多晶硅車(chē)間工藝培訓(xùn)-全文預(yù)覽
【正文】 要影響，正常情況下，固液界面的宏觀形狀應(yīng)該與熱場(chǎng)所確定的熔體等溫面相吻合。為了降低位錯(cuò)密度，晶 體實(shí)際生長(zhǎng)速度往往低于最大生長(zhǎng)速度。 三、硅芯拉制 在三氯氫硅的氫還原過(guò)程中，硅芯是沉積多晶硅的裁體，硅芯拉制和測(cè)試中，難避免其表面的沾污，為了得到高純的多晶硅，必須用物理和化學(xué)的方法除去硅芯表面的油污、氧化物及金屬雜質(zhì)等。洗滌器底部的洗滌液體與溶解的氫氟酸和氧化氮（硝酸鹽和亞硝酸鹽成分）混合。部分充有氫氟酸的洗滌液體從循環(huán)液體中分離出來(lái)供給污水 處理廠。 二、廢氣洗滌 廢 氣H F 洗 滌 塔N O x 洗 滌 塔N a O H放 空亞 硝 酸 鹽 解 毒 器氨 基 磺 酸廢 水 處 理 廠 酸性廢氣硅芯制備和產(chǎn)品整理工序產(chǎn)生的酸性廢氣，經(jīng)集氣罩抽吸至廢氣處理系統(tǒng)。 在取樣測(cè)量器各項(xiàng)質(zhì)量指標(biāo)合格后包裝。氧化劑硝酸的作用是使單質(zhì)硅氧化為 SiO2，其反應(yīng)如下： 3 S i + 4 H N O 3 3 S i O 2 + 2 H 2 O + 4 N O 但是由于 SiO2 是難溶的物質(zhì)，它即不溶于水，也不溶于硝酸，同時(shí)，由于硅的表面被硝酸氧化，表面形成一層非常緊密的 SiO2 薄膜，這個(gè) 氧化膜對(duì)硅起到保護(hù)作用，能阻礙氧化劑 HNO3 對(duì)硅進(jìn)一步腐蝕，所以也 HNO3 不能有效地腐蝕硅，而只能在硅的表面形成一層很薄的 SiO2 薄膜。還原爐爐筒夾套通入熱水，以移除爐內(nèi)熾熱硅芯向爐筒內(nèi)壁輻射的熱量，維持爐筒內(nèi)壁的溫度。 第 五 節(jié) 四氯化硅氫化工藝 一、四氯氫硅氫還原的工藝流程 S iC l4蒸 發(fā) 器混 合 器氫 化 爐H 2尾 氣 回 收 圖 2 四氯化硅氫化工藝流程簡(jiǎn)圖 經(jīng)提純的四氯氫硅原料，按還原工藝條件的要求，經(jīng)管道連續(xù)加入蒸發(fā)器中。 它是一種疏松、粗糙的夾層，中間常常有許多氣泡和 雜質(zhì)。在光線下能看到五顏六色的光澤。cm） ≥3000 ≥20xx ≥1000 碳濃度（ at/cm3） ≤1016 ≤21016 ≤21016 N 型少數(shù)載流子壽命（ μs） ≥500 ≥300 ≥100 硅多晶表面應(yīng)致密、平整，硅多晶應(yīng)沒(méi)有氧化夾層。 20xxmm， 彎曲度，＜ 3‰ ，類 型： N 型 石墨卡座：光譜純、稠密質(zhì)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)均勻、無(wú)孔洞。 延長(zhǎng)開(kāi)爐周期，相對(duì)應(yīng)地減少了載體的單位消耗量，并縮短停爐、裝爐的非生產(chǎn)時(shí)間，有利于提高多晶硅的生產(chǎn)效率。所以，采用多對(duì)棒，開(kāi)大直徑硅棒，有利于提高生產(chǎn)效率。流量大小與還原爐結(jié)構(gòu)和大小，特別是與載體表面積大小有關(guān)。同時(shí)，氫氣量太大，會(huì)稀釋 SiHCl3 的濃度，減少 SiHCl3 和硅棒表面碰撞 的 幾率，降低硅得沉積速度，降低硅得產(chǎn)量。 在三氯氫硅氫還原過(guò)程中，用化學(xué)當(dāng)量計(jì)算的配比的氫氣進(jìn)行還原時(shí)，產(chǎn)品呈非晶體型褐色粉末狀析出，而且實(shí)收率很低。 （三）對(duì)硅極為有害的雜質(zhì) B、 P 化合物，隨著溫度增高，其還原量也加大，這將使硅的沾污增加。 爐內(nèi)的反應(yīng)壓力為 6bar，化學(xué)反應(yīng)方程式為： S i C lHC lC l HH1 0 8 0 ~ 1 1 0 0 度S i 3 HC l（主反應(yīng)） 轉(zhuǎn)化率僅為 10%~15% 同時(shí)還發(fā)生一系列副反應(yīng)，例如 SiHCl3 和 HCl反應(yīng)產(chǎn)四氯化硅和氫氣： S i C lC lC l 1 0 8 0 ~ 1 1 0 0 度 S i C lC lC lHC lHC lHH（副反應(yīng)） 轉(zhuǎn)化率為 30%~35% 和 SiCl4 的還原反應(yīng) 1 0 8 0 ~ 1 1 0 0 度S iS i C lC lC lC l HC lHH 42（副反應(yīng)） 以及雜質(zhì)的還原反應(yīng)： HHBC lC l C l2 3 2 B 6HC l 及 HHPC lC l C l2 3 2 P 6HC l 氫還原反應(yīng)同時(shí) 生成二氯二氫硅、四氯化硅、氯化氫和氫氣，與未反應(yīng)的三氯氫硅和氫氣一起送出還原爐 ，出口設(shè)置取樣點(diǎn)檢測(cè)尾氣各成分含量，了解還原爐的工作是否正常 ， 尾氣 經(jīng)循環(huán)冷卻水冷卻后，直接送往還原尾氣干法分離工序。 在 1080℃ ~1100℃的反應(yīng)溫度下， 在還原爐內(nèi)通電的熾熱硅芯硅棒的表面，三氯氫硅發(fā)生氫還原反應(yīng)
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1