VAA g a A. 判定晶閘管的電極 B. 檢測量晶閘管的導(dǎo)通情況 （ 2） 雙向晶閘管 ① 雙向晶閘管的結(jié)構(gòu) (a) (b) 圖 雙向晶閘管外形及電路符號 G T1 T2 T1 T2 G TUC336 ② 雙向晶閘管的測量 三極管的主要參數(shù) 1．電流放大系數(shù) 2．反向飽和電流 ICBO 3．穿透電流 ICEO 4． 集電極最大允許電流 ICM 5． 集電極 、 發(fā)射極間的擊穿電壓 UCEO 6．集電極最大耗散功率 PCM。 設(shè)圖 R R2的電流分別為 I I2， 則 （ 2）利用發(fā)射極電阻 Re的電流負(fù)反饋作用穩(wěn)定靜態(tài)工作點 2． 電容 Ce的作用 恒流源偏置電路 圖 鏡像恒流源的基本電路 I IC1 VCC R IC2=I0 V2 V1 （ a）威爾遜恒流源 （ b）小電流恒流源 （ c）改變射極電阻比獲得不同 輸出電流的恒流源 圖 改進型恒流源電路 V3 IB3 Re1 Re2 Re I IC1 IB V2 V1 I IC1 IC2 V2 V1 I IC1 IC2 V2 V1 IC3 放大電路的三種基本分析方法 （ 1） 畫出放大電路的直流通路 （ 2） 由直流通路列出輸入回路和輸出回路方程 ， 代入方程 ， 分別求出 IBQ、 ICQ、 UCEQ。RC （ 3） 根據(jù)電壓方程式 ， 在輸出特性曲線所在坐標(biāo)平面上作直流負(fù)載線 。即為所求靜態(tài)工作點的值 。 2. 畫 出放大電路的微變等效電路 。 這給放大電路的分析 、 設(shè)計和調(diào)試帶來了很大的方便 。此外，在集成電路中，制造大容量的電容很困難，所以這種耦合方式下的多級放大電路不便于集成 直接耦合 － + V2 V1 ＋ VCC Rb Re Rc2 Rc1 + ui － uo 圖 直接耦合放大電路 1． 優(yōu)點：既可以放大交流信號 ， 也可以放大變化非常緩慢 （ 直流 ） 的信號；電路簡單 ， 便于集成 ， 所以集成電路中多采用這種耦合方式 。 改變變壓器的匝數(shù)比 ， 容易實現(xiàn)阻抗變換 ， 因而容易獲得較大的輸出功率 。 三極管具有放大作用的內(nèi)部條件和外部條件各是什么 ？ 為什么說三極管放大作用的本質(zhì)是電流控制作用 ？ 如何用三極管的電流分配關(guān)系來說明它的控制作用 ？ 試在特性曲線上指出三極管的三個工作區(qū)：放大區(qū) 、 截止區(qū) 、 飽和區(qū) 。 在柵 、 源電壓 uGS一定時 ， 溝道電阻也一定 ， iD隨 uGS增大而線性增大 。 ② 恒流區(qū)：隨著 uDS增大到一定程度 ， iD的增加變慢 ， 以后 iD基本恒定 ， 而與漏源電壓 uDS無關(guān) ， 我們稱這個區(qū)域為恒流區(qū) ， 也稱為放大區(qū) 。 絕緣柵型場效應(yīng)管 1. 增強型絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理 (1) 結(jié)構(gòu)及符號 g 襯底引線 d g s SiO2 P型硅襯底 N N d s d s g （ a） N溝道結(jié)構(gòu)圖 （ b） N溝道符號圖 （ c） P溝道符號 圖 增強型 MOS管結(jié)構(gòu)及符號圖 (2) 工作原理 s iD UDD UGG d g P型硅襯底 N N 圖 N溝道增強型 MOS管工作原理 (3) 特性曲線 2 4 6 8 4 3 2 1 0 iD/mA uGS/V UGS(th)=3V uDS=10V 2 4 6 8 10 12 14 16 18 6V 3V 5V uDS/V iD/mA 5 4 3 2 1 0 圖 N溝道增強型場效應(yīng)管特性曲線 (a) 轉(zhuǎn)移特性 （ b）輸出特性 耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理 襯底引線 d g s P型硅襯底 N N d s g d s g （ a） N溝道結(jié)構(gòu)圖 (b)N溝道符號 (c)P溝道符號 圖 耗盡型 MOS管結(jié)構(gòu)及符號圖 uDS/V 2 4 6 8 10 12 14 16 5 4 3 2 1 0 3V 1V － 1V － 2V iD/mA 12 10 8 6 4 2 0 0V uGS＝ 2V UGS(off) IDSS 12 10 8 6 4 2 uGS/V iD/mA uDS=常數(shù) （ a）轉(zhuǎn)移特性 （ b）輸出特性 圖 N溝道耗盡型場效應(yīng)管特性曲線 場效應(yīng)管的主要參數(shù) 夾斷電壓 UGS(off)：實質(zhì)上是使 iD＝ 0時所需的 uGS值 。 焊接時 ， 電烙鐵的外殼應(yīng)良好地接地 ， 或燒熱電烙鐵后切斷電源再焊 。 在使用場效應(yīng)管時 ， 要注意漏 、 源電壓 、 漏源電流及耗散功率等 ， 不要超過規(guī)定的最大允許值 。 試在具有四象限的直角坐標(biāo)上分別畫出各種類型場效應(yīng)管 （ 包括 N溝道 、 P溝道 MOS增強型和耗盡型 ， JFET P溝道 、 N溝道耗盡型 ） 的轉(zhuǎn)移特性示意圖 ， 并標(biāo)明各自的開啟電壓或夾斷電壓 。 （ 2） 放大電路若引入的是電壓負(fù)反饋 ， 則可減小放大電路的輸出電阻 ， 若引入的是電流負(fù)反饋則使輸出電阻增加 ， 其減小或增加的程度取決于反饋深度 （ 1＋ AF） 。 （ 3） 要穩(wěn)定輸出電壓 ， 應(yīng)引入電壓負(fù)反饋；要穩(wěn)定輸出電流 ， 應(yīng)引入電流負(fù)反饋 。 + ui － Re Rc V +VCC 圖 52 二極管補償電路 圖 53 利用熱敏電阻 Rt補償溫漂的電路 （ 1） 3 采用差分式放大電路 差分放大電路 基本差分放大電路 uo uo1 uo2 ui2 ui1 V1 V2 Rc2 Rb2 Rc1 Rb1 +VCC 圖 基本 差分放大電路 靜態(tài)分析 信號放大原理及電壓放大倍數(shù) 1． 共模信號輸入 +VCC Ui2 ui2 + uic _ + uic _ ui1 Rs2 Rs1 uo ＋ － V1 V2 Rc2 Rb2 Rc1 Rb1 圖 共模信號作用于差分電路 2． 差模信號輸入 +VCC ui2 + + ui1 _ + uic _ Rs2 Rs1 uo ＋ － V1 V2 Rc Rb Rc Rb 圖 任意 信號輸入方式下的差分電路 任意分放 大器 3． 任意信號輸入 差分放大器的其它指標(biāo) 1． 共模抑制比 2． 差模輸入電阻 3． 差模輸出電阻 4．共模輸出電阻 常見的幾種改進型差分電路 長尾式差分放大電路 1． 電路中接入 Re后對輸入差模信號的放大作用完全無影響 。 （ 3） 寬帶集成運算放大器：一般帶寬應(yīng)大于 10MHZ。 （ 6） 功率型集成運算放大器 。 （ 10） 程控型集成運算放大器 。 t 1 0 |Auf| 圖 R4居中平直放大幅頻特性 C1 C2 R6 R5 R3 R5 R4 R3 ∞ A21 － ＋ (db) Au0 20lg Auf 0 15db 1 f fo （ a） 電路圖 （ b） 幅頻特性 圖 R4的滑動觸頭移到最左邊 （ 3）當(dāng) R4的滑動頭移到最右邊時，其電路如圖 （ a）所示 1 C1 C2 R6 R5 R3 R5 R4 R3 ∞ A21 － ＋ (